Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
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Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
据市场研究机构Sigmaintell于10月15日发布的数据，三星显示为各大笔电品牌供应超过70%的OLED面板。随着OLED在笔电市场的普及，供应日趋集中：联想目前主要依赖三星显示，同时从京东方和 EverDisplay (EDO) 采购部分面板；惠普也高度依赖三星显示，并在部分机型使用EDO面板；华硕从三星显示、京东方和EDO采购；宏碁约75%的OLED面板来自三星显示；戴尔XPS系列的面板来自LG Display，其他产品则主要依赖三星显示。出货量方面，笔电OLED面板出货量从去年第一季度的210万片增至今年第二季度的430万片，预计第三季度将达到490万片；今年下半年OLED占整体笔电面板市场的份额预计超过10%；联想、惠普和华硕今年各自预计将有超过10%的笔电配备OLED面板。Sigmaintell表示，由于对单一供应商依赖加深会削弱议价能力并增加协调负担，主要笔电品牌正将采购策略转向多元供应商。在入门级市场，TCL华星准备供应喷墨打印(IJP)OLED面板，其已于第三季度开始出货显示器面板，并计划于第四季度启动笔电面板量产；在中高端市场，京东方和维信诺正在扩大柔性OLED面板供应，京东方B16产线已于今年第二季度量产，维信诺已于第三季度开始生产笔电用柔性OLED面板。Sigmaintell预测，到2030年非晶硅(a-Si)LCD在笔电面板中的占比将从2024年的约79%降至约48%，OLED份额预计升至约20%，氧化物LCD预计达到约29%。
快科技10月16日消息，元太科技(E Ink)正式推出新一代彩色电子纸技术E Ink Kaleido 4。该面板延续低功耗、类纸阅读等核心优势，并提升彩色显示的色彩表现、亮度、对比度与动态显示能力。具体指标为：色域容积提升2倍至40K以上，白画面反射率提升15%，对比度提升50%；其采用全新Oxide TFT背板，支持更高驱动电压以提升画面刷新速率，并结合新算法支持18FPS视频播放，同时配备全新设计的前光系统。汉王科技率先基于该面板推出M10C二代彩墨办公本，其翻页、滑动速度提升27%，覆盖微蚀刻AG黑色钢化玻璃面板，搭配8192级压感无源数位笔，基于高通8核处理器，存储器组合为4GB+128GB。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Microchip Technology（美国亚利桑那州钱德勒）推出辐射加固（耐辐射）点负载转换器POL-05-20S-T，面向太空处理应用的严苛电源需求。该新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供最高20A输出电流，并具备高效率与高功率密度。该产品被加入其太空电源产品组合，原文未说明原因之外的其他背景，无价格或供应变化信息。
Delta（台达电子）在Energy Taiwan 2026展会上以"Resilient Energy, Powering the AI Future"为主题，展示了面向AI工厂与高密度计算的微电网与电力基础设施方案。正值该公司55周年，其全球首发了全球首个实体化、可投产的集装箱式固态变压器（SST）直流电力系统，并同时展示了固态氧化物燃料电池（SOFC）分布式发电系统。原文未说明价格或市场影响。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
伊利诺伊大学香槟分校、美国国家能源技术实验室、阿贡国家实验室和莫纳什大学的研究人员发表了一篇题为《Integration of high-κ oxide on 2D semiconductors with carbon-dot monolayer assembly as van der Waals interfacial layer》的技术论文。论文摘要摘录称：这种原子级厚度的组装结构形成了一种范德华界面层，能够实现（high-κ氧化物的）沉积。该内容为研究进展类背景信息，未涉及价格、产能或供需变化，原文未说明其商业应用时间表。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
英飞凌科技股份公司面向服务器ODM和OEM推出27 kW三相电源单元（PSU）解决方案，以应对AI工作负载推动数据中心向800 VDC或±400 VDC供电架构的转变。该参考设计满足OCP Open Rack V3（ORV3）规范及AI服务器机架架构要求。设计整合了英飞凌650V CoolSiC和CoolMOS MOSFET、EiceDRIVER栅极驱动器、XENSIV电流传感器及PSOC微控制器；在480 VAC输入电压、50%负载下实现超过98%的峰值效率；采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器，功率密度达116 W/in³（ORV3最低要求为94 W/in³）；集成能量缓冲器可在电网短暂扰动时提供20毫秒保持时间；支持311至528 VAC三相输入电压范围，在大部分负载工作范围内功率因数高于0.99，工作环境温度为-5°C至45°C。公司背景：截至2025年9月底全球员工约57,000人，2025财年（截至9月30日）营收约147亿欧元。
坤彩科技公告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.70亿元-2.00亿元，同比增长178.35%-227.47%。此为业绩预告数据，尚非实际实现结果。公司称业绩变动主要系钛白粉行业市场价格回升，叠加公司钛白粉及氧化铁业务产能释放带来的规模效应与成本优势显现，销售业绩显著提高，盈利弹性释放。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 于2026年10月9日宣布将首次参展electronica(11月10日至13日),展位为Hall C6, Booth 211。公司将展示不断扩充的模拟与电源产品组合,主题为"More than diodes",通过四个演示平台展示市电转48V转换、48V转更低电压转换、电机控制和电路保护,应用方向覆盖汽车、数据中心和工业系统。48V电源树演示将展示从48V输入到12V再到5V和3.3V等更低电压轨的功率转换。公司还将借electronica 2026发布面向数据中心和AI计算基础设施需求的最新电源转换技术。此为展会参展/产品展示计划,不涉及价格、产能或供需变化。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |