在中国／新加坡增产面向先进半导体的封止材
报道称将在日本以外的中国和新加坡增产面向先进半导体的封止材（封装材料），属于计划性扩产。正文因字符编码损坏大部分无法解读，但可辨识出涉及MUF用材料提高至2倍、另一材料提高至3倍的表述；具体公司、时间表和原因正文未明确，原文未说明原因。
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报道称将在日本以外的中国和新加坡增产面向先进半导体的封止材（封装材料），属于计划性扩产。正文因字符编码损坏大部分无法解读，但可辨识出涉及MUF用材料提高至2倍、另一材料提高至3倍的表述；具体公司、时间表和原因正文未明确，原文未说明原因。
ASML未发布任何公告，但专利、供应链报道与其自身路线图三方面证据指向其正在开发芯片对晶圆（D2W）混合键合设备；据文中所述，其量产不早于2030年，2027年市场竞争者为Besi、韩华、SEMES与中国设备商。文中称ASML入局的影响在于把混合键合从后道设备重新定义为前道设备，并以此解释Besi股价三个月回撤46.8%，称市场调整的是估值框架而非当期业绩。另提及国内受益顺序为减薄/CMP→临时键合解键合→混合键合本体→材料，且混合键合设备本身的国产化率仍不足5%。
因全球对AI基础设施硬件的强劲需求，买方正通过预付款和长期合同锁定产能，推动台湾半导体、封装测试、存储器、基板及设备供应链积极扩产。台湾民间投资预计于2026年达到创纪录的6.9539万亿新台币（约合2154亿美元），企业将兴建厂房、采购设备、进口原材料并招聘员工以满足客户需求。该数字为预测值而非已实现结果，原文未说明价格影响。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
October 15, 2026, Dutch specialty foundry XIVER has acquired an ASML PAS 5500 DUV lithography tool for its Eindhoven foundry, with the tool expected to be operational in 2027. The DUV stepper will complement XIVER’s existing i-line lithography equipment, enabling finer and more precisely aligned structures, including double-sided wafer patterning and sub‑micron 3D micromachining. XIVER says it will be the only mid‑size pure‑play foundry offering in‑house DUV lithography. 原文未说明原因。XIVER was carved out of Philips at the High Tech Campus in Eindhoven and acquired by Dutch investors in early 2025. Since then, it has been expanding its manufacturing capabilities in line with its customers’ roadmaps and expected capacity needs.
据报道，SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排，希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提；此安排尚需美国批准，尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地，该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品，现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成，但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装，仍有扩产空余空间；SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置，设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称，增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应；新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资，路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂，纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性，募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示，随着AI数据中心需求激增、供应趋紧，NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因；公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
化工溶剂经销商Yuan Jen Enterprises正积极扩展其电子材料业务。公司董事长Yuan-Jen Hsu表示，公司于2025年9月成立了专门的电子材料事业部(Electronic Materials Division),聚焦半导体周边材料。除现有的电子级双氧水(hydrogen peroxide)、电子级异丙醇(IPA)和丙酮(acetone)产品组合外，公司正积极寻求下一代半导体材料的机会，并将先进封装与特种线材材料作为主要增长方向。原文未说明任何已落地的产能或投资项目细节，该业务扩展属于公司的计划/目标。
应用材料（Applied Materials）在过去两个季度内跟踪了全球超过100个晶圆制造项目，因强劲的人工智能需求持续遭遇洁净室建设和供应链产能方面的限制。该公司在每个季度新增超过10个项目，表明全球晶圆厂开发及未来洁净室可用性仍在扩张。原文以洁净室建设与供应链产能限制作为核心约束原因。
应用材料（Applied Materials）表示将增加在研发、制造及全球供应链方面的投资，以在2030年前争取更大的市场份额和盈利能力。该公司预计，先进逻辑、DRAM和先进封装将在2025年至2030年间贡献约75%的晶圆制造设备（WFE）市场增长。到2030年，公司目标为额外获得超过2个百分点的WFE市场份额，以及约54%的非GAAP毛利率和约40%的非GAAP营业利润率。以上均为公司目标与预期，而非已实现结果。
Fujifilm正在美国亚利桑那州扩建半导体材料产能，原文给出的原因是全球芯片需求上升，尤其是人工智能、先进逻辑和存储领域。该举措旨在加强面向美国及其他地区制造商的供应，同时支持新型封装技术并加快全球商业化进程。原文未给出扩建的具体规模、金额或时间表，此次扩建属于计划中的产能扩张。
据2026年10月14日报道，Kontron已开始在位于美国阿拉巴马州亨茨维尔的子公司Nextek生产其加固型VX307H计算板，同时该产品从按订单生产转向按库存生产，以缩短对美国防务客户的交货时间。VX307H是Kontron在美国扩大VPX制造的首个产品，VX3060和VX30101计划随后跟进。Nextek负责从PCB组装到最终组装和测试的完整生产链，该设施通过AS9100和ISO 9001认证，已注册ITAR并遵循IPC工艺标准。公司发言人表示，防务客户要求更强的供应链韧性、更快的可用性和更近的支持渠道，将VX307H生产带到美国正是为满足这些需求。VX307H为基于Intel Xeon D-2700/2800处理器的3U VPX平台，符合SOSA标准设计。
TOK公司10月8日宣布在福岛县小郡山工厂新建设施并计划进一步扩建，以增加光刻胶产能。此次扩产主要受AI芯片需求激增驱动，旨在巩固其在全球半导体材料市场的地位。
光刻胶产能增加将缓解供应紧张局面，对现货价格构成下行压力。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
台湾《经济日报》引述业界消息称，苹果、英伟达、AMD和高通等客户近期追加预订台积电2纳米家族产能，订单规模增加约10%至20%，报道据此估计台积电2026年底2纳米月产能可能升至12万片，高于此前市场预估的9万至10万片。此前市场对台积电2027年2纳米月产能的预测区间约为11万至14万片；若年底12万片的估算成真，意味着可能比原先预期更早触及该区间低端，但不能据此推断14万片上限也会提前实现。上述数字来自媒体引述的业界估算和匿名消息，并非台积电正式公布的产能承诺，月产能为名义生产能力，不等同于实际晶圆出货量或可用芯片数量。台积电官方资料确认N2制程已于2025年第四季度按计划进入量产，采用第一代纳米片晶体管技术，衍生工艺N2P计划于2026年下半年量产；公司尚未在官网披露N2月产能达到12万片的消息。台积电今年北美技术论坛据报提到2026年将有五座N2厂进入产能爬坡阶段（新竹两座、高雄三座），N2首年晶圆产出预计较N3首年高45%，2026至2028年N2产能年复合增长率目标约70%。需求增长与人工智能及高性能计算芯片扩张有关；美国银行分析师另估台积电2纳米制程营收占比可能从第二季度约3%上升至第三季度11%，同样为分析师预测而非公司实际结果。爬坡过程仍受制于设备安装、工艺良率和客户产品设计周期。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
村田制作所旗下子公司冈山村田制作所计划投资约90亿日元，新增产线以扩产MLCC等电子零件用陶瓷原料。新产线预计2026年10月动工，2028年4月投产，本次扩产新增产能规模暂未披露。该扩产目前为计划状态，尚未动工或投产。
豫光金铅宣布半导体光电新材料科创产业化基地项目目前处于前期筹备阶段。该项目旨在拓展半导体新材料业务，未来可能增加相关材料供应。
产能扩张计划可能对相关材料价格产生下行压力。
台湾混凝土厂商Goldsun获半导体项目订单，苗栗厂产能利用率提升。政府硅谷计划带动工厂建设需求，显示晶圆厂扩建活跃。
预示未来产能供给增加。
内存制造商计划在2027至2028年推出4GB和6GB GDDR7芯片。当前3GB GDDR7芯片因成本高昂导致RTX 5050等显卡推迟发布。
未来大容量GDDR7芯片量产对显卡成本及供应格局的影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |