GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
TDK InvenSense正在为人形机器人关节开发低成本磁性传感器技术。TDK副总裁Jung Do-hyung于10月16日在首尔COEX举行的THE ELEC'Semiconductors Powering Humanoids'会议上表示，公司正与机器人制造商合作开发基于磁性传感器的关节测量方案。该方案采用一个磁铁加一个传感器的简单配置测量关节角度，可能在手指等关节中替代编码器，使用TMR传感器和霍尔传感器：TMR通过磁场引起的电阻变化测量，精度高于通过磁场产生电压测量的霍尔传感器，霍尔传感器还可检测球形关节的三维位置。其背景原因是关节增多时传感器成本上升，手指多关节集中于狭小空间。Jung表示，仅需要角度测量的应用精度可能低于编码器，但传感器更小、功耗更低且便宜得多；公司同时为需要精确位置控制的关节开发磁性编码器，并将此前用于智能手机和汽车的磁性传感技术应用于机器人关节。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
据IT之家10月19日消息，任天堂近期在欧洲推出了支持便捷更换电池的新版 Switch 2，技术人员 modyfikatorcasper 拆解后发现，该机并未换用传闻中的夏普 LCD 面板，仍使用群创光电（Innolux）面板。除主板和电池仓设计外，新版变化较为有限：新机更换了风扇，可能对散热表现产生一定影响，但目前尚无证据表明其性能有明显改善；机身 RAM 内存容量仍为 12GB，只是内存供应商有所变化，玩家不太可能获得明显性能提升，此次改版的主要意义在于提升维修便利性。此外，有迹象显示任天堂可能将相应版本推向其他市场：型号为 BEE-001 (-01) 的机型已出现在美国联邦通信委员会（FCC）的相关记录中，暗示后续可能在美国市场贩售，但目前仅为迹象和暗示，并非已确认的销售计划。
据博主 @数码闲聊站 10 月 19 日发布的“超超超前瞻”，某屏厂正在做 2K+240Hz 显示屏，预计 2027 年能上机，且目前不暗指任何新机；IT之家指出若爆料属实，该方案在提升清晰度与流畅性的同时能否在功耗上取得理想效果值得关注。背景方面，目前市面上的新机多采用 1.5K+ 高刷方案，部分旗舰机型将屏幕分辨率提升至 2K 规格，大多数手机产品还处于 120Hz、165Hz 等规格；荣耀 WIN 平板已官宣将业界首发 240Hz OLED 电竞屏，搭配荣耀东风涡轮散热系统、10000mAh 大电池及第五代骁龙 8 至尊版芯片。
快科技10月19日消息，Intel下代Nova Lake-HX与Nova Lake-H移动处理器的封装布局近日首次曝光，信息来自Moore's Law Is Dead公布的裸片图片。据披露，Nova Lake-HX采用6芯片堆叠封装，核心配置为8个P核+16个E核+4个LPE核共28核，封装尺寸12×30mm，面积约360mm²；其中计算模块面积约104mm²，采用台积电N2P工艺，承载全部8P+16E共24个核心；图形模块采用Intel 3-E工艺，集成4个Xe核心，面积约26mm²；SoC枢纽模块和外围控制模块均采用Intel 18A-P工艺，面积分别为72mm²和58mm²，SoC枢纽模块承载4个LPE核；另有两颗被动填充模块，面积分别为21mm²和85mm²，用于物理支撑和散热均衡。Nova Lake-H的图形、SoC枢纽和外围控制模块与HX版完全相同，差异在计算模块和被动模块：H版计算模块面积缩至55mm²，承载4P+8E共12核，被动模块缩减至45mm²，封装尺寸12×23mm，面积约276mm²，比HX版短7mm。MLID还提到测量值与真实值误差在5%以内，且修改了数值以保护消息源；此外12 Xe配置将使用一个占据图形模块和相邻填充模块空间的单一芯片。该信息为第三方爆料，原文未说明产品发布时间。
TECO Electric & Machinery 正从以马达为主的制造商转型为提供整合式电力、能源、驱动系统与AI基础设施解决方案的平台型供应商。董事长 Morris Li 表示，人工智能正在加速全球对自主电力、微电网、虚拟电厂以及更快数据中心建设的需求。原文未说明转型完成时间或具体量化指标。
快科技10月19日消息，iQOO预告将于10月28日发布全新小平板iQOO Pad Pro，号称“口袋电竞巨兽”。该机采用8.8英寸165Hz OLED屏幕，搭载高通第五代骁龙8至尊版旗舰平台（简称骁龙8E5）和自研电竞芯片Q3，内置9020mAh大电池。其中骁龙8E5采用台积电第三代3nm（N3P）制程工艺，延续高通自研Oryon架构，采用2+6全大核设计并放弃传统小核，配备2颗主频4.6GHz的Prime超级内核与6颗主频3.62GHz的性能内核；对比上代，单核性能提升20%，多核性能提升17%。该平板还搭载自研冰穹四重风冷散热系统（含被动散热的冰穹VC均热板、双层超高导热石墨，以及主动散热的LCP扇叶风扇与高导热铝合金风道）、高导热凝胶与冰穹隔热气凝胶，机身厚5.74mm、重298g，并搭载自研Q-flex操控技术、超感触控和超感陀螺仪。此为发布预告，产品尚未实际发布。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
Cadence Design Systems与University of Notre Dame的研究人员发表了题为“A Composable AI-Accelerated Iterative Solver for 3D-IC Thermal Modeling”的研究论文。摘要指出，对异构2.5D/3D-IC封装进行精确热分析虽然必不可少，但计算上极为昂贵；一次全封装FEM仿真可能耗时数小时，而基于AI的代理模型则将整个堆叠视为单一的整体预测目标。原文未说明原因之外的其他背景，此为研究论文发布，属背景信息，不涉及价格、产能或供应事件。
密苏里科学技术大学研究人员发表了题为《Can Autonomous Vehicles Keep Their Cool? A Survey of Thermal Side-Channel and Perception Attacks》的综述论文，指出热侧信道为自动驾驶汽车带来新的安全风险。据摘要节选，该综述将十三项代表性工作系统化为热感知完整性、遥测泄露和模型信息提取三类，并按权限、时间尺度、共租、可部署性和自动驾驶相关性进行比较。原文未说明该研究对供应链或价格的直接影响。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
英伟达在韩国推出RTX Spark AI笔记本电脑，销售自10月16日开始；最便宜的型号是微星Prestige N16，售价为579.9万韩元，英伟达将高价归因于内存成本上升。
高通正加强进入人形机器人半导体市场，依托其在移动设备和汽车领域的经验，并提供集成AI软件包等开发工具。高通副总裁朴宰贤10月16日在首尔COEX举行的"Semiconductors Powering Humanoids"会议上表示，公司视人形机器人为高度复杂的汽车，并称"我们已拥有其开发所需的全部技术"。高通认为人形机器人的运行原理与自动驾驶车辆相似，利用摄像头等传感器感知环境、AI做决策、电机执行动作；自动驾驶车辆通常具有3至4个自由度(DoF)且限于平面移动，而人形机器人约有60个自由度，动作复杂得多。高通已开发面向机器人的SoC、低功耗无线通信、机器人操作系统技术、电源与热管理及AI开发工具；其Dragonwing SoC产品线集成CPU、GPU和NPU，包括面向扫地机器人等消费设备的Dragonwing Q2和Q4、面向餐厅送餐机器人等服务机器人的Q5和Q6、面向自主移动机器人(AMR)和四足机器人的IQ8，以及面向早期阶段人形机器人的IQ9。旗舰产品Dragonwing IQ10采用基于PC所用Oryon微架构的18核CPU，计算性能超过IQ9的5倍；高通称其低功耗SoC设计专长可应对封闭电池供电环境中的功耗与发热挑战。公司还提供用于大规模控制数百台机器人的Wi-Fi 7和5G通信方案、基于Linux的实时控制技术，以及Qualcomm AI Stack、Qualcomm AI Hub、SDK、MLOps和AI Data Flywheel等软件产品。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |