Polar与imec合作8英寸GaN制造
Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
利空
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
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Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
格隆汇10月9日盘前要点显示：因AI业绩担忧再起，且OpenAI年化营收较之前报道预期少200亿美元，纳指跌超1%，AI板块遭重创，存储、半导体板块领跌；韩股收跌2.62%，SK海力士、三星电子均跌2.4%，韩股周五休市。另有消息称三星手机四季度最高减产30%，该消息为传闻、尚未证实，原文未说明减产原因。此外，格芯与台积电签署20亿美元硅中介层协议；台湾9月进口同比51.7%、出口同比60.9%，双双超预期。
东芝计划投资60亿日元将AI数据中心HDD产能翻倍至2027财年。受AI基础设施需求及SSD短缺驱动，硬盘市场供应紧张。
产能扩张计划预示未来供应增加，可能缓解当前短缺压力。
通泰集团半导体订单翻倍，AI数据中心需求激增。该集团正推进进口替代战略，将机床技术拓展至硬脆材料加工及先进封装领域。
订单翻倍预示产能紧张及供应受限。
马斯克Terafab占地千万平方英尺，将生产逻辑、内存及AI芯片。该设施旨在满足SpaceX和特斯拉1PW算力需求，远超当前全球芯片供应。
马斯克主导的非常规制造路线，长期可能重塑半导体供应链格局。
长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂，产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持，旨在2030年夺取30%市场份额，但受限于先进制程设备获取。
产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩，压制价格。
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。
GaN供应前景。
ROHM半导体与Aixtron合作，在浜松工厂导入G10-GaN MOCVD系统量产8英寸GaN外延片。此举旨在建立自有的GaN外延产线，覆盖650V和100V功率器件平台。
ROHM GaN功率器件供应链稳定性提升及长期产能释放对市场的影响。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。
垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
Cirrascale CEO David Driggers指出，传统数据中心规划在AI大规模部署中失效，需转向液冷。随着单机柜功率密度激增至50至400千瓦，传统风冷已无法满足需求。
液冷散热与高功率电源供应商，AI基础设施建设进入系统化攻坚阶段。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。
巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
SpaceX计划自研GPU以应对$1.75万亿IPO，并投入数十亿美元产能。因缺乏长期芯片供应合同，公司寻求通过内部制造降低对外部供应商的依赖。
此举可能重塑AI加速器供应链格局，长期或对现有GPU厂商构成竞争压力。
台积电宣布在台南（2027H1）、亚利桑那（2027H2）和日本（2028年）扩建3纳米产能，并计划将部分5纳米产能转向3纳米。此举基于3纳米节点的高利润率（超60%）及在代工市场的绝对主导地位。
新增产能集中于2027年后，属长期结构性扩产，对当前现货市场无直接影响。
马斯克的Terafab项目正以‘光速’向应用材料、东京电子等设备供应商询价，并要求快速交付，据报愿支付溢价。此举源于项目已获200亿美元注资，旨在解决其公司芯片产能瓶颈。
一个资金雄厚的新买家入场，其加急采购和溢价意愿将推高设备需求，可能加剧供应紧张。
IVWorks获6亿韩元Pre-IPO融资，推进8英寸GaN-on-SiC量产。公司通过技术轨道上市申请，并已锁定12英寸设备以应对未来需求。
产能扩张计划虽利好长期供应，但短期对现货价格影响中性。
三星8英寸GaN产线已就绪，目标2026年第二季度量产，并计划今年晚些时候推出SiC代工线。此举是三星扩大在下一代功率半导体领域布局的一部分。
GaN与SiC产能的远期扩张计划，为相关功率芯片的长期供应增加压力。
三星首条8英寸GaN产线预计2026年Q2量产，初始营收预计低于1万亿韩元。公司已投资约1000-2000亿韩元购置设备，并计划年内启动SiC产线。
新增产能属远期供给，且已延迟、初期规模有限，对当前交易价格无直接影响。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
三星电子计划最早于第二季度开始其氮化镓功率半导体代工产线的量产，并准备在今年晚些时候生产碳化硅样品。此举标志着三星正式进入高增长的宽禁带功率半导体代工市场。
氮化镓及未来碳化硅代工产能的增加，可能对相关功率半导体中期价格构成下行压力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |