韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
Nvidia下一代Rubin AI加速器预计将主要依赖12层HBM4高带宽内存，尽管有报道称Nvidia已要求三星电子和SK海力士增加8层产品的供应。原文未说明原因导致这些不同评估；来源指出，不同评估表明内存配置的变化并不一定意味着HBM需求减弱，且制造限制和供应短缺预计将在2027年支撑内存价格。该事件为预期/报道状态，尚未证实最终配置。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
在OCP 2026上，据TrendForce发布的内容，微软的Maia 300搭载八颗HBM4堆栈，容量为288GB；英特尔的GPU D270则采用不同路线，最高配备480GB LPDDR5X。原文将两者描述为面向AI推理扩展的两种不同内存选择。原文未说明原因或价格影响。
2026年10月13日报道：微软与英特尔周一发布最新自研AI加速器，挑战英伟达。据Reuters，微软Maia 300采用多芯粒架构，核心计算芯粒使用台积电2nm（N2P）工艺，内存控制器与I/O功能采用3nm工艺；据Seoul Economic Daily，Maia 300搭载八颗HBM4堆栈，较Maia 200的六颗HBM3E增加，内存容量从216GB提升至288GB。微软称该架构提供36%更多计算FLOPs、2.5倍HBM带宽和14%更高的scale-up带宽。据Reuters，微软计划明年推出可能超过100万颗Maia 300加速器，每机柜容纳96颗芯片、功耗约167kW，并声称每兆瓦计算输出较领先GPU系统高约40%；据Seoul Economic Daily，每机柜HBM堆栈总数将从288增至768（2.7倍），为存储供应商带来潜在新增长机会。SK hynix被视为领先竞争者（曾为Maia 200唯一HBM3E供应商），三星凭借现已量产的36GB 12层HBM4也可能获得订单。英特尔方面，据Tom's Hardware，在OCP 2026上英特尔将基于Xe3P架构的原Crescent Island AI推理加速器正式命名为Intel GPU D-Series，公布FP8算力1.3 PFLOPS、内存带宽1.5TB/s的性能目标；据Wccftech，其弃用HBM而采用LPDDR5X（HBM日益昂贵且供应受限），支持最高480GB LPDDR5X（参考PCIe卡为160GB），定位为AI推理的成本高效方案；该350W加速器的制造工艺未公布。上述均为发布与计划状态，部署与订单尚未落地。
10 月 12 日消息，微软今天正式发布 Maia 300 人工智能芯片，基于台积电 N2P 2 纳米制程，采用多芯粒设计，集成独立内存芯粒和 I/O 芯粒，计划 2027 年部署。该芯片配备 8 组 HBM4 内存，总容量可达 288GB，带宽为 18TB/s；FP4 算力最高可达 13.8 PFLOPS，FP8 算力为 6.9 PFLOPS；SoC 功耗额定值为 950W，明显高于 Maia 200 的 750W。双向扩展互连带宽达到 3.2TB/s，采用基于以太网的双层网络架构；单个机架可容纳 96 颗 Maia 300，最多可组建包含 12000 颗加速器的集群。芯片更适合对内存要求较高的 AI 推理任务。
微软公布了其第三代Azure AI加速器Maia 300的架构细节：每个机架配置96个加速器，采用HBM4，且以液冷为主。该设计采用两层网络，可将多达12,288个加速器连接成单一超级 pod。微软表示该系统为云规模代理式推理而构建，并且公司将软件、硅片、机架基础设施、网络和数据中心的协同设计作为一个整体平台来运行。
根据10月6日在首尔举行的半导体行业论坛上提出的预测，三星电子可能在2027年超越SK海力士，成为全球最大的高带宽内存（HBM）供应商。该预测给出的背景原因是HBM4价格上涨以及存储器厂商争夺有限的DRAM产能。此内容为预测性观点，并非已实现的结果。
受 AI 热潮推动，三星电子预计截至9月的这三个月（第三季度）单季度营业利润将首次突破800亿美元，同比预计暴涨近9倍，达到107.4万亿韩元，折合801.8亿美元；该预测数值超过二季度创下的约89万亿韩元前历史纪录，大体符合市场对三季度的预期，但未能达到市场极高的心理预期。三星还将成为韩国首家单季度营业利润突破100万亿韩元的企业。三星预计季度营收翻倍以上，达到195万亿韩元，FactSet统计的分析师一致预期为206.810万亿韩元。受业绩预期未达市场预期影响，三星股价周四收盘下跌2.4%，报26.2万韩元。三星发布初步业绩时一般不披露各业务板块拆分数据，但绝大多数分析师判断半导体部门是本季度盈利爆发的核心动力；野村证券表示，若非韩元对美元大幅升值（FactSet数据显示过去三个月韩元兑美元已升值约12%），三星营业利润本可以更高。三星此前预计存储芯片短缺问题2027年会进一步加剧并延续至2028年；分析师预计明年三星最先进的HBM4产品营收占比将从今年的40%提升至约80%。三星已批准三季度30万亿韩元股息及15万亿韩元用于员工激励的股票回购，预估2026全年股东回报规模在90万亿-110万亿韩元，完整季度财报将于本月晚些时候公布。
三星电子3Q26营业利润同比暴涨783%至107.4万亿韩元，创历史新高。受HBM4需求及内存价格上涨驱动，其HBM出货量环比激增近50%，传统DRAM价格亦因供应紧张而上涨。
供需紧张格局延续，HBM及DRAM价格上行趋势确立。
据韩国《韩国经济》报道，三星电子新一代12层HBM4E高带宽内存据称已通过英伟达及多家大型云服务商的客户质量验证，三星内存部门在9月底完成相关测试；但测试通过不代表已签订供货合同，客户各自的订购数量、合同金额和量产供货时间仍未获确认，三星方面表示无法确认这项验证消息。TechPowerUp将该报道与英伟达下一代Rubin Ultra加速器联系起来，但韩国原报道只提到英伟达和主要超大规模数据中心客户，未明确说测试针对Rubin Ultra；英伟达公开的Rubin GPU资料确认采用HBM4，最高配置为288GB、带宽最高22TB/s，尚未公布Rubin Ultra采用三星HBM4E的订单或认证细节，两者对应关系仍属推测。三星5月公布的HBM4E样品为12层堆叠、单堆栈48GB，标准引脚速度14Gbps、可扩展至16Gbps，按公布数据单堆栈带宽最高3.6TB/s，16Gbps上限下理论带宽约4TB/s；公司并计划按客户需求扩展32GB的8层版本和64GB的16层版本，但这些规格不代表均已量产。三星称HBM4E使用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）和自家4纳米逻辑基底芯片，相较前代能效提升16%、热阻降低逾14%；公司已于今年5月向主要客户寄送12层样品，并表示量产将配合客户进度安排，现阶段不能据此认定三星已获得英伟达的量产供货订单。
已经到底了