Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Microchip Technology（美国亚利桑那州钱德勒）推出辐射加固（耐辐射）点负载转换器POL-05-20S-T，面向太空处理应用的严苛电源需求。该新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供最高20A输出电流，并具备高效率与高功率密度。该产品被加入其太空电源产品组合，原文未说明原因之外的其他背景，无价格或供应变化信息。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
Navitas Semiconductor起诉Renesas Electronics专利侵权。涉及GaN和SiC功率IC技术，案件在美国德克萨斯东区联邦法院提起。
专利纠纷可能影响双方股价及未来技术授权合作。
慕尼黑地方法院判决Infineon胜诉Innoscience，涉及GaN技术专利及实用新型侵权。Infineon借此巩固其在氮化镓领域的市场地位，Innoscience面临法律压力。
后续禁令风险及GaN供应链格局变动。
Navitas半导体任命半导体老兵Davin Lee进入董事会，加入薪酬委员会和治理与可持续发展委员会。此举属于公司治理层面的常规人事变动。
该事件对短期供需及价格无直接影响。
TANAKA PRECIOUS METAL TECHNOLOGIES将于2026年5月在马来西亚展示银烧结浆料、键合线等贵金属材料及回收技术。公司强调在东南亚50年的制造经验，旨在通过循环经济支持下一代半导体应用。
此次参展主要展示现有技术路线与循环经济布局，对短期供需无直接影响。
Cerro de Pasco Resources获得美国DFC高达500万美元的项目开发资金，用于秘鲁Quiulacocha尾矿再处理项目，旨在回收镓、铟等战略金属。该协议为未来高达3亿美元的建设融资提供了潜在框架，但取决于项目里程碑和尽职调查结果。
此为早期长期项目，对当前半导体材料供应及价格无直接影响。
Cerro de Pasco Resources获得美国国际开发金融公司（DFC）高达500万美元的项目开发融资，用于秘鲁Quiulacocha尾矿再处理项目，未来可能获得3亿美元建设贷款。该项目旨在回收对先进半导体至关重要的战略技术金属镓和铟。
长期可能增加关键金属供应，但项目处于早期开发阶段，建设资金尚未最终获批。
Cerro de Pasco Resources获得美国国际开发金融公司最高500万美元的里程碑式开发资金，用于秘鲁Quiulacocha尾矿再处理项目，该项目旨在回收镓和铟等战略金属。该协议为美国支持的关键矿物供应链合作框架的一部分，且DFC正在评估最高3亿美元的后续建设融资。
此为长期潜在供应源，但项目处于早期可行性研究阶段，对当前市场无直接影响。
Comstock Metals加州太阳能板回收厂获DTSC批准，可回收镓、银等金属。此举旨在应对加州大量退役光伏组件的处理需求。
该回收流程对主要半导体原材料供应及现货价格无直接影响。
BluGlass任命CEO Jim Haden为执行董事，接替非执行董事Jean Michel Pelaprat。这是这家GaN蓝光激光二极管制造商的一次内部管理层变动。
此次人事变动不直接影响GaN激光二极管的供应、价格或交易决策。
BluGlass任命非执行董事Omer Granit为执行主席，领导公司下一阶段的商业增长。此举属于公司内部董事会重组，旨在推动其GaN激光二极管的商业化进程。
/利空/关注: 该人事变动属于公司治理范畴，对GaN激光二极管的市场供应、价格及需求无直接或即时影响。
Navitas Semiconductor任命Chris Allexandre为总裁兼首席执行官及董事会成员，9月1日生效。此为GaN与SiC功率芯片设计公司的一次常规管理层交接。
此次人事变动对元件供应、价格及产能无直接影响。
AXT任命前董事Leonard J. Leblanc填补董事会空缺，任期至2027年7月。此次任命是因原董事Christine Russell去世而进行的常规人事变动。
董事会人事变动不直接影响GaAs/InP衬底供应、产能或交易价格。
英诺赛科技就特定氮化镓专利在中国最高法院赢得对英飞凌的诉讼。该判决源于英飞凌对先前不利裁决的上诉，涉及中国专利号202311774650.7s和202211387983.X。
此裁决确立了法律先例，但未引发生产中断、供应变化或直接价格影响，对当前交易决策无即时方向性指引。
氮化镓与碳化硅功率芯片公司纳微半导体任命前意法半导体高管Cristiano Amoruso为其董事会成员。此举旨在借助其在功率半导体领域的销售与战略经验，推动公司业务扩张。
此次人事变动属公司治理行为，对当前功率元件供应、价格及交易无直接影响。
Navitas Semiconductor宣布加强公司治理结构，以推进其GaN和SiC技术增长战略。此举旨在回应股东诉求并强化长期价值创造框架。
/利空/关注: 该治理变动属于内部管理优化，对GaN或SiC元件的短期供应、库存及现货价格无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |