GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。
TrendForce最新报告《2027红外感测与光通讯市场趋势》显示，数据中心网络扩张带来的数据传输需求快速增长，提升了业界对基于VCSEL的近封装光学(NPO)技术的兴趣。该技术因低功耗、易于维护和成熟的供应链而受到青睐。Lumentum、古河电工、Coherent、博通、ams OSRAM和海思等六家领先光元件厂商正在该领域投入大量研发资源。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
背景性文章（系列上篇）回顾台积电成功的渊源：其现代成功可追溯至美国国防高级研究计划局（DARPA）发出的一项公开征集，寻求能够突破25nm物理极限的创新设计。时任加州大学伯克利分校教授的胡正明（Chenming (Calvin) Hu）是响应者之一，他后来于2001年成为台积电首任首席技术官。文章未涉及任何价格、产能、库存或供需现状信息，原文未说明原因（无具体事件原因）。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
10月19日，国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华在国新办新闻发布会上表示，前三季度“人工智能+”行动有力带动了新兴领域的投资和出口，原文将此归因于人工智能的应用拓展及“两新”政策支持。前三季度电子电路制造业、集成电路制造业、信息服务业投资分别增长了58.7%、14.2%和20.2%；在“两新”政策支持下，企业加快智能化改造，带动设备购置投资增长9.7%。出口方面，前三季度我国电子元件、电线电缆等产品的出口分别增长70%和25.3%。
AUO 正在扩大其 AI 相关业务，包括增强现实（AR）眼镜、低地球轨道（LEO）卫星天线、光通信和先进半导体封装。公司已获得董事会批准，计划在 2026 年投资新台币 24 亿元（美元 7.3992 亿），此为规划中的投资。
据快科技10月19日援引IDC最新报告，2026年上半年中国数据中心AI芯片市场中，英伟达以34%份额居第一，但出货量仅67.8万颗，同比大幅下降44%；华为昇腾以57.2万颗出货量拿下28%份额，两者差距收窄至仅6个百分点。原文将英伟达份额下滑的直接原因归为美国出口管制持续收紧：其最先进的Blackwell架构芯片无法进入中国市场，获准出口的H200芯片收入占其数据中心业务总营收不足1%；黄仁勋曾多次批评该政策，称500亿美元的中国AI芯片市场正被迫让给华为。其他厂商方面，阿里平头哥以7%份额位居第三，寒武纪、昆仑芯、海光信息分别占5%、4%和3%；IDC追踪的11家中国芯片厂商中有9家上半年出货量同比增长。非GPU加速器出货量达101.6万颗，同比增长近80%，首次超越GPU的99.1万颗；华为、平头哥、昆仑芯与寒武纪合计占非GPU市场的95%，政府机构、互联网公司及电信运营商是主要采用方。IDC指出竞争焦点正从单颗芯片性能转向系统整体能力。摩根士丹利预计（预测，非实际结果）中国AI芯片自给率将从2025年的35%提升至2026年的45%，2027年有望跃升至68%。
人工智能数据中心的扩建正在加剧全球对电力的争夺，云服务商日益将能否快速获得电力置于成本和脱碳考量之上。由于电网难以跟上计算增长的速度，各公司正在考虑采用现场发电、电池和直流系统以加快部署，同时兼顾排放管理和能效。原文未说明具体涉及的公司、元件或价格变化。
字节跳动旗下AI研究部门Seed已成立Alignment & Preparedness部门，并在北京、上海及加州圣何塞招聘10名研究人员，研究方向为先进模型安全、AI对齐及新兴风险。原文未说明除战略考量外的具体原因；该举措凸显随着竞争从模型能力、算力和产品应用扩展到治理与可靠的大规模部署，AI安全的重要性日益上升。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |