立昂微预计2026年前三季度净利润约1.74亿元，同比扭亏为盈，扣非净利润约1.33亿元，半导体硅片板块盈利能力大幅改善
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
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立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
据新加坡企业发展局(EnterpriseSG)负责制造业的助理局长Zeng Yi Wong表示,新加坡正瞄准高价值半导体制造、先进封装和硅光子学领域,依托其在工程、精密制造和可靠性方面的优势。该内容为背景性战略定位信息,未涉及具体价格、产能数字或企业事件。
快科技10月17日报道，Bolt Graphics于当地时间10月13日宣布完成Zeus架构GPU测试芯片调试工作。测试芯片在台积电12nm工艺上流片，面积仅6mm²，A0步进回片未发现任何功能问题，功耗仅1.4W，从通电到通过功能测试不到24小时。Zeus架构集成了专用电磁仿真硬件，是首个在硬件层面执行麦克斯韦方程组的商用GPU架构。据Bolt宣称，Zeus 1C路径追踪性能可达RTX 5090的2.5倍，4C版本可达10倍；FP64电磁仿真测试中，4C版本性能号称是英伟达B200的300倍。商用产品计划采用台积电N5P制程，预计2027年第一季度开放开发者访问权限，2027年底向早期访问客户交付首批产品，2028年启动PCIe AIC和服务器量产并全面上市。Bolt指出选择N5P是为了避免与AI芯片争抢晶圆产能。需注意的是，目前所有性能数据均来自Bolt官方对测试芯片或早期原型的宣称，并非第三方对量产产品的独立实测；从测试芯片到商用GPU之间，仍需完成完整的设计收敛、软件生态建设与客户验证。原文未说明原因。
10月15日台积电发布三季度财报：营收1.49万亿新台币，同比增长51%，创历史新高；净利润7631亿新台币，同比增长68.7%，连续第六个季度创新高；营业利润8764亿新台币，环比增长14.3%，同比增长75%。毛利率从二季度的67.7%降至66.4%，在公司指引区间内但低于市场预期；原文将毛利率回落归因于2纳米新产线设备折旧处于最高阶段、良率仍在爬坡，叠加美国亚利桑那州和日本工厂运营效率较低、成本较高，以及夏季电费上涨。2纳米本季度开始大规模量产，占晶圆收入比重从3%升至8%，单片约三万美元；3纳米从30%升至33%；HPC类收入环比增长22%，手机业务环比增长10%。财报公布后台积电美股盘中一度跌5%，收盘跌2%。7月公司将全年资本开支从520-560亿美元上调至600-640亿美元，理由是AI订单多于预期；第四季度毛利率指引维持65%-67%。市场传闻台积电拟于2027年一季度对先进制程再涨价5%-10%（仅为传闻/计划，未证实）。高盛预计CoWoS封装产能到2027年扩至2025年的四倍；黄仁昭预计海外工厂今年摊薄整体毛利率近2个百分点，未来几年可能扩大到3-4个百分点。公司账上有4万亿新台币现金和有价证券。
贝哲斯咨询发布的GPS追踪设备行业研究报告显示，2025年中国GPS追踪设备市场规模达68.33亿元（人民币）。贝哲斯咨询预测，2025-2032年全球GPS追踪设备市场规模将从261.9亿元增长至726.33亿元，CAGR约为15.69%（此为预测，非已实现结果）。产品类型细分为隐蔽式GPS追踪器、独立追踪器、高级追踪器和其他，报告称Advance Tracker预计将在2028年贡献最大的市场份额（预测）；终端应用涵盖医院、政府和国防、医疗保健、交通运输、工业、零售、汽车和航空航天、教育等领域，2018年至2022年跟踪汽车的细分市场占据最大份额。报告列出的中国主要企业包括Calamp Corp、Suntech、Sierra Wireless、Queclink、t42、Geotab Inc.、Trackimo Group、Meitrack Group、Teltonika、Atrack Technology；其中Teltonika在2023年占有率为8.99%。地区方面，2022年欧洲GPS跟踪设备市场份额为31.8%，是所有地区中最高的。报告还提及俄乌战争可能推高半导体晶圆价格并加剧芯片短缺，可能中断氖气、氪气和氙气供应，且GPS定位器面临原材料成本上升和能源成本上升的问题。该文为市场研究报告/推广内容，属背景性信息，原文未包含具体元器件价格变动。
据 IT之家 10 月 17 日消息，GPU 初创企业 Bolt Graphics 当地时间本月 13 日宣布，已完成 Zeus 架构 GPU 测试芯片的调试工作，为商用产品的 2028 年发售打下基础。该测试芯片在台积电 12nm 工艺上流片，尺寸仅 6mm²，A0 步进回片未发现任何功能问题，功耗 1.4W。Bolt 的 Zeus 架构集成专用电磁仿真硬件，同时可加速路径追踪图形负载，适用于物理 AI 等复杂计算场景。商用 GPU 芯片将采用台积电 N5P 制程工艺，预计 2027Q1 开放开发者访问权限、2027 年底向早期访问计划客户提供首批产品、2028 年启动 PCIe AIC 和服务器量产并于同年全面上市。
据消息汇总，初代iPhone于2007年1月首次亮相、同年6月29日上市，照此推算2027年为iPhone问世二十周年，外界普遍认为苹果会推出特别纪念版，但名字尚无官方确认（一种说法是跳过iPhone 19直接用iPhone 20，也有媒体猜测叫iPhone XX）。发布时间无确切信息，业界普遍预期遵循苹果惯例定于2027年9月发布、9月底或10月开售；因其技术规格高于多数Pro机型，起售价预计至少1299美元（约合9223元人民币），有可能更高。此前有分析机构在2026年8月称苹果因制造难度与商业可行性方面的顾虑取消了全玻璃纪念机型，但彭博社的马克·古尔曼随后否认该说法，表示苹果仍在推进以玻璃为核心的设计，只是结构方案做了调整。传闻要点包括：供应链描述为四曲面屏幕，量产时前后玻璃拼接难题的调整方案改用金属边框连接；正在测试6.41英寸（约2686 x 1236）与6.96英寸（约2912×1340，宣传上或称7英寸）两种尺寸；多则传闻指向屏下Face ID加单挖孔前置摄像头，但也有分析师认为较小灵动岛会延续到2027年；正与索尼合作开发采用LOFIC技术的定制传感器，主摄可能升级到2亿像素；电源键、音量键、Action键与相机控制键传闻改为固态触感方案；芯片或命名A21 Pro，基带传闻为C3，N1支持Wi-Fi 7与蓝牙6，内存至少12GB（16GB存在可能但属推测）；电池或采用纯硅负极方案。以上多为传闻或推测。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |