Aixtron 2026年第三季度初步业绩显示订单量、营业利润(EBIT)及EBIT利润率显著超出当前市场预期
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
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沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
消息称三星 Galaxy S27 系列手机可能回归 1 月至 2 月的发布节奏（消息时间为 10 月 19 日），Pro/Ultra 机型有望升级至 LPDDR6 内存和 UFS 5 闪存；但由于内存市场行情升温超出三星预期，三星正在重新评估是否暂缓 Pro/Ultra 的内存与闪存升级。UFS 5 理论性能较 UFS 4.1 提升一倍，读取最高 10.8GB/s，写入最高 9.8GB/s，能效提升约 40%；LPDDR6 数据传输速率每引脚 10.6‑14.4Gbps，高于 LPDDR5X 的 8.5Gbps。
韩国爆料者Lanzuk近日称，三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定，发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月，但该消息未经三星确认，目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照，S24系列于1月中旬发布，S25系列于1月下旬亮相，S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数：此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存，S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0；最新说法称，随着内存成本高涨，三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本，若调整发生，高端机型最终配置和售价都可能受影响，目前两套方案都只是传闻。背景信息：LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布，数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps，高于LPDDR5X常见的8.5Gbps；三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s，较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%，并计划于今年第四季度开始量产，尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题，三星可能考虑重新采用Exynos 2700，但高通已否认相关芯片存在过热问题，处理器平台尚未定案。
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
Hanul Semiconductor于10月19日披露，其目标募集约20亿韩元的新股公开发行认购额达到目标金额的5.24倍。在10月15日开始、为期两天的公募认购期间，公司共收到1,276,705股认购，按发行价计算价值10,481,750,000韩元（104.8175亿韩元）。公司表示，鉴于近期韩国股市大幅回调及投资者情绪走弱，强劲的认购需求具有意义。此次小规模增发旨在筹集营运资金，发行价为每股8,210韩元，缴款定于10月20日，新股份额预计于11月4日上市。Hanul Semiconductor供应多层陶瓷电容器（MLCC）检测设备。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
据IT之家10月19日消息，任天堂近期在欧洲推出了支持便捷更换电池的新版 Switch 2，技术人员 modyfikatorcasper 拆解后发现，该机并未换用传闻中的夏普 LCD 面板，仍使用群创光电（Innolux）面板。除主板和电池仓设计外，新版变化较为有限：新机更换了风扇，可能对散热表现产生一定影响，但目前尚无证据表明其性能有明显改善；机身 RAM 内存容量仍为 12GB，只是内存供应商有所变化，玩家不太可能获得明显性能提升，此次改版的主要意义在于提升维修便利性。此外，有迹象显示任天堂可能将相应版本推向其他市场：型号为 BEE-001 (-01) 的机型已出现在美国联邦通信委员会（FCC）的相关记录中，暗示后续可能在美国市场贩售，但目前仅为迹象和暗示，并非已确认的销售计划。
快科技10月19日消息，根据Counterpoint Research市场监测服务初步数据，2026年第三季度中国智能手机出货量同比下降10%，创自2012年以来第三季度最低水平，但华为和苹果逆势上涨，合计占40%市场份额。华为出货量同比增长19%，以21.3%的份额升至国内市场第一；苹果以19.5%的市场份额位居第二，iPhone 18 Pro系列上市前三周销量较iPhone 17 Pro系列同比增长23.5%，基础款iPhone 18发布推迟促使部分消费者转购Pro系列。市场整体下滑的部分原因是存储元器件涨价推升手机制造成本、新机售价上涨、换机周期拉长。华为自9月1日起正式上调产品价格，可能给未来销售带来进一步压力；9月安卓旗舰集中发布预计对第四季度有一定拉动，但存储成本居高不下，市场难现大幅反弹。
据快科技10月19日消息，知名爆料人Jaykihn披露，英特尔正基于Nova Lake架构筹备全新的Xeon E处理器系列，该系列采用单一核心类型设计（全P核或全E核），而非混合搭配。泄露的产品线包含5种P核配置（4、6、8、12与16核）及4种E核配置（4、8、16与32核），所有这些处理器均不含LP-E核，而LP-E核预计将成为消费级Nova Lake桌面产品线的标配；需要P核与E核兼备的客户被建议转向常规Nova Lake-S处理器。即将推出的处理器预计采用英特尔W980芯片组，该芯片组规格于今年2月被披露，支持ECC内存、最多48条PCIe通道并支持英特尔vPro功能。截至目前，英特尔尚未正式确认Nova Lake至强E的具体配置、频率、功耗限制或发布时间表。
韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席IMF与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至2027年，理由是半导体供需缺口仍然巨大且供给端仍在持续扩张。韩国《每日经济》专栏则援引首尔大学教授黄哲成的判断称，2028年之前是安全区，2029年起新建产能将集中释放，存储市场将转为红海，到2030年超级周期可能结束、产业进入下行阶段；专栏列出的风险包括AI投资速度调整、美国长期国债收益率逼近6%，以及中国长鑫存储与韩国的技术差距已缩小至1至2年。特斯拉CEO马斯克在X平台回应称中国将在2028年大量生产RAM。文中提到存储产能从投资到量产通常有2至3年滞后期，两种时间表可以同时成立。目前三星2026年产能扩张约50%，SK海力士基础设施投资增至原计划4倍；SK海力士2026年第二季度营业利润同比增长557.2%，管理层重申需求到2030年都将超过供给；TrendForce集邦咨询预测2027年HBM价格将较2026年上涨121%，全球存储市场规模有望突破1.28万亿美元。以上均为预测或报道观点，非已实现结果。
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
中国第三季度国内生产总值（GDP）同比增长4.5%，高于第二季度的4.3%，但低于第一季度的5%，结束了此前的回落趋势，但仍处于中国设定的2026年全年4.5%至5%经济增长目标区间的下限。文章指出，在全球人工智能数据中心建设带动下，芯片、服务器、计算设备及相关电子产品需求增长，为中国制造业出口提供新动力；中国海关数据显示，2026年9月中国出口额同比增长36.3%，半导体、数据处理设备等科技产品出口增长支撑贸易顺差扩大，全年贸易顺差有望超过2025年创下的约1.2万亿美元纪录。同时，国内消费需求不足、房地产市场持续低迷、民间投资承压仍是主要挑战；中国政府已于9月公布降低部分企业融资成本、向符合条件的购房者提供补贴等支持措施，政策效果仍待观察。
英特尔在开放计算项目全球峰会上公布面向AI推理的GPU D系列，代号Crescent Island，产品页面称为D270。该加速卡最高可配置480GB LPDDR5X显存，但英特尔品牌PCIe卡配置为160GB LPDDR5X，设计允许ODM合作伙伴推出最高480GB的定制卡，480GB为系列支持的上限而非每张卡的实际容量。英特尔称单卡可承载最多3000亿参数的模型，八卡系统可运行参数量超过1万亿的模型，主打长上下文和多路并发推理。其他指标包括最高1.5TB/s显存带宽、FP8格式下1.3 petaflops算力、350W功耗上限，采用Xe3P架构，支持标准PCIe形态和风冷设计。该系列已进入客户送样阶段，但尚未公布一般上市日期或公开售价。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |