GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
QYResearch调研团队发布《2026年全球旋转变压器行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。根据该报告出版商调研统计，2025年全球旋转变压器市场销售额达到了35.59亿元，预计2032年将达到60.05亿元，年复合增长率（CAGR）为7.8%（2026-2032），此为报告预测而非已实现结果。报告称中国市场2025年市场规模及占全球比例在原文中数值空缺，预计2032年数值亦空缺。报告统计指标包括旋转变压器产能、销量、销售收入、价格、市场份额及排名等，地区层面分析过去五年和未来五年主要生产地区和消费地区的规模及趋势。报告评估2025年美国关税体系给全球经济带来的重大不确定性及其贸易壁垒升级与多国反制措施的影响。报告所列主要企业包括Tamagawa Seiki、MinebeaMitsumi、上海赢双电机科技股份、Moog、北京维通利电气股份、TE Connectivity、常州华旋传感技术、Honeywell、Ametek、General Dynamics、Maxon Motor、杭州科德磁业；产品类型分为变磁阻旋转变压器和绕线式旋转变压器，应用领域包括汽车、工业机械设备、航天与国防及其他。报告还提出行业向高精度、小型化及数字信号输出方向发展等趋势判断，属研究机构观点，非已发生事件。
据IT之家10月18日消息，山灵流媒体解码前级耳放一体机 SM50 今日正式开售，零售价2698元，首发价2598元。该机集网络串流、本地播放、蓝牙接收、USB DAC、数字解码、耳机放大及前级/线路输出于一体，搭载 ES9039Q2M DAC 芯片，配备3.5mm与4.4mm双耳机输出，3.5mm输出功率达182mW @32Ω，4.4mm平衡输出功率达700mW @32Ω，提供高低两档增益。接口方面支持串流、蓝牙、本地及NAS、USB DAC输入，USB/同轴数字输出，RCA/XLR模拟输出及有线LAN、双频WiFi；无线采用双天线方案，支持蓝牙5.2及LDAC、aptX、aptX HD、AAC、SBC编码和2.4GHz/5GHz双频WiFi。机身配4.5英寸1080×1920触控屏，尺寸188×205×53mm，重约1.7kg，有黑、银两色，铝合金外壳搭配玻璃面板。原文未说明原因（属新品发布事项，无价格涨跌或供需原因）。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
10 月 16 日消息，长鑫科技发布 2026 年前三季度（2026 年 1 月～2026 年 9 月）业绩预告（为财务部门初步测算结果，尚未经注册会计师审计，具体数据以正式披露的 2026 年第三季度报告为准）：预计营业总收入 2650 亿元～2700 亿元，同比预增 725.96%~741.54%；预计归母净利润 1310 亿元～1325 亿元，同比扭亏为盈，去年同期归母净利润为净亏损 52.8 亿元。公司主营 DRAM 存储芯片的研发、生产和销售。原文给出的业绩增长核心原因为：2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨；公司稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，单位晶圆产出和产能利用率持续提高，规模效应逐步显现。
印度光伏组件制造商Vikram Solar获得一份187 MW组件供应订单，客户为一家可再生能源开发商，用于位于印度南部卡纳塔克邦和泰米尔纳德邦三个地点的太阳能项目。根据协议，Vikram Solar将供应其高效N-Type TOPCon G12R组件，采用玻璃-玻璃封装结构和双面技术，功率范围615–625 Wp。该公司表示，此次合作建立在其与该开发商既有合作基础上。文章发布于2026年10月16日，并提及Vikram Solar总部位于西孟加拉邦加尔各答，业务遍及39个国家；背景为印度正朝500 GW非化石装机容量目标推进。原文未说明订单金额或原因。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
10 月 16 日消息，长城坦克 SUV 官方宣布，27 款坦克 500 正式开启预订，3000 元订金可抵 9000 元购车尾款。新车延续现款主体外观设计，新增丹霞红配色，长宽高 5078/1934/1905mm，轴距 2850mm。智能驾驶辅助方面搭载 Coffee Pilot 4.0 系统，配备一颗 700TOPS 算力的 Thor-U 芯片和包括禾赛 192 线激光雷达在内的 27 个传感器。动力提供三种版本：Hi4-T 版（2.0T 发动机+单电机+9HAT，综合功率 310kW，电池 37.1kWh，WLTC 纯电续航 110km，非解耦四驱）、Hi4-Z 版（2.0T 发动机+双电机+3 挡 DHT，综合功率 635kW，电池 59.05kWh，WLTC 纯电续航 201km）、燃油版（3.0T 涡轮增压发动机+48V 轻混，9AT 变速箱，最大净功率 260kW，峰值扭矩 500N·m）。
据快科技10月16日消息，在俄罗斯索契举办的Microelectronics 26（ME26）微电子论坛上，俄罗斯本土芯片厂商集体亮相，以运行游戏的方式演示产品（该论坛为展会演示事件，原文未涉及价格或产量数据）。其中，一台仿初代任天堂红白机（NES）外观、名为Ushka的小主机采用Baikal Electronics的BE-U1000微控制器；经拆解确认，BE-U1000内含三颗CloudBear核心，走32位RISC-V架构，即两颗主频200MHz的BR-350加一颗主频100MHz的BM-310，配有256KB闪存和192KB SRAM，外设接口含USB 2.0、I2C、I2S、UART和48条GPIO，封装为10×10毫米QFN-88。真正运行初代《超级马里奥》的是MCST的Elvis Hypercom-U SoC，其拥有四个主频最高1.2GHz的Arm Cortex-A53核心，配双核ELcore-50 DSP和PowerVR GE8300图形处理器，最多可搭8GB LPDDR4内存，支持USB 3.0、千兆以太网、Wi-Fi、蓝牙和HDMI输出。展会上还摆出几台MCST的Elbrus架构整机，但拍照者未说明具体型号，从线索推断可能是Elbrus-16S（16核、主频最高2GHz、最多8通道DDR4-3200、16纳米工艺、120亿晶体管、双路服务器原型内存最高2TB），此为推断而非确认。另有面向迷你主机和笔记本的Elbrus-2S3，同样16纳米、主频最高2GHz、算力196 GFLOPS、支持DDR4-3200和PCIe 3.0，其MP21小板整机功耗可达40W。文中还提到，几年前俄罗斯政府曾下令研发高端游戏主机，但此次展台上未见成果现身。
恒州诚思（YH Research）于2026年10月16日正式发布《2026-2032全球手持式WIFI测试设备行业头部企业市场占有率及排名调研报告》（报告编号：3446378）。据该报告统计，2025年全球手持式WIFI测试设备市场规模约901百万美元（约61.27亿元），预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2032年市场规模将接近1447百万美元（约98.4亿元），未来六年CAGR为7.0%。报告以2021-2025年历史数据为基底，对2026-2032年行业走势展开预测，覆盖全球及中国市场竞争格局、主要地区产能产量、产品类型（2.4GHz、5GHz）、下游应用（家用、商用）等维度，并列出Teradyne(LitePoint)、ROHDE&SCHWARZ、Anritsu Electric Corporation等主要厂商。以上数字均为预测性质，非已实现结果。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
中国半导体技术初创公司朗道硅芯(Langdao Silex (Shanghai) Technology)公开展出一款极紫外(EUV)光源原型,宣称国产化率达90%,样机输出功率为15W。原文未说明原因。该公司称此举标志着中国在发展国产光刻技术方面的进展,但该系统距离量产仍有三至五年,输出功率和长期稳定性是主要工程挑战。该事件为原型亮相,尚不代表量产或商用。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
埃隆·马斯克在X平台发文，批评存储厂商在常规DRAM与高带宽内存（HBM）均处于前所未有的短缺之际进行他所称的'敲诈性'定价，同时称赞美光在内存未来价格方面'合理'、是在为长期客户忠诚度做出'聪明的举动'。原文指出，马斯克未点名所批评的公司，也未提供具体定价细节或不同供应商的条款（这些条款通常保密），因此无法确定三星电子和SK海力士对可比产品的要价是否实质高于美光；其言论被认为指向这两家韩国存储厂商。文章补充称，美光自身盈利能力极高：2026财年第四季度营收542.3亿美元，GAAP毛利率81%，高于一年前的40%；云内存业务营收162.83亿美元，非GAAP毛利率83%；核心数据中心存储业务销售180.02亿美元，毛利率90%；汽车与嵌入式业务营收合计68.24亿美元，毛利率达84%；移动与客户端业务营收131.14亿美元，非GAAP毛利率90%。美光已签署26份战略客户协议，覆盖其到2030年预期营收的35%以上，合同包含320亿美元的客户财务承诺（大部分为现金预付款），且公司承认新协议反映了当前更高的内存价格、并非以折扣出售内存。另据报道，三星已锁定覆盖其2027年计划内存产出75%–80%的长期合同，SK海力士也在争取类似安排。市场内部人士与分析师预计内存供应短缺将持续到至少2028年。文章还称，存储厂商此次在没有相应扩大产能的情况下将内存价格提高了数倍，供给仍落后于需求。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |