NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月20日周二

1 条

03:59影响评分 20
思咖瑞(SiCarrier)称全部半导体设备产品已量产并用于多家中国晶圆厂，另展出光罩检测PMI与晶圆检测mEBI新品
据National Business Daily报道，在中国半导体设备厂商于WESEMIBAY展示能力之际，思咖瑞(SiCarrier)称其全部半导体设备产品已进入量产，并已在多家中国晶圆厂投入使用；报道称具体客户名称、设备安装数量及各型号产量仍未获证实。本届展会上，思咖瑞展示了工艺设备与检测量测系统两大产品类别，涵盖扩散、薄膜处理、光学检测和光学量测；据21jingji，其设备手册披露两款此前未亮相的产品：用于光罩缺陷检测的PMI（六盘山）和用于AI驱动纳米级晶圆缺陷检测的mEBI（井冈山）。据Nikkei，思咖瑞据报道与华为有关联并获深圳政府支持，此前因宣称开发出可生产28nm芯片的关键光刻机而受到关注。子公司奇云坊正将EDA组合从去年推出的原理图与PCB设计工具扩展至更完整的电子设计工具链；据National Business Daily，其现有EDA工具聚焦原理图绘制与PCB布局而非芯片级EDA，芯片级EDA仅处于前期研究且尚无清晰产品路线图；据Economic Observer，其原理图与PCB设计软件已被超过100家企业客户采用，使用工程师数量从去年的2万人增至5万人。子公司Long Sight的90GHz超高速实时示波器已进入商用，据Mydrivers报道称已被华为及其他中国公司和研究机构采用，多位中国头部客户用于研发测试，公司代表称需求正超过产能；该示波器带宽90GHz、全球排名第二，并被视为中国在西方对超过60GHz设备实施出口限制品类中的一次突破。据上海证券报，Long Sight还推出了用于1.6T光模块及单通道200G互连测试的65GHz光采样示波器，以及用于6G研究的110GHz频谱分析仪和67/110GHz矢量网络分析仪，全系列产品在本届WESEMIBAY展出。
semiconductor process equipment inspection and metrology systems photomask defect inspection tool PMI (Liupan Mountain)SiCarrier、Qiyunfang 等 3 家

10月19日周一

5 条

21:00影响评分 25
瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
650-V 20-mΩ d-mode GaN FET (Gen 4+)Renesas Electronics
18:37影响评分 55
立昂微预计2026年前三季度净利润约1.74亿元，同比扭亏为盈，扣非净利润约1.33亿元，半导体硅片板块盈利能力大幅改善
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
半导体硅片立昂微
15:34影响评分 0
Keysight联合格拉斯哥大学、NPL与MPI共同开发亚太赫兹器件宽带表征方法
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
sub-THz semiconductor devices InP HEMTsKeysight Technologies Inc、MPI Corp
14:59影响评分 20
全球碳化硅（SiC）市场处于工业规模化关键节点，受汽车、AI数据中心及可再生能源领域需求上升驱动（背景性描述，无具体事件或数据）
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
silicon carbide (SiC)
01:00影响评分 10
Critical Manufacturing CEO访谈：公司聚焦以MES为核心的半导体后段与先进封装软件平台，自2018年起隶属ASMPT
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
Critical Manufacturing

10月18日周日

3 条

23:00影响评分 30
无掩模EUV光刻：电子束光刻之外的替代方案，或率先用于原型与小批量应用而非取代大规模量产光刻
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
maskless EUV lithography EUV lithography electron-beam lithography
21:00影响评分 0
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入同比增长 123% 至 $330.4 百万美元，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
07:21影响评分 55
SEC获得半导体检测设备首个商用订单，将向OSAT量产线供应Semi-Scan Wafer X-ray检测系统
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
Semi-Scan Wafer inline X-ray inspection system wafer-level packaging (WLP) inspection HBM stacking process inspectionSEC、global outsourced semiconductor assembly and test (OSAT) provider

10月17日周六

7 条

21:23影响评分 0
叫板英伟达！Bolt Zeus GPU测试芯片零缺陷：路径追踪性能号称超RTX 5090十倍
快科技10月17日报道，Bolt Graphics于当地时间10月13日宣布完成Zeus架构GPU测试芯片调试工作。测试芯片在台积电12nm工艺上流片，面积仅6mm²，A0步进回片未发现任何功能问题，功耗仅1.4W，从通电到通过功能测试不到24小时。Zeus架构集成了专用电磁仿真硬件，是首个在硬件层面执行麦克斯韦方程组的商用GPU架构。据Bolt宣称，Zeus 1C路径追踪性能可达RTX 5090的2.5倍，4C版本可达10倍；FP64电磁仿真测试中，4C版本性能号称是英伟达B200的300倍。商用产品计划采用台积电N5P制程，预计2027年第一季度开放开发者访问权限，2027年底向早期访问客户交付首批产品，2028年启动PCIe AIC和服务器量产并全面上市。Bolt指出选择N5P是为了避免与AI芯片争抢晶圆产能。需注意的是，目前所有性能数据均来自Bolt官方对测试芯片或早期原型的宣称，并非第三方对量产产品的独立实测；从测试芯片到商用GPU之间，仍需完成完整的设计收敛、软件生态建设与客户验证。原文未说明原因。
Zeus架构GPU测试芯片Bolt Graphics
14:40影响评分 55
台积电三季度营收1.49万亿新台币同比增51%创新高，净利润7631亿新台币同比增68.7%，毛利率由67.7%降至66.4%
10月15日台积电发布三季度财报：营收1.49万亿新台币，同比增长51%，创历史新高；净利润7631亿新台币，同比增长68.7%，连续第六个季度创新高；营业利润8764亿新台币，环比增长14.3%，同比增长75%。毛利率从二季度的67.7%降至66.4%，在公司指引区间内但低于市场预期；原文将毛利率回落归因于2纳米新产线设备折旧处于最高阶段、良率仍在爬坡，叠加美国亚利桑那州和日本工厂运营效率较低、成本较高，以及夏季电费上涨。2纳米本季度开始大规模量产，占晶圆收入比重从3%升至8%，单片约三万美元；3纳米从30%升至33%；HPC类收入环比增长22%，手机业务环比增长10%。财报公布后台积电美股盘中一度跌5%，收盘跌2%。7月公司将全年资本开支从520-560亿美元上调至600-640亿美元，理由是AI订单多于预期；第四季度毛利率指引维持65%-67%。市场传闻台积电拟于2027年一季度对先进制程再涨价5%-10%（仅为传闻/计划，未证实）。高盛预计CoWoS封装产能到2027年扩至2025年的四倍；黄仁昭预计海外工厂今年摊薄整体毛利率近2个百分点，未来几年可能扩大到3-4个百分点。公司账上有4万亿新台币现金和有价证券。
2纳米 3纳米先进封装(CoWoS)台积电
14:19影响评分 20
报告：2025年中国GPS追踪设备市场规模达68.33亿元，预测2025-2032年全球市场从261.9亿元增至726.33亿元、CAGR约15.69%
贝哲斯咨询发布的GPS追踪设备行业研究报告显示，2025年中国GPS追踪设备市场规模达68.33亿元（人民币）。贝哲斯咨询预测，2025-2032年全球GPS追踪设备市场规模将从261.9亿元增长至726.33亿元，CAGR约为15.69%（此为预测，非已实现结果）。产品类型细分为隐蔽式GPS追踪器、独立追踪器、高级追踪器和其他，报告称Advance Tracker预计将在2028年贡献最大的市场份额（预测）；终端应用涵盖医院、政府和国防、医疗保健、交通运输、工业、零售、汽车和航空航天、教育等领域，2018年至2022年跟踪汽车的细分市场占据最大份额。报告列出的中国主要企业包括Calamp Corp、Suntech、Sierra Wireless、Queclink、t42、Geotab Inc.、Trackimo Group、Meitrack Group、Teltonika、Atrack Technology；其中Teltonika在2023年占有率为8.99%。地区方面，2022年欧洲GPS跟踪设备市场份额为31.8%，是所有地区中最高的。报告还提及俄乌战争可能推高半导体晶圆价格并加剧芯片短缺，可能中断氖气、氪气和氙气供应，且GPS定位器面临原材料成本上升和能源成本上升的问题。该文为市场研究报告/推广内容，属背景性信息，原文未包含具体元器件价格变动。
GPS追踪设备隐蔽式GPS追踪器独立追踪器Calamp Corp、Suntech 等 10 家
03:30影响评分 0
Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
1200-V SiC MOSFETsMicrochip
01:43影响评分 30
中国初创公司Langdao Silex展示首款国产EUV激光光源FlintNano LPP-OXXO:输出超15瓦、约90%部件国产化,原型据称适合晶圆曝光测试但仍需进一步调试
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
EUV激光光源Langdao Silex、ASML
01:03影响评分 0
Texas Instruments发布RES80A-Q1 50-MΩ精密电阻分压器，支持高达2,000 V DC并通过AEC-Q200汽车级认证，主要面向高压EV电池包
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
precision-resistive divider passive componentsTexas Instruments
00:30影响评分 0
中国初创公司Langdao Silex展示EUV光源原型：输出功率超15W、90%零部件国产，商业化仍需三到五年
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
EUV light sourceLangdao Silex

10月16日周五

4 条

21:43影响评分 60
长鑫科技 2026 年前三季度预计归母净利润 1310~1325 亿元，同比扭亏为盈
10 月 16 日消息，长鑫科技发布 2026 年前三季度（2026 年 1 月～2026 年 9 月）业绩预告（为财务部门初步测算结果，尚未经注册会计师审计，具体数据以正式披露的 2026 年第三季度报告为准）：预计营业总收入 2650 亿元～2700 亿元，同比预增 725.96%~741.54%；预计归母净利润 1310 亿元～1325 亿元，同比扭亏为盈，去年同期归母净利润为净亏损 52.8 亿元。公司主营 DRAM 存储芯片的研发、生产和销售。原文给出的业绩增长核心原因为：2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨；公司稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，单位晶圆产出和产能利用率持续提高，规模效应逐步显现。
DRAM 存储芯片长鑫科技
21:00影响评分 0
单一屋顶下，封装而非光刻决定Terafab高产能
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
08:35影响评分 60
ASML专利显示其正开发晶圆对芯片(D2W)混合键合机，将与当前领导者Besi及前道竞争对手在封装市场竞争
根据研究机构SemiAnalysis对专利申请文件的分析，ASML似乎正在开发一种晶圆对芯片(D2W)混合键合机，这是该公司在先进封装领域的第二个动作。该工具将使ASML与当前该领域的领导者Besi以及一批追逐同一市场的日益增多的前道设备竞争对手形成竞争。背景是随着晶体管缩小变得更困难、成本更高，先进封装已成为芯片设备制造商寻求下一增长点的方向。原文未说明原因以外的时间表或量产计划；以上仅为专利文件分析所得出的迹象，不代表产品已发布或上市。
die-to-wafer (D2W) hybrid bonderASML、Besi
08:30影响评分 30
中信证券：4F²技术仍处早期验证阶段，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道投资机会
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
DRAM NAND HDD长鑫科技、三星电子

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月20日周二

思咖瑞(SiCarrier)称全部半导体设备产品已量产并用于多家中国晶圆厂，另展出光罩检测PMI与晶圆检测mEBI新品

10月19日周一

瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中

立昂微预计2026年前三季度净利润约1.74亿元，同比扭亏为盈，扣非净利润约1.33亿元，半导体硅片板块盈利能力大幅改善

Keysight联合格拉斯哥大学、NPL与MPI共同开发亚太赫兹器件宽带表征方法

全球碳化硅（SiC）市场处于工业规模化关键节点，受汽车、AI数据中心及可再生能源领域需求上升驱动（背景性描述，无具体事件或数据）

Critical Manufacturing CEO访谈：公司聚焦以MES为核心的半导体后段与先进封装软件平台，自2018年起隶属ASMPT

10月18日周日

无掩模EUV光刻：电子束光刻之外的替代方案，或率先用于原型与小批量应用而非取代大规模量产光刻

Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入同比增长 123% 至 $330.4 百万美元，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。

SEC获得半导体检测设备首个商用订单，将向OSAT量产线供应Semi-Scan Wafer X-ray检测系统

10月17日周六

叫板英伟达！Bolt Zeus GPU测试芯片零缺陷：路径追踪性能号称超RTX 5090十倍

台积电三季度营收1.49万亿新台币同比增51%创新高，净利润7631亿新台币同比增68.7%，毛利率由67.7%降至66.4%

报告：2025年中国GPS追踪设备市场规模达68.33亿元，预测2025-2032年全球市场从261.9亿元增至726.33亿元、CAGR约15.69%

Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度

中国初创公司Langdao Silex展示首款国产EUV激光光源FlintNano LPP-OXXO:输出超15瓦、约90%部件国产化,原型据称适合晶圆曝光测试但仍需进一步调试

Texas Instruments发布RES80A-Q1 50-MΩ精密电阻分压器，支持高达2,000 V DC并通过AEC-Q200汽车级认证，主要面向高压EV电池包

中国初创公司Langdao Silex展示EUV光源原型：输出功率超15W、90%零部件国产，商业化仍需三到五年

10月16日周五

长鑫科技 2026 年前三季度预计归母净利润 1310~1325 亿元，同比扭亏为盈

单一屋顶下，封装而非光刻决定Terafab高产能

ASML专利显示其正开发晶圆对芯片(D2W)混合键合机，将与当前领导者Besi及前道竞争对手在封装市场竞争

中信证券：4F²技术仍处早期验证阶段，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道投资机会

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