GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
华为押注Tau Scaling Law和LogicFolding技术以提升芯片性能，并将该技术用于其Kirin 9050 Pro。但一位华为科学家表示，EDA工具仍是最大的障碍。原文未说明除该障碍外的其他原因。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
ASUS已在官网上架UGen Arc Pro B70 32 GB显卡，这是该公司首款Intel Arc显卡；其上一款Intel独立显卡是2021年被动散热的Iris Xe DG1-4G，且ASUS未参与Alchemist和Battlemage两代消费级产品。ASUS将该卡归入UGen AI加速器产品线而非ProArt，与公司在CES 2026展示的UGen300 USB AI加速器同属一个家族。ASUS尚未公布价格或发布日期。Intel于3月以949美元发布Arc Pro B70，但目前美国零售价格似乎接近1,300美元。ASUS版采用完整的"Big Battlemage" BMG-G31芯片，配备32个Xe2核心、256个XMX引擎、256-bit位宽的32 GB GDDR6 ECC显存（带宽608 GB/s），加速频率2,800 MHz，最高367 INT8 TOPS，整板功耗290 W（Intel为B70设定的范围为160至290 W，参考默认值为230 W），采用双槽涡轮散热；ASUS称四卡可组合为128 GB显存，据称足以运行最高1,200亿参数的模型。ASUS加入已有自有B70产品的ASRock、Sparkle和Maxsun行列，定价或将决定UGen版本的竞争表现。
英特尔宣布，其即将推出的Razor Lake-AX平台将具备700 TOPS的AI计算能力，性能比当前的Panther Lake移动芯片（180 TOPS）高出3.88倍。
据快科技10月17日消息，日本PC DIY品牌Crowxis（原玄人志向）于10月16日正式发布旗下首批AMD Radeon RX 9000系列显卡，距AMD该系列首发已过去一年半。此次共推出五款型号，覆盖RX 9070 XT、RX 9070 GRE与RX 9060 XT三款GPU：RX 9070 XT 16GB与RX 9070 GRE 12GB采用黑色三风扇设计，卡长289毫米、双槽厚度、双8pin供电；RX 9060 XT为三款双风扇短卡，卡长200毫米、单8pin供电，其中16GB版有黑白双色、出厂Boost频率预设3230MHz（比AMD公版高100MHz），8GB版仅白色、维持公版3130MHz。据Expreview报道，五款显卡均基于撼讯PowerColor游荡者REAPER系列设计，散热器顶部仍保留PowerColor LOGO。散热方面官方称采用日本产双滚珠轴承风扇与环形扇叶，支持智能启停（GPU达60℃转动、降至50℃以下停转）。接口方面，RX 9070系列为三个DisplayPort 2.1a加一个HDMI 2.1b，RX 9060 XT为两个DP加一个HDMI。五款显卡定于10月23日在日本发售，含税预期零售价从64,800日元（约合人民币3045元）到129,800日元（约合人民币6100元）不等，全系两年质保，仅在日本国内市场销售。
PowerColor疑似正在开发一款低profile(半高)版Radeon RX 9050,或将成同类首款。爆料者momomo_us发现了一条PowerColor"RX9050 8GB LP"的listing,LP标签指向面向小机箱PC和HTPC的半高设计,但除此之外该卡再无信息流出:PowerColor尚未官宣,规格、频率、价格和上市时间均未知。作为参考,RX 9050于7月底发布,配备16个RDNA 4计算单元、1,024个流处理器、最高2.6 GHz加速频率、128-bit总线上的8 GB GDDR6,以及92 W典型板卡功耗;4 GB版本仅供OEM,8 GB型号才是多数消费者实际可购买的版本。92 W略高于PCIe插槽可提供的75 W,而PowerColor现有Reaper RX 9050为200 mm双槽卡并带单个8-pin外接供电,因此LP型号须在外接供电与削减功耗限制和频率之间做出选择,目前尚不清楚PowerColor将走哪条路线。低profile RDNA 4卡此前较为罕见,Vastarmor在CES上展出的LP RX 9060 XT是为数不多的例子之一。RX 9050首发价279美元,且仅在亚太、日本和拉丁美洲发售,LP型号可能延续类似的区域上市策略。
据10月16日消息，韩国固态硬盘主控与方案企业 FADU 在 2026 OCP 全球峰会上发布了世界首款 FS-SSD（文件语义固态硬盘）。FS-SSD 内置文件处理固件，配套嵌入文件请求的 NVMe 命令，使 SSD 能理解和管理文件、可直接同加速器通信，略过 CPU、内存和软件层；传统结构中加速器访问存储文件需经 CPU 中介，带来更高延迟和 CPU 负载。FADU 计划将 FS-SSD 发展成为基于 DPU 的无主机存储服务器和可扩展文件存储解决方案（该计划为规划，尚未实现）。FADU 此次还展示了其 PCIe Gen6 SSD 主控 FC6161 "Sierra"，其性能达到上代产品的 2.5 倍；整盘顺序写入功耗＜28W，空载功耗＜5W；主控读取功耗＜6W、写入功耗＜7W。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
俄罗斯芯片制造商在2026年10月11日的Microelectronics 26（ME26）论坛上展示了国产RISC-V和Arm芯片，以复古游戏作为演示点，包括基于Baikal Electronics BE-U1000微控制器的NES克隆、Elvis Hypercom-U SoC以及MCST的Elbrus-based PC。文章于2026年10月15日发布。来源未说明原因。事件状态为观察到的演示。
Semiconductor Engineering发布一篇技术文章，题为《Beyond The Specification: What Really Determines PCIe Retimer Reach?》。文章指出，决定PCIe Retimer传输距离的是多种相互作用的因素，涵盖硅片设计、控制器智能、通道质量以及传输介质本身。文章为技术背景内容，未报道任何价格变动、产能变化、政策、停产、并购或库存事件，也未说明任何具体厂商、产品型号、数据或原因。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
据媒体当地时间10月13日报道，强厄尔尼诺事件预计将令亚洲今冬气温普遍偏暖，有望抑制能源需求，在一定程度上缓解美伊战事造成的能源紧张；主要季节性天气模型显示，日本、韩国、中国部分地区、越南、泰国和印度今冬气温普遍偏高，这些国家和地区都需要依靠LNG满足部分能源需求。战事已大幅削减中东LNG供应，并将现货价格推升至2022年末以来的最高水平；战前全球约五分之一的LNG供应需经霍尔木兹海峡运输。截至发稿，普氏日韩LNG（JKM）期货近月合约涨超0.4%，报26美元/百万英热单位附近。世界气象组织10月8日警告称，本轮厄尔尼诺预计将进一步增强，并持续至2027年初；报道还提到，今年11月至明年2月亚洲对LNG和煤炭的需求有望减少，但若极地涡旋出现异动仍可能出现短暂寒潮。伯恩斯坦9月下旬在研报中指出，即便本轮厄尔尼诺成为有记录以来最强之一，亚洲LNG每日进口降幅也可能不足10亿立方英尺，约占全球LNG进口总量的1%，仍处于正常年度波动范围内；以日本为例测算，超强厄尔尼诺情景下日本冬季采暖度日数将下降19%，但LNG消费量仅下降2%，原因是LNG消费中有很大一部分属于对天气不敏感的基础需求；该行认为库存水平、燃料替代的性价比、LNG价格、煤炭市场供需以及供应中断等因素对需求的影响可能比气温变化更大。另有分析指出，东北亚冬季转暖或拖累日韩LNG需求，但东南亚更热更干的天气可能推高燃气发电需求，部分抵消这一影响。总体来看，暖冬或能减轻亚洲能源市场部分压力，但在中东供应全面恢复之前，LNG市场供需偏紧的格局恐难根本改变。