SiC MOSFET年增21.5%，xEV功率器件2031年达145亿
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
利多
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
- 相关厂商
- Yole、Bosch、Renesas、Rohm
- 影响评分
- 85 / 100，高影响
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
IDTechEx预测，到2036年，SiC MOSFETs将成为电动汽车功率电子应用的主流技术。这一转变由电动汽车、AI数据中心和可再生能源对更高效率和功率密度的需求驱动。
SiC和GaN采用加速预计将推动未来十年的需求增长。
报告预计全球车规级碳化硅MOSFET单管市场规模将从2025年的1.7亿美元增至2032年的7.41亿美元，年复合增长率23.8%。该分析覆盖了主要厂商、产品电压等级及下游应用领域。
此为长期市场趋势预测，未提供影响近期交易的具体供需或价格变动信息。
美国三大电网运营商获批750亿美元输电扩容项目，本土变压器产能不足导致交付周期延长至120周以上。英伟达、谷歌、微软等新一代数据中心架构明确采用固态变压器（SST），其核心部件为功率模块与高频变压器。
北美电力基建与数据中心技术迭代，可能长期拉动对IGBT、SiC MOSFET及高频变压器的需求，但对现货价格的直接影响尚未显现。
已经到底了