SK Hynix在3D存储器推动传统量测技术接近极限之际推进芯片检测技术
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
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SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
英伟达高管表示，消费者图形处理单元（GPU）短缺源于内存供应不足，这是公司无法控制的。该公司旗舰消费级GPU RTX 5090的交易价格最高达1500万韩元或更高，约为其含税建议零售价的五倍。RTX Spark笔记本起价约470万韩元，最高可达1000万韩元。公司将高价归因于内存成本上升。上述言论是在首尔江南区三成洞的RTX Spark发布会上于10月16日发表的。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
Micron副总裁Lee Cheol于10月16日在首尔COEX举行的SEDEX 2026“Semiconductors Powering Humanoids”会议上表示，Micron正为物理AI应用准备边缘推理内存（EIM），并与主要客户讨论开发适合自动驾驶、人形机器人、AR/VR等新兴市场的产品。EIM定位于AI芯片与内存之间，用于降低数据处理延迟并提升带宽；其将LPDDR堆叠在逻辑裸片之上，与PIM不同，EIM的计算架构尚未公开，Micron也未披露具体性能目标。该公司正在开发将EIM应用于LPDDR6的方法，业界观察人士预期2028年下半年量产。Micron指出，当前机器人AI模型约使用10亿至20亿参数，内存带宽要求不高，但随着更先进的视觉-语言模型（VLM）出现，仅靠LPDDR将不足，需要转向HBM。Micron预计未来高性能人形机器人将需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前服务机器人使用12GB DRAM和256GB存储。该公司称正从早期设计阶段与机器人制造商、芯片组公司及超大规模云厂商合作。
据韩国媒体The Elec报道，美光正与主要客户讨论面向物理AI的新型内存产品，开发名为"边缘推理内存"（EIM）的方案，重点应用包括人形机器人、自主驾驶以及AR、VR设备。美光高管李哲在SEDEX 2026相关活动上表示，物理AI市场正快速发展，公司正与客户推进适配新市场的产品开发。EIM的设想是在逻辑裸片上堆叠低功耗LPDDR，目标与HBM类似但更注重降低功耗，适合电池供电的机器人；EIM不同于PIM，其具体计算结构、容量、带宽、延迟、功耗或性能目标均未公布。报道称美光正研究将EIM与LPDDR6结合，业界预期量产时间可能在2028年下半年，但这是产业界预测，并非美光公布的正式量产承诺。美光估算目前机器人使用的AI模型约有10亿至20亿个参数，现有LPDDR仍可满足不少需求；美光预计未来高性能人形机器人可能需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前工厂服务型机器人常见配置约为12GB DRAM和256GB存储，这些是估算不代表所有在售机器人配置。美光认为未来机器人或许会采用HBM，但需考虑功耗、散热和空间；EIM若能以较低功耗提升传输效率，可能成为LPDDR与HBM之间的新选择。在规格、功耗和实际产品公布前，EIM能否满足下一代机器人需求仍有待验证。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
纳斯达克100指数（NDX）在经历一轮剧烈抛售后，于关键趋势支撑位与100日均线交汇处形成锤形反转K线，多空双方展开决定性博弈；据The Market Ear分析，若守住该区域可能触发强力轧空行情，若跌破则市场或将急速恶化。本周四盘中，半导体行业基金VanEck Semiconductor ETF（SMH）和内存产业基金Roundhill Memory ETF（DRAM）相关标的成交量暴增至近期峰值，两者均录得近期最高单日成交量，随后买盘介入、市场阶段性企稳；全球系统性多空策略一日下跌1.4%，接近四个标准差的极端波动，高盛One-Delta交易台负责人Rich Privorotsky指出多空账簿正在积极压缩总敞口，部分成交量可能反映被动止损平仓。科技股CDS利差走阔与科技股下跌同步发生，VXN逼近9月高点。NDX远期市盈率已回落至约21倍，重回2023年AI行情启动以来的估值低点。Privorotsky对半导体板块短期前景谨慎乐观，并提出做空超大规模云服务商、做多半导体的相对价值交易思路；其同时指出，尽管技术折旧加速，B200、H200、H100乃至老款A100的现货算力租赁价格依然保持强劲，但过多资本追逐电力就绪的算力基础设施，重定价过程远未结束。自9月以来，NDX与美国10年期国债收益率呈现罕见的同向联动。高盛Peter Callahan认为约21倍远期市盈率或已构成四重底技术形态，财报季盈利兑现与否将成为决定市场方向的关键。
10 月 16 日消息，长鑫科技发布 2026 年前三季度（2026 年 1 月～2026 年 9 月）业绩预告（为财务部门初步测算结果，尚未经注册会计师审计，具体数据以正式披露的 2026 年第三季度报告为准）：预计营业总收入 2650 亿元～2700 亿元，同比预增 725.96%~741.54%；预计归母净利润 1310 亿元～1325 亿元，同比扭亏为盈，去年同期归母净利润为净亏损 52.8 亿元。公司主营 DRAM 存储芯片的研发、生产和销售。原文给出的业绩增长核心原因为：2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨；公司稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，单位晶圆产出和产能利用率持续提高，规模效应逐步显现。
市场正经历激进去风险化：据高盛数据，对冲基金已连续五个交易日净卖出全球AI股票，2025年初以来的累计净买入头寸已被彻底清除；上一交易日全球股票净卖出流量达-2.1个标准差，多头平仓与空头卖出之比约为3比1，美国占全球净卖出总量的66%，科技板块领跌，韩国同样遭大规模清仓；全球AI股票净卖出量创近一年来第二大规模，Z值达-2.8。仓位方面，对冲基金对全球AI股票净配置比例从6月峰值的31.7%降至26.1%（过去一年第49百分位），多空比从4.34降至3.27（过去一年第7百分位）。技术面上，纳斯达克100指数期货出现锤形K线；半导体指数SOX近几个交易日大幅下挫、超卖达到极端水平，已触及交易区间下轨并测试长期趋势线；韩国KOSPI超卖程度创2022年10月以来最极端水平。罗素2000深度超卖，据CFTC数据，7月以来其对冲基金空头头寸变化与CDX高收益利差呈正相关。CoreWeave（CRWV）11月行权价95美元看涨期权权利金自9月8日以来从18美元跌至1美元；目前DRAM价格已回落至此前的"Leopold低点"区域，CRWV的RSI回到初次抛售水平。文章观点认为空头头寸积累至高位后逼空条件或趋于成熟，但这属于分析判断而非已发生的事实；文中未说明本轮去风险化抛售的根本原因。
据摩根士丹利Nicholas Lentini团队报告，将未体现在现金流中的租赁资本开支纳入统计后，超大规模云服务商（hyperscaler）及新兴云服务商（neocloud）2027年AI计算投资总规模升至约1.58万亿美元，较现金资本开支口径扩大约14%；2026年至2027年间AI投资增量约7000亿美元，增速约60%。摩根士丹利估计2026年、2027年、2028年AI总资本开支分别约为9800亿美元、1.58万亿美元及1.81万亿美元，同比增速分别约为100%、60%及14%；其中租赁资本开支2027年达1950亿美元、2028年扩大至2460亿美元，2027年甲骨文贡献最大（572亿美元），其后依次为微软（453亿美元）、META（372亿美元）、亚马逊（284亿美元）及谷歌（266亿美元）。报告称超大规模云服务商已披露逾1.1万亿美元尚未启动的租赁承诺；约65%的AI资本开支最终流入标普500成分股营收，英伟达独占流入规模约三分之二。芯片与内存方面，报告认为英伟达具备最佳风险回报比（Fenyman平台有望推动每GW算力对应营收超500亿美元，估值约15倍FY28 EPS），博通2028年XPU市场规模预计突破1万亿美元；DRAM已成为AI建设的关键瓶颈，但摩根士丹利判断内存周期将于2026年四季度进入后期，价格涨幅趋于温和，供给增加将限制盈利惊喜空间。融资方面，超大规模云服务商今年以来已发行约2550亿美元无担保债券（约占全年预估资本开支30%），10年期债券全价收益率较2025年底上升约100至180个基点，摩根士丹利估计2027年将是预测期内现金流赤字最大的一年。上述数字均为报告预估/预测，而非已实现结果。
中国半导体与计算硬件企业在2026年前九个月报告或预测了强劲的盈利增长，其驱动因素为AI基础设施投资、对国产处理器和光互连的需求以及芯片市场复苏。但季度业绩出现分化，凸显出AI驱动的增长与传统存储器定价周期之间日益扩大的差距，其中DRAM和NAND的价格涨幅正在减弱。原文未说明DRAM、NAND价格涨幅减弱的具体原因，亦未披露具体公司或具体数字。
中国DRAM厂商CXMT披露了其4F² DRAM架构的进展，并计划在2026年底之前推出DDR5寄存式双列直插内存模组（RDIMMs），这使外界再次关注该国下一代内存技术的发展。原文未说明原因。该计划为规划状态，未报道已实现量产或出货。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
中信证券发布研报，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。研报称近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，并提及宏观相关因素（原文标题此处被截断，完整原因不明）。该内容为券商投资建议，属于背景信息；除标题所述外，正文未提供具体数据、个股或原因细节。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |