戴尔董事长兼CEO Michael Dell对《华尔街日报》表示，他认为内存短缺远未结束，并预计2027年（明年）情况将恶化，原因是AI数据中心建设持续吸收DRAM和HBM供应。他表示戴尔的瓶颈不是需求：公司握有约950亿美元尚未交付的AI服务器订单，为其历史上最大的积压订单；内存正是拖累这些出货的因素，因为AI加速器需要大量HBM，而周边服务器仍依赖常规DRAM。缓解看似遥远：新建内存晶圆厂约需四年建成，因此据称Dell预计2029年或2030年之前不会出现有意义的新供应。这与美光CEO最近的表态一致，后者称2027年和2028年的供应将比今年紧张得多；SK海力士CEO也表示类似看法，预计内存短缺将持续到2030年。据报道，戴尔的应对方式是仅在接近最终组装时才购买DRAM，并锁定长期供应协议，但这些做法在多大程度上适用于其消费类产品尚无消息。
文章列出十大中国半导体公司：SMIC为中国最大代工厂，2025年营收约93亿美元；CXMT为国内领先DRAM厂商，营收突破80亿美元；华为海思为顶尖芯片设计公司（麒麟、昇腾AI等）；长电科技为中国最大封测厂；北方华创为领先设备商；华虹集团为专注特色/成熟制程的代工厂；长江存储为主要国产3D NAND厂商；韦尔股份为主要图像传感器及模拟/设计企业；通富微电为第二梯队大型封测企业；寒武纪或海光信息分别为领先AI加速器或x86兼容服务器CPU厂商。原文未说明原因，亦无价格变动、产能变化或政策事件。
宜鼎（Innodisk）宣布扩展其DDR5产品组合，推出8000 RDIMM，面向边缘AI和企业服务器等计算密集型应用。该模组数据传输速度为8000 MT/s，比上一代高11.1%，容量范围从16GB到64GB。模组集成TVS（瞬态电压抑制）二极管和eFuse保护，以降低电压波动和异常供电状况导致系统故障的风险；并配备30μ”金手指和防硫化保护，以提升接触耐久性和耐腐蚀性。规格包括288pin、x80总线宽度、1.1V电压、工作温度0°C~95°C (Tc)。宜钉还计划在2027年第一季度推出更多DDR5 8000模组，包括CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM和ECC CSODIMM。
据韩国《朝鲜商业》援引Counterpoint Research的分析，由于AI数据中心对内存的旺盛需求持续挤压手机用DRAM供应、价格上涨加大入门级手机成本压力，中国部分手机厂商正考虑把从旧手机和电脑中拆下的DRAM重新用于新机，甚至评估在部分基础款机型中全部采用回收内存；相关厂商尚未公开确认这些计划，报道也没有点名具体品牌。TechNews援引匿名业内人士称，部分中国品牌可能向深圳华强北商家采购拆机内存，来源或包括旧iPhone；TrendForce指出这些说法尚未得到中国监管部门或手机企业证实，回收芯片目前更可能用于极低价、无品牌手机，不太可能进入旗舰机供应链。回收DRAM需拆下、清洁、除锡、检测和重新封装；Counterpoint称市场上已有使用5至6年的DRAM被回收，部分芯片可能再被使用5至6年，但存在数据保持能力下降、错误风险增加及良率与兼容性挑战。《财经》今年4月报道，一名山东回收商3月收购约1000部报废手机，其中超过600部被拆解准备转售内存芯片，部分无法开机的报废手机售价超过100元人民币。TrendForce以8GB DRAM搭配256GB闪存的常见手机配置为例，估算2026年第一季度内存合约价格同比上涨近200%；内存过去约占手机物料成本的10%至15%，目前已升至30%至40%；TrendForce还指出AI服务器需求正持续挤压DRAM产能，供应紧张和涨价压力可能延续至2027年。Counterpoint初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，创2012年以来同期最低水平。目前没有公开证据显示主流品牌已将回收内存用于大规模量产机型。
据韩媒 The Elec 10 月 20 日博文（IT之家 10 月 20 日报道），三星 System LSI 部门正加速推进移动调制解调器技术升级：下一代外置 5G 基带 M2800 将采用 2nm 先进制程，计划于 2027 年完成研发，并有望在 2028 年随 Galaxy S28 系列登场，相比当前外置调制解调器普遍使用的 4nm 工艺是一次代际跨越。三星计划在 2027 年推出的 Galaxy S27 系列手机中，所采用的 Exynos 2700 芯片将采用 M2700 调制解调器，虽仍采用 4nm 工艺，但通过调校电压等措施系统性优化设计和算法，改善能效和传输速度；同时引入光学缩减技术，在不更换底层制造工艺的情况下缩小芯片掩模设计，使 M2700 面积减少约 4%，在成本可控的前提下提升芯片效率和竞争力。此外，三星停用长期使用的 Shannon 名称，改用 M 系列命名，M2700 将从 3GPP Release 17 升级至 Release 18，并继续强化非地面网络（NTN）能力，为卫星通信、应急联络等场景做准备。上述均为计划/预期，尚未发生。
Synaptics在2026年10月20日的Tech Day 2026上发布了其称为新类别微控制器（xMCU）的Astra SR200系列，定位介于传统MCU与应用处理器之间。该系列包含三款引脚兼容产品：SR210（200 GOPS，面向语音与传感）、SR230（300 GOPS，面向视觉与显示系统）和SR250（400 GOPS，面向多模态应用）。SR200核心为最高800MHz的Arm Cortex-M85处理器，辅以低功耗Cortex-M52处理器，配备最高8MB SRAM及最高256MB定制DRAM。其Torq NPU子系统结合Synaptics自有的Torq T2与Google Research的Coral NPU；Coral NPU基于RISC-V开源架构，Google Research将其作为开源IP提供。Synaptics是Google Coral NPU IP的首个商业采用者与集成者，于2025年将第一代架构集成到Astra SL家族；SR200系列则采用增加了SIMD向量处理以提升性能和能效的第二代Coral NPU。双方合作的Coralboard开发平台中，基于Astra SL2619处理器（双Arm Cortex-A55内核、1 TOPS NPU子系统，结合Torq T1与第一代Coral NPU）的Coralboard SL在初始限量发布后现已通过DigiKey普遍供货；基于SR250的Coralboard SR样品正在Tech Day 2026上展示，更广泛的供货预计在2027年上半年。Coralboard设计采用波兰嵌入式硬件厂商GRINN的生产级系统级模块（SoM）。Google Research表示Coral NPU架构还有进一步改进在进行中，Synaptics计划随技术演进继续推出新处理器和开发板。
据Tom's Hardware 2026年10月20日报道，电子爱好者Blighted Agent将从Facebook Marketplace以120美元购得的SK hynix 2x 16GB DDR5-5600 SODIMM（笔记本内存）套件，通过热风枪拆取内存IC、加0.45mm有铅锡球重植、焊接到AliExpress购入的空白DDR5台式机PCB（每片约16美元）并加装约18美元的散热片，改装为2x 16GB DDR5-7800台式机套件，其声称价值约1000美元；含零配件的总物料成本为175美元。所用模块为其认为是SK hynix A-die的颗粒。成品在华硕ROG Maximus Z790 Apex Encore主板上被识别为两条'SK hynix 16,384MB 5600MHz'模块，经调校后在DDR5-7800 CL38、1.40V下稳定运行，并通过90分钟压力测试验证；作者承认此类返工存在很多失败风险且缺乏定位单个IC故障的测试设备。价格背景方面：作者查ebay美国站，二手32GB套件最低价为320美元；撰写时全新的32GB DDR5-6000套件最低价约449美元；该爱好者今年早些时候曾成功将类似价位的SODIMM改装为6400 MT/s XMP支持。文章还提及俄罗斯爱好者VIK-on今年早些时候完成过类似项目并刷写自定义固件实现6400 MT/s XMP自动识别。文章指出2026年末DDR5内存持续昂贵，但未说明原因。
Altera董事Lee Nam-hoon于10月16日在首尔COEX随SEDEX 2026半导体展览举办的"Semiconductors That Power Humanoids"会议上介绍，该公司正以面向Nvidia Holoscan Sensor Bridge (HSB)设计的FPGA瞄准包括机器人和自动驾驶汽车在内的物理AI市场。Altera与Nvidia共同开发了Holoscan Sensor Bridge，用于将摄像头、激光雷达、雷达和超声波等众多传感器连接到GPU平台。该架构按传感器、FPGA、以太网、GPU的顺序连接；FPGA聚合采用不同通信协议的传感器数据，并实时处理定位、电机控制和图像预处理等对延迟敏感的操作；数据转换为以太网数据包直接传输至Nvidia GPU内存，绕过CPU以降低延迟，并可用单条高速以太网连接简化布线、缓解MIPI传输距离短的局限。Altera为HSB提供四个FPGA系列：入门级Cyclone、面向紧凑型机器人的Agilex 3、面向包括人形机器人在内的下一代机器人的Agilex 5以及更高端的Agilex 7；开发者可按机器人尺寸、传感器数量和数据带宽等需求选择芯片。该公司还为基于Agilex 5的参考设计提供两款模块化开发套件，并与Terasic和Critical Link等伙伴合作开发包括SOM在内的专用传感器板生态。
据快科技10月20日消息，德国硬件媒体ComputerBase近日发现，Lexar雷克沙在MediaMarkt和Saturn两家商城推出了采用PCIe 3.0 x4接口的M6系列SSD，但在快科技查询时，相关页面已经下架。M6系列包含256GB、512GB和1TB三款，M.2 2280规格，读取速度最高3500MB/s（已达PCIe 3.0 x4接口实际上限）；写入速度按容量分档：256GB最高1300MB/s、512GB最高2400MB/s、1TB最高3000MB/s；闪存标注3D TLC NAND，协议为NVMe 1.2，无DRAM缓存。虽然M6是新品，但其规格参数与Lexar于2021年4月发布的NM620基本完全一致（M.2 2280、PCIe 3.0 x4、3500/1300MB/s读写、3D TLC NAND、NVMe 1.2、125/250/500TB TBW）。定价方面，256GB约70欧元、512GB约150欧元、1TB约250欧元，折合人民币约525元、1125元、1875元。原文未说明新品回归旧接口及随后下架的原因。另据报道背景：TrendForce数据显示DRAM和NAND闪存价格持续上涨；Gartner预测2026年底DRAM价格较年初上涨130%，HBM大量挤占产能导致通用DRAM短缺；StorageSwiss认为这轮涨价不是短期短缺而是结构性产能再分配，价格高位将持续到2027年。
据韩国《电子新闻》周二报道，联想、惠普、戴尔等主要PC厂商已与内存制造商完成长期供应协议（LTA）签署，以锁定稳定货源。背景原因：今年AI基础设施抢占内存资源，今年上半年主要PC厂商的DRAM及固态硬盘（SSD）实际到货量仅为需求量的70%至80%，生产计划受到明显冲击。一名PC厂商高管表示，LTA的签署意味着明年的零部件采购"不会有大问题"；长期协议通常锁定一定周期内的供货量与价格区间。尽管DRAM和SSD价格明年预计仍将继续上涨，《电子新闻》援引业内预测称，综合CPU和GPU价格涨幅，明年PC零部件整体价格涨幅约在10%至20%区间，低于今年的压力水平。另据Omdia数据，今年第三季度全球PC出货量同比骤降21%，预计明年将再降7%；今年第二季度AI PC出货量占美国市场整体出货量的48.3%，第三季度有望突破50%；售价超过1500美元的高端PC出货量逆势增长36.8%。
据韩国产业通商资源部消息，三星电子今年已将其移动、显示及家电领域的126项技术免费转让给99家中小企业，其中移动技术占转让的大头。该部门于2026年10月19日在首尔良才洞L Tower与三星共同举办了2026年技术分享活动。
在10月31日业绩发布前，CXMT预测2026年前九个月营收为2650亿–2700亿元人民币，同比增长逾七倍；并在10月19日临时股东大会上预计2026年前九个月归属于股东的净利润为1310亿–1325亿元人民币，而去年同期净亏损53亿元人民币。据Eastmoney，其第三季度净利润预计仅环比增长1–4%，达534亿–549亿元人民币，第三季度营收预计为1146.9亿–1196.9亿元，环比增长15.25–20.28%，增速较上半年明显放缓——2Q26净利润翻倍以上达528.4亿元。Eastmoney将放缓归因于DRAM价格涨幅趋缓，可能压缩利润扩张空间。据36Kr，2025年DDR与LPDDR ASP分别同比上涨61%和24.46%，带动营收分别增长515.36%和105.59%；1H26 DDR与LPDDR营收分别达694.7亿元和781.9亿元。同业模块厂Longsys净利润从1Q26的38.6亿元升至2Q26的67.2亿元后，第三季度预计为34.2亿–43.2亿元，环比最多下滑49%。TrendForce预测3Q26常规DRAM合约价环比上涨13–18%、NAND Flash上涨10–15%，并指出创纪录的内存价格正使PC与智能手机客户逼近承受力上限。CXMT称其合肥与北京 fab 产能利用率维持高位、订单满载；目前运营两座合肥12英寸DRAM fab和一座北京fab，每座月产能最高10万片晶圆，并在合肥扩建测试设施、在上海开发新DRAM与HBM产线；1H26折旧费用同比增长27.85%至145.1亿元。业绩前景仍取决于10月31日财报及第四季度DRAM价格走势。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
快科技10月19日消息，Intel下代Nova Lake-HX与Nova Lake-H移动处理器的封装布局近日首次曝光，信息来自Moore's Law Is Dead公布的裸片图片。据披露，Nova Lake-HX采用6芯片堆叠封装，核心配置为8个P核+16个E核+4个LPE核共28核，封装尺寸12×30mm，面积约360mm²；其中计算模块面积约104mm²，采用台积电N2P工艺，承载全部8P+16E共24个核心；图形模块采用Intel 3-E工艺，集成4个Xe核心，面积约26mm²；SoC枢纽模块和外围控制模块均采用Intel 18A-P工艺，面积分别为72mm²和58mm²，SoC枢纽模块承载4个LPE核；另有两颗被动填充模块，面积分别为21mm²和85mm²，用于物理支撑和散热均衡。Nova Lake-H的图形、SoC枢纽和外围控制模块与HX版完全相同，差异在计算模块和被动模块：H版计算模块面积缩至55mm²，承载4P+8E共12核，被动模块缩减至45mm²，封装尺寸12×23mm，面积约276mm²，比HX版短7mm。MLID还提到测量值与真实值误差在5%以内，且修改了数值以保护消息源；此外12 Xe配置将使用一个占据图形模块和相邻填充模块空间的单一芯片。该信息为第三方爆料，原文未说明产品发布时间。
长鑫存储技术（CXMT）预计将在2026年前九个月实现净利润人民币131亿至132.5亿元（约合195.8亿至198亿美元），扭转去年同期的亏损，原因是人工智能算力需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
英伟达高管表示，消费者图形处理单元（GPU）短缺源于内存供应不足，这是公司无法控制的。该公司旗舰消费级GPU RTX 5090的交易价格最高达1500万韩元或更高，约为其含税建议零售价的五倍。RTX Spark笔记本起价约470万韩元，最高可达1000万韩元。公司将高价归因于内存成本上升。上述言论是在首尔江南区三成洞的RTX Spark发布会上于10月16日发表的。