CXMT计划于2026年底前推出DDR5 RDIMM，并披露4F² DRAM架构进展
中国DRAM厂商CXMT披露了其4F² DRAM架构的进展，并计划在2026年底之前推出DDR5寄存式双列直插内存模组（RDIMMs），这使外界再次关注该国下一代内存技术的发展。原文未说明原因。该计划为规划状态，未报道已实现量产或出货。
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中国DRAM厂商CXMT披露了其4F² DRAM架构的进展，并计划在2026年底之前推出DDR5寄存式双列直插内存模组（RDIMMs），这使外界再次关注该国下一代内存技术的发展。原文未说明原因。该计划为规划状态，未报道已实现量产或出货。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
中国的杨江存储技术（YMTC）正在开发下一代 4F² DRAM 设计，目标数据传输速率为 9,600 MT/s，扩展 beyond NAND flash，并追求约 330 亿元人民币（约 49.3 亿美元）上海首次公开发行。
据报道，三星电子已完成下一代4F² DRAM技术的开发，并正根据客户需求推进商业化安排。与此同时，中国长鑫存储（CXMT）计划在2026年底前推出采用该架构的服务器内存。两家公司的竞争时间线引发了关于中国存储行业是否正在缩小与韩国制造商技术差距的疑问。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
中国长鑫存储（CXMT）计划在2026年底前推出基于其全新4F² DRAM架构的DDR5寄存式内存模组（RDIMM），以提升内存密度并竞争价值更高的服务器市场。该事件为计划状态，尚未实现。
据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |