SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
三星电子正在开发Exynos 2700，计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用（属于计划，尚未实现）；与此同时，华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出，双方的竞争举措正给三星带来压力，促使三星提升应用处理器（AP）性能、制造良率和成本竞争力，以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
台达电子（Delta Electronics）董事长Ping Cheng于2026年10月15日在2026天下领袖论坛（2026 Global Views Leaders Forum）上表示，世界正在进入电气化时代，AI数据中心与电动车推动电力需求超出可用供给（原文将此作为AI电力缺口的明确原因）。台达计划将其业务重点从电力消费扩展到涵盖发电、输电、配电、储能与用电的一体化微电网架构，并以固体氧化物燃料电池（SOFC）与固态变压器（SST）作为其关键产品。该事项属于公司业务方向扩张计划，原文未说明具体投资金额或时间表。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
微软计划进行多吉瓦特规模的下一代 Azure Maia AI 加速器推出，生产部署计划于 2027 年进行。公司声称，96 颗加速器的配置将提供比其 Maia 200 前身高达七倍的令牌吞吐量，并且每兆瓦提供的令牌数比领先的 GPU 系统多 40%。每颗 Maia 300 加速器将配备八个 HBM4 内存堆栈，峰值内存带宽最高可达 18 TB/秒。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线，目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段，距离投产至少需2-3年。
长期看将加剧NAND Flash市场竞争，但短期内对现货价格影响有限。
恩智浦信息扩充定制化服务，日产能超400台，交付周期7至30天。随着数字化转型推进，工业自动化及公共部门对专用加固计算设备需求增长。
产能扩充通常利空价格，但定制化服务主要针对特定需求，对通用芯片现货市场影响有限。
iPronics完成1.25亿美元B轮融资，NVIDIA参投，旨在加速硅光子电路交换技术的商业化落地。随着AI数据中心对高带宽和能效需求的激增，该轮融资将支持高密度光互连解决方案的产能扩张。
表明硅光子及光交换领域正迎来资本与产能的双重扩张，以应对AI算力网络的爆发式增长。
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
阿里云利用CUBE 5.0架构将AI数据中心建设周期缩至100天，全球模块化产能提升三倍。此举旨在降低超10%的建设成本以应对加速的AI基础设施需求。
产能大幅扩张可能引发短期供过于求风险。
三星德州工厂将量产特斯拉AI5 SoC，采用SF2 2nm工艺。此次合作利用了《芯片法案》资金，是三星在美国的首个大规模先进制程项目。
三星产能利用率及LPDDR5X需求，验证2nm节点良率。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。
垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
三星代工获光模块订单，计划2026年下半年量产；为应对AI数据中心铜缆物理限制，三星加速硅光与CPO布局。
硅光与CPO技术路线确立，产能扩张预期增强。
SpaceX计划自研GPU以应对$1.75万亿IPO，并投入数十亿美元产能。因缺乏长期芯片供应合同，公司寻求通过内部制造降低对外部供应商的依赖。
此举可能重塑AI加速器供应链格局，长期或对现有GPU厂商构成竞争压力。