Hanmi Semiconductor在美国硅谷设立子公司以支持AI封装客户
Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
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Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
据韩国《电子新闻》周二报道，联想、惠普、戴尔等主要PC厂商已与内存制造商完成长期供应协议（LTA）签署，以锁定稳定货源。背景原因：今年AI基础设施抢占内存资源，今年上半年主要PC厂商的DRAM及固态硬盘（SSD）实际到货量仅为需求量的70%至80%，生产计划受到明显冲击。一名PC厂商高管表示，LTA的签署意味着明年的零部件采购"不会有大问题"；长期协议通常锁定一定周期内的供货量与价格区间。尽管DRAM和SSD价格明年预计仍将继续上涨，《电子新闻》援引业内预测称，综合CPU和GPU价格涨幅，明年PC零部件整体价格涨幅约在10%至20%区间，低于今年的压力水平。另据Omdia数据，今年第三季度全球PC出货量同比骤降21%，预计明年将再降7%；今年第二季度AI PC出货量占美国市场整体出货量的48.3%，第三季度有望突破50%；售价超过1500美元的高端PC出货量逆势增长36.8%。
村田制作所宣布开发出全球最小的008004英寸（0.25mm×0.125mm）NTC热敏电阻NCU01系列（该'全球最小'基于村田截至2026年10月19日的研究）。与村田此前最小的01005英寸（0.4mm×0.2mm）产品相比，新系列在实现等效温度感应性能的同时，将贴装面积减少约60%，电阻公差与B常数公差均为±1%。村田计划于2026年10月开始提供样品，并于2027年内启动量产；产品阵容将从100kΩ和10kΩ电阻值开始逐步扩充。主要应用包括智能手机、可穿戴设备电路板上的温度监测，以及IC封装和SiP模块。该开发声明属于计划性产品推进，样品与量产尚未实现。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
背景性文章（系列上篇）回顾台积电成功的渊源：其现代成功可追溯至美国国防高级研究计划局（DARPA）发出的一项公开征集，寻求能够突破25nm物理极限的创新设计。时任加州大学伯克利分校教授的胡正明（Chenming (Calvin) Hu）是响应者之一，他后来于2001年成为台积电首任首席技术官。文章未涉及任何价格、产能、库存或供需现状信息，原文未说明原因（无具体事件原因）。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
长鑫存储技术（CXMT）预计将在2026年前九个月实现净利润人民币131亿至132.5亿元（约合195.8亿至198亿美元），扭转去年同期的亏损，原因是人工智能算力需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨。
AUO 正在扩大其 AI 相关业务，包括增强现实（AR）眼镜、低地球轨道（LEO）卫星天线、光通信和先进半导体封装。公司已获得董事会批准，计划在 2026 年投资新台币 24 亿元（美元 7.3992 亿），此为规划中的投资。
据快科技10月19日援引IDC最新报告，2026年上半年中国数据中心AI芯片市场中，英伟达以34%份额居第一，但出货量仅67.8万颗，同比大幅下降44%；华为昇腾以57.2万颗出货量拿下28%份额，两者差距收窄至仅6个百分点。原文将英伟达份额下滑的直接原因归为美国出口管制持续收紧：其最先进的Blackwell架构芯片无法进入中国市场，获准出口的H200芯片收入占其数据中心业务总营收不足1%；黄仁勋曾多次批评该政策，称500亿美元的中国AI芯片市场正被迫让给华为。其他厂商方面，阿里平头哥以7%份额位居第三，寒武纪、昆仑芯、海光信息分别占5%、4%和3%；IDC追踪的11家中国芯片厂商中有9家上半年出货量同比增长。非GPU加速器出货量达101.6万颗，同比增长近80%，首次超越GPU的99.1万颗；华为、平头哥、昆仑芯与寒武纪合计占非GPU市场的95%，政府机构、互联网公司及电信运营商是主要采用方。IDC指出竞争焦点正从单颗芯片性能转向系统整体能力。摩根士丹利预计（预测，非实际结果）中国AI芯片自给率将从2025年的35%提升至2026年的45%，2027年有望跃升至68%。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
字节跳动旗下AI研究部门Seed已成立Alignment & Preparedness部门，并在北京、上海及加州圣何塞招聘10名研究人员，研究方向为先进模型安全、AI对齐及新兴风险。原文未说明除战略考量外的具体原因；该举措凸显随着竞争从模型能力、算力和产品应用扩展到治理与可靠的大规模部署，AI安全的重要性日益上升。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |