SiC MOSFET年增21.5%，xEV功率器件2031年达145亿
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
利多
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
- 相关厂商
- Yole、Bosch、Renesas、Rohm
- 影响评分
- 85 / 100，高影响
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
TrendForce数据显示，2026年Q1全球牵引逆变器装机量同比增长1.9%，800V平台装机量激增21%。这一增长主要由高压架构普及及SiC逆变器渗透率提升驱动。
需求韧性支撑SiC及高压逆变器供应链前景。
报告涵盖2025年中国及全球氮化镓器件市场规模、价格趋势及品牌占比。细分领域包括射频、光半导体及功率半导体，应用涵盖照明、驱动器及逆变器。主要企业包括Nichia、Infineon等。
IDTechEx预测，到2036年，SiC MOSFETs将成为电动汽车功率电子应用的主流技术。这一转变由电动汽车、AI数据中心和可再生能源对更高效率和功率密度的需求驱动。
SiC和GaN采用加速预计将推动未来十年的需求增长。
SNS Insider报告预测，电流传感器市场规模将从2025年的30.3亿美元增至2035年的79.6亿美元，年复合增长率为10.14%。增长主要由电动汽车和可再生能源基础设施的电气化趋势驱动。
/利多/关注：此为长期市场分析报告，未提供影响短期交易的价格、短缺或产能变动具体数据，对即时交易决策无直接影响。
百谏方略（DIResearch）预测2026年全球汽车SiC功率模块市场规模将达35.20亿美元，2033年增至109.56亿美元，年均复合增长率17.61%。该模块是新能源汽车电控系统的核心。
需求端增长预期强劲。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |