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三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。利多：特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。
三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。利多：特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。
LPDDR4LPDDR4XSamsung Electronics铠侠发布停产通知，将于2026年9月停售其32nm及以下2D平面和低于96层的3D NAND产品，并于2028年底停止出货。此举旨在将产能转向162层及以上更高密度NAND，以优化成本效益，行业其他主要供应商此前已完成类似淘汰。利多：老旧制程NAND供应退出，叠加产能转向新节点，将收紧相关存量芯片的供应基础。
铠侠发布停产通知，将于2026年9月停售其32nm及以下2D平面和低于96层的3D NAND产品，并于2028年底停止出货。此举旨在将产能转向162层及以上更高密度NAND，以优化成本效益，行业其他主要供应商此前已完成类似淘汰。利多：老旧制程NAND供应退出，叠加产能转向新节点，将收紧相关存量芯片的供应基础。
NAND FlashKioxia铠侠正式对旗下广泛的SLC与MLC等传统NAND产品发布停产通知，计划于2026年前完成产线淘汰。此举源于全行业向先进3D架构转型及产能分配收紧的战略调整。利多：传统产能退出将收紧特定应用领域的供应，预计将支撑剩余SLC/MLC库存价格，并催生对新型3D NAND的替代需求。
铠侠正式对旗下广泛的SLC与MLC等传统NAND产品发布停产通知，计划于2026年前完成产线淘汰。此举源于全行业向先进3D架构转型及产能分配收紧的战略调整。利多：传统产能退出将收紧特定应用领域的供应，预计将支撑剩余SLC/MLC库存价格，并催生对新型3D NAND的替代需求。
NAND FlashSLC NANDMLC NANDKioxia铠侠宣布停产传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品，最后出货时间为2028年12月31日。行业分析指出，MLC NAND单位价值较低，AI热潮推升高性能TLC/QLC需求，厂商正将资源向高附加值产品倾斜。利多：铠侠退出2D NAND市场将减少低端闪存供应，利好剩余高性能NAND价格。
铠侠宣布停产传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品，最后出货时间为2028年12月31日。行业分析指出，MLC NAND单位价值较低，AI热潮推升高性能TLC/QLC需求，厂商正将资源向高附加值产品倾斜。利多：铠侠退出2D NAND市场将减少低端闪存供应，利好剩余高性能NAND价格。
NAND Flash2D NANDFloating GateKioxia铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品将逐步停产，最后预测订单截止日为2026年9月30日，最终出货日为2028年12月31日。此举是继停产小容量TSOP产品后，对成熟产品线的进一步产能优化。利多：针对特定成熟NAND产品的有序供应削减，将收紧相关细分市场供应，对价格形成支撑。
铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS Flash产品将逐步停产，最后预测订单截止日为2026年9月30日，最终出货日为2028年12月31日。此举是继停产小容量TSOP产品后，对成熟产品线的进一步产能优化。利多：针对特定成熟NAND产品的有序供应削减，将收紧相关细分市场供应，对价格形成支撑。
2D NAND FlashBiCS FlashKioxia Corporation铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS FLASH产品将逐步停产。此前该公司已停产小容量TSOP封装产品，此次为产能进一步向先进节点集中。利多：特定型号NAND供应将长期收缩，可能推高现货价格并引发客户提前备货。
铠侠通知客户，部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS FLASH产品将逐步停产。此前该公司已停产小容量TSOP封装产品，此次为产能进一步向先进节点集中。利多：特定型号NAND供应将长期收缩，可能推高现货价格并引发客户提前备货。
2D NAND FlashBiCS FLASHKioxia CorporationKioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。利多：该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。利多：该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
NAND FlashPlanar NANDeMMCKioxiaKioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。利多。随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。
Kioxia中国发布EOL通知，计划于2028年12月31日停产Floating Gate及第三代BiCS FLASH产品。此举与三星提前停产2D NAND及TrendForce预测2026年MLC NAND产能同比下滑41.7%的趋势一致。利多。随着三星、Kioxia等巨头退出2D NAND市场，MLC NAND供应将大幅收缩，现货价格面临上行压力。
NAND FlashMLC NANDFloating GateKioxiaSamsung Electronics苹果正式停产Mac Pro，终结了20年的塔式电脑历史。该机型售价7000美元，搭载M2 Ultra芯片，因不支持独立显卡和内存扩展而失败。利空Apple Silicon需求，M2 Ultra库存积压风险增加。
苹果正式停产Mac Pro，终结了20年的塔式电脑历史。该机型售价7000美元，搭载M2 Ultra芯片，因不支持独立显卡和内存扩展而失败。利空Apple Silicon需求，M2 Ultra库存积压风险增加。
Apple SiliconM2 UltraMac ProApple铠侠宣布停产8Gb-64Gb容量的TSOP封装MLC NAND闪存。此举主因产能与基材供应受限，厂商正将资源向高附加值TLC/QLC产品倾斜。利多：剩余MLC NAND库存及现货价格预计上涨。
铠侠宣布停产8Gb-64Gb容量的TSOP封装MLC NAND闪存。此举主因产能与基材供应受限，厂商正将资源向高附加值TLC/QLC产品倾斜。利多：剩余MLC NAND库存及现货价格预计上涨。
NAND FlashMLC NANDTSOPKioxia全球NAND闪存制造商转向3D架构，导致传统MLC NAND陷入严重供需失衡并濒临淘汰。随着技术迭代，MLC存储正逐渐被更高层数的3D NAND取代。利空：MLC NAND面临供应枯竭风险，现货价格或持续承压下行。
全球NAND闪存制造商转向3D架构，导致传统MLC NAND陷入严重供需失衡并濒临淘汰。随着技术迭代，MLC存储正逐渐被更高层数的3D NAND取代。利空：MLC NAND面临供应枯竭风险，现货价格或持续承压下行。
MLC NAND FlashNAND Flash Manufacturers铠侠正式通知客户，将全面停产TSOP封装产品，涉及1Gb至64Gb容量的SLC与MLC NAND闪存。停产原因为相关基板生命周期结束、市场需求及生产限制。利多：特定SLC/MLC NAND供应退出，将收紧现货市场供应并推高相关产品价格。
铠侠正式通知客户，将全面停产TSOP封装产品，涉及1Gb至64Gb容量的SLC与MLC NAND闪存。停产原因为相关基板生命周期结束、市场需求及生产限制。利多：特定SLC/MLC NAND供应退出，将收紧现货市场供应并推高相关产品价格。
NAND FlashSLC NANDMLC NANDKioxia铠侠计划逐步停产采用TSOP封装的MLC NAND产品。TSOP是用于USB闪存盘、存储卡等应用的MLC NAND的旧式封装技术。利多：停产计划将削减旧款MLC NAND的供应，可能收紧剩余库存的可用性并支撑其价格。
铠侠计划逐步停产采用TSOP封装的MLC NAND产品。TSOP是用于USB闪存盘、存储卡等应用的MLC NAND的旧式封装技术。利多：停产计划将削减旧款MLC NAND的供应，可能收紧剩余库存的可用性并支撑其价格。
MLC NANDKioxia铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。
铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。
NAND FlashMLC NANDKioxia三星电子正式关闭华城12号产线的2D NAND生产，并将其转为1c DRAM后端产线。此举是内存行业加速向高性能、高利润产品进行结构性转型的一部分，已引发市场囤货和价格持续走强。利多：成熟制程产品供应永久性削减，而产业资源向高端应用倾斜，加剧了特定领域和整体内存市场的供应紧张与成本压力。
三星电子正式关闭华城12号产线的2D NAND生产，并将其转为1c DRAM后端产线。此举是内存行业加速向高性能、高利润产品进行结构性转型的一部分，已引发市场囤货和价格持续走强。利多：成熟制程产品供应永久性削减，而产业资源向高端应用倾斜，加剧了特定领域和整体内存市场的供应紧张与成本压力。
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