美光宣布放弃未来4F² DRAM架构，结束二十年研究，称其无显著密度优势、增加制造复杂性与成本且存在根本性扩展限制
美光于2026年10月22日宣布放弃未来的4F² DRAM架构，结束约二十年的研究。公司称该架构没有有意义的密度优势、会增加制造复杂性和成本，并存在根本性的扩展限制；美光CTO Scott DeBoer表示电容器间距而非晶体管标称面积决定DRAM位密度，并称4F²在超过某一点后没有可持续的扩展路径，最终将由3D DRAM取代。美光承认4F²技术上可行且已制造过基于该架构的实验性器件。4F²理论上较6F²减少约33%单元面积、可将每片晶圆的存储单元数量提高50%，但美光认为这些理论优势在实践中不一定转化为更高密度。美光计划继续扩展传统6F² DRAM，通过缩小电容器间距和工艺节点提升位密度，其1δ工艺计划于2027年下半年进入量产，位密度较前代提升mid-20%（20%中段），并计划在未来DRAM世代采用High-NA EUV光刻；公司同时在开发多代3D DRAM生产节点，但未披露何时进入商业生产。据TechInsights，三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²存储单元。
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