TrendForce预测2026年DRAM市场规模将达6187亿美元(同比增303%),NAND闪存达2706亿美元(同比增281%)。AI重心转向推理驱动,叠加HBM产能挤占传统供给及云服务商资本支出提速。利多:供给缺口难弥合,价格上行动能将延续至2027年。
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TrendForce预测2026年DRAM市场规模将达6187亿美元(同比增303%),NAND闪存达2706亿美元(同比增281%)。AI重心转向推理驱动,叠加HBM产能挤占传统供给及云服务商资本支出提速。利多:供给缺口难弥合,价格上行动能将延续至2027年。
格芯获得15.75亿美元CHIPS法案资金,2025年营收达67.9亿美元,同比增长1%,其中汽车业务增长17%。公司专注特种工艺,包括22FDX和45RFSOI。利多。资金注入与汽车需求增长支撑其特种工艺产能利用率,但营收增速平缓显示成熟制程市场竞争激烈。
Intel CEO指出AI CPU需架构变革,转向专用硅芯片并优化内存以解决瓶颈。Intel股价一年涨超五倍,但CEO认为若两三年内无AI专用CPU落地,将错失AI热潮。关注:目前仅为战略意向,缺乏具体落地指标,对现货价格无直接影响。
Anthropic预计Q2营收109亿美元并实现运营利润,DeepSeek将API折扣永久化至每百万token 0.435美元。高价值token能赚钱,低成本token能放量,推动算力需求超过供给。利多。算力、电力和存储仍处于紧绷状态,利好上游芯片和基础设施。
台积电2026年资本开支预计达470亿美元,AI算力需求指数级增长。摩尔定律放缓推动产业转向系统级创新与国产替代。利多AI芯片及国产设备材料板块。
中国信通院启动DeepSeek V4国产化适配测试,覆盖芯片至平台全栈,新增多项专项评测指标。此举旨在验证国产AI软硬件协同水平,加速自主生态构建。中性:事件标志国产AI算力需求进入验证阶段,但对现有组件价格无直接、即时影响。
Omdia将2026年半导体营收增长预期上调至62.7%,主要受DRAM和NAND需求激增驱动。预计存储芯片需求强劲,价格有望企稳或上涨。
DeepSeek V4模型宣布原生适配华为升腾芯片,标志着中国AI生态向本土硬件优化。此举验证了华为AI芯片平台,可能重塑AI算力需求格局。关注:长期利好华为升腾芯片需求,对英伟达在华数据中心GPU销售构成潜在竞争压力。
DeepSeek-V4发布并与华为昇腾等国产芯片深度适配,引发A/H股算力芯片及代工厂股价集体飙升。全球CPU价格Q1上涨5%-20%,英特尔/AMD财报超预期,共同印证AI算力需求强劲。利多:国产AI算力形成'芯片-模型-应用'闭环,将结构性提升对国产AI芯片、代工(中芯国际/华虹半导体产能利用率超100%)及存储/光模块等配套环节的长期需求。
报道称中国新建存储晶圆厂超50%设备或来自本土供应商,涵盖3D NAND垂直堆叠等关键环节。中微公司蚀刻及钨CVD设备已获批量订单,2025年营收同比增长36.6%至123.8亿元。利多:国内存储扩产周期叠加设备国产化加速,直接利好本土设备商订单与业绩。
长鑫科技与长江存储正冲刺IPO并大规模扩产,TrendForce预计Q2 DRAM与NAND闪存合约价将分别季增58-63%与70-75%。此轮短缺由AI服务器挤占HBM产能、国际巨头削减消费级产品供应所致。利多:供需缺口持续至2027年,国产厂商填补供应真空并带动本土设备链替代,支撑存储芯片价格上行与份额提升。
2025年半导体设备商营收同比增长12%至1430亿美元,主要由AI基础设施对先进逻辑、HBM及先进封装工具的需求驱动。代工-逻辑营收增长8%,内存营收全年增长16%,HBM4架构转向逻辑工艺将提升每片晶圆的工艺步骤与设备需求。利多:AI驱动的先进节点与HBM产能持续扩张,预示设备需求强劲,供应格局趋紧。
Lexar报告显示,PC玩家优先考虑SSD容量,拒绝购买低于512GB的SSD,而高DRAM价格迫使他们考虑更小的内存套件。现代游戏占用数百GB空间,导致SSD容量需求刚性,而DRAM需求则对价格更敏感。利多:消费者对SSD大容量的刚性偏好支撑NAND需求,DRAM需求则受价格波动影响更大。
Gartner预计2026年全球半导体收入将超1.3万亿美元,主要由AI需求及存储芯片价格飙升驱动。报告预测2026年DRAM和NAND闪存价格将分别上涨125%和234%,实质性价格缓解预计要到2027年末。利多:对存储芯片价格的极端看涨预测,将加剧供应紧张并压制非AI领域需求。
慧荣科技总裁预计,受云服务商和中国互联网公司需求推动,存储芯片供需缺口将在2027年扩大。行业产能2026年仅增长15-25%,新产线最早于2027年下半年才能略微缓解压力。利多:结构性供应紧张将持续,支撑价格上行预期。
Gartner预测2026年全球半导体收入将增长64%,其中内存收入预计增长两倍,DRAM与NAND闪存年价格将分别上涨125%和234%。增长由数据中心网络、AI基础设施投资及内存价格通胀驱动,非AI需求将因此被挤压或延迟。利多:研报明确预测2026年内存价格将大幅上涨且供应持续紧张,为交易提供明确的价格上行信号。
中国固态硬盘制造商大普微电子报告北美及中国云服务提供商对QLC SSD需求上升,其245TB产品已进入客户送样阶段。需求增长由AI基础设施扩张驱动。利多: 长期看可能增加对QLC NAND Flash的需求,但属于远期市场趋势,对当前现货价格无直接、可量化影响。
SEMI预计全球300mm晶圆厂设备支出将在2026年增长18%至1330亿美元,2027年再增14%至1510亿美元。增长由AI芯片需求及主要地区供应链本土化驱动。利多:持续高额资本支出预示先进逻辑与存储芯片的长期需求强劲,利好上游设备及材料供应商。
AI数据中心需求收紧NAND供应,原厂正淘汰低容量旧制程,推高存储价格。泰胜威表示千元以下机型毛利承压,但已与头部手机品牌建立合作。利多:AI需求持续且供应向先进节点集中,对NAND价格构成支撑。
联电、世界先进、力积电及中国晶合集成等四大成熟制程晶圆厂计划最早于4月提价,涨幅或达10%以上。然而,客户库存高企及中国大陆供应商的激烈价格竞争持续压制议价能力。关注:计划中的提价信号与持续的供应过剩及竞争压力并存,价格方向不明。