AI数据中心增长，SiC和GaN需求看涨
ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
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SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
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ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
推理占大多数数据中心AI工作负载，但与训练不同，它需要低延迟和可预测性。现有训练芯片侧重于峰值FLOPS，可能无法满足推理的严格限制。
这种转变凸显了对专门为推理设计的芯片的需求。
2025年全球全自动分配器设备市场规模达64.66亿元，中国市场规模为17.38亿元。报告预测2032年全球市场容量将增至82.3亿元。
市场整体扩张，无具体供应短缺或价格波动。
SK海力士提出构建下一代AI内存生态愿景。随着AI从训练转向推理，数据移动效率成为瓶颈，架构正从处理器中心向内存中心转变。
该战略定位强化了HBM及高速内存在AI基础设施中的核心地位，长期需求前景向好。
iPhone 18 Pro系列开售7天国内销量达130万台，约为iPhone 17 Pro系列的115%。该数据表明消费者对搭载2纳米A20 Pro芯片的高端机型需求强劲。
强劲的终端需求有望支撑移动AP芯片价格及库存健康度。
伯恩斯坦维持澜起科技“跑赢大市”评级，H股目标价上调至520港元。报告指出AI应用正从单轮问答转向持续执行任务的智能体模式，带动服务器CPU、内存配置及高速接口芯片需求提升。
澜起科技，受益于MRDIMM升级和CXL内存扩展两条主线。
TrendForce预测AI服务器将占全球数据中心电力需求的33.4%（2026年）。随着算力需求激增，这一比例预计到2030年将超过53%。
电网限制可能阻碍AI算力扩张。
报告预测2025年至2032年全球及中国研发用真空沉积设备市场规模将扩大。分析涵盖溅射机、蒸发机等细分市场及Veeco、Applied Materials等主要厂商。该市场分析对当前交易信号影响中性。
台湾光通信供应链需求从可插拔收发器扩展至CW激光器、FAU及CPO，传输速率迈向3.2T。该趋势标志着AI基础设施周期进入关键阶段。
未来高端光模块及激光器供应趋紧。
Raser Technologies营收超10亿美元，转型AI GPU基础设施。公司起源于地热能源，经历破产重组，现专注于AI算力集群。
Anthropic内部Labs团队采用高淘汰率策略，约70%至80%项目被砍，仅20%至30%成功。该机制加速了Claude Code等产品孵化，支撑公司IPO筹备及产品版图扩张。
TrendForce数据显示，2026年第二季度全球智能手机产量为2.75亿台，同比下降8%。该降幅小于此前预测，表明终端需求表现优于市场悲观预期。
产量下滑将压制芯片需求端，导致相关半导体产品价格承压下行。
DIGITIMES分析师Luke Lin指出混合键合技术将在2026年台湾半导体展上备受关注，并成为2027至2028年先进封装产能扩张的关键驱动力。随着SoIC、CoWoS、HBM5及EMIB-T等技术的演进，行业正聚焦于下一代封装工艺。
先进封装产能规划变化，长期可能影响相关芯片供应格局。
中芯国际（CXMT）涉嫌通过“合肥项目”窃取三星620步DRAM工艺配方，以此建立10%全球市场份额。该计划涉及挖角三星工程师及2016年至2018年的生产时间表，韩国法院已对此展开调查。
此案件揭示了供应链知识产权风险，并可能影响DRAM市场的竞争格局与产能分布。
CXMT Q2 DRAM份额达10%，同比增150%。尽管受制于先进工具，仍逆势扩张。
产能扩张预期增强，加剧供需失衡。
中国设备厂商在CSEAC 2026展示蚀刻薄膜等深水技术突破。行业正从成熟节点进口替代转向先进封装等深水区。
国产设备厂商技术迭代及供应链自主化进程。
中信证券测算2026年全球光模块模拟芯片需求超100亿元，国内龙头公司相关业务快速放量。受益于AI算力旺盛及速率升级，海外厂商指引积极，国产替代加速推进。
预示相关模拟芯片需求强劲增长及业绩提升。
2025年中国氦气回收设备市场销量预计约500套，平均售价30万美元。受氦气价格高企及供应不稳定驱动，下游半导体及科研机构加速部署回收系统。
市场处于成长期，但前期资本支出高制约普及，对短期供需无直接冲击。
2025年中国陶瓷加热器市场规模达亿元，预计2032年全球市场规模将达亿元。报告分析了行业竞争格局，涵盖BACH、NGK等主要厂商及氧化铝、氮化铝等细分类型。
长期需求增长预期支撑行业扩产，关注细分材料（AlN/Si3N4）技术壁垒。