英特尔宣称其为业内唯一可规模供应12英寸InP硅光子晶圆的高产量代工厂,共封装光学临近部署
英特尔在2026年开放计算项目(OCP)全球峰会上宣称,其代工业务是行业内唯一能够规模化向业界提供12英寸磷化铟(InP)硅光子(SiPh)晶圆的高产量代工厂,并称自己是AI数据中心光学器件光源的供应商。该说法为英特尔一方的宣称,文中未附独立验证;同期共封装光学(CPO)临近部署。
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英特尔在2026年开放计算项目(OCP)全球峰会上宣称,其代工业务是行业内唯一能够规模化向业界提供12英寸磷化铟(InP)硅光子(SiPh)晶圆的高产量代工厂,并称自己是AI数据中心光学器件光源的供应商。该说法为英特尔一方的宣称,文中未附独立验证;同期共封装光学(CPO)临近部署。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
台湾亚芯(TASC)受惠于感测芯片的季节性需求以及美国和欧洲主要品牌的新款可穿戴设备发布。AI服务器扩张也提升了其被动元件与保护元件的订单。该公司的磷化铟(InP)光通信芯片已进入客户验证阶段。TASC对2027年保持谨慎乐观。原标题另指出其血糖传感器接近量产。
云南锗业在回答投资者提问时表示，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的磷化铟晶片（衬底）已批量生产多年，并保持稳定供货；当前磷化铟晶片市场需求旺盛，公司在手订单充足，订单规格涵盖2—6英寸，客户涵盖国内外下游知名厂商。
Keysight Technologies、格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）与MPI Corporation共同开发了一种针对下一代亚太赫兹（sub-THz）半导体器件的宽带表征新方法。四家机构联合演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管（InP HEMT）从近DC到250 GHz的单次扫频连续在片表征，简化了先进半导体研究与设计中的宽带测量。该方案整合了Keysight的PNA-X矢量网络分析仪、单次扫频250 GHz频率扩展器和精密源/测量单元（SMU）、格拉斯哥大学的InP HEMT器件与在片校准标准件、MPI Corporation的宽带在片探针技术与校准软件，以及NPL的高频计量与校准方法，实现了单次探针触点下从近DC到250 GHz的连续测量，免去了多次更换设置的需求，并通过内置源滤波与宽带源功率校准保障探针尖处毫米波信号的纯度。这是测量技术层面的合作演示，属于研究与设计背景信息，与价格、产能或政策无关。
光智科技在互动平台表示，其磷化铟衬底业务下游客户为国内外光通信芯片及器件厂商，截至目前已实现批量交付；国内客户覆盖头部光芯片企业，海外已向光通信龙头批量出货，其中6英寸磷化铟衬底已获得某全球头部客户订单。
AXT任命前董事Leonard J. Leblanc填补董事会空缺，任期至2027年7月。此次任命是因原董事Christine Russell去世而进行的常规人事变动。
董事会人事变动不直接影响GaAs/InP衬底供应、产能或交易价格。
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