英伟达Rubin Ultra HBM层数或砍半
英伟达下一代Rubin Ultra的HBM层数或从16层砍至8层,同时HBF闪存凭借低成本高容量优势试图分食市场。文章指出受限于工艺良率和散热,单纯堆叠HBM难度增加,而HBF虽延迟高但适合非高频数据。
混合存储架构或成远期解,存力产业链话语权面临重构。
- 相关厂商
- Nvidia、SK Hynix、Samsung、Micron
- 影响评分
- 15 / 100,低影响
英伟达下一代Rubin Ultra的HBM层数或从16层砍至8层,同时HBF闪存凭借低成本高容量优势试图分食市场。文章指出受限于工艺良率和散热,单纯堆叠HBM难度增加,而HBF虽延迟高但适合非高频数据。
混合存储架构或成远期解,存力产业链话语权面临重构。
Marvell高管指出,推理模型驱动KV缓存需求在过去九个月内增长约10倍,铜连接已逼近性能极限。随着数据中心规模突破物理限制,单机架内存无法满足需求,算力扩张正从单纯芯片竞争转向互连与内存的系统级博弈。
光学互连、定制化SerDes及内存扩展技术成为下一阶段算力扩张核心变量,相关供应商将持续受益。
文章指出AI算力过剩而高质量数据稀缺。随着大模型训练需求激增,数据获取成为制约行业发展的核心因素。
算力芯片短期需求预期降温,关注数据存储与清洗产业链。
TrendForce预测推理需求将推升SSD POD与HBF。HBM主导了训练时代,但推理需求更多元化。
存储需求结构发生重大转变。
慧荣科技总裁预计,受云服务商和中国互联网公司需求推动,存储芯片供需缺口将在2027年扩大。行业产能2026年仅增长15-25%,新产线最早于2027年下半年才能略微缓解压力。
结构性供应紧张将持续,支撑价格上行预期。
SK海力士对长期供应协议采取谨慎态度,选择性签约以优先保障利润和战略客户关系。此举源于AI需求推动内存价格走高,使供应商在定价上占据主动,公司预计今年HBM、AI DRAM和NAND市场将分别增长92%、60%和130%。
供应端策略性收缩与需求端强劲增长共同作用,将支撑内存价格高位运行并降低降价风险。
美光CEO预测,随着L4级自动驾驶普及,单车DRAM需求将超300GB,并推动更多SSD应用。美光正筹备首款车规级1γ LPDDR5 DRAM,并评论SK海力士的HBF技术尚处早期。
此为长期需求展望,对当前供应、价格及生产无直接影响。
联发科CEO指出内存占XPU物料清单成本高达50%,是系统性能关键瓶颈。AI推理需求增长预计将推动DDR DRAM在成本敏感场景的应用,而非仅依赖HBM。
该分析揭示了内存成本结构压力及长期需求向特定类型转移的趋势,但无直接价格变动信号。
联发科CEO指出内存是XPU开发瓶颈,目前占物料清单成本50%,并预测AI推理市场将推动DDR DRAM因成本效益获更广泛应用。SK海力士与三星正加速布局AI-N系列及存内计算(PIM)等技术以应对此趋势。
此为技术趋势与成本结构分析,未提供影响短期交易的价格变动或供应中断具体数据。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |