三星量产236层NAND闪存，年内过渡至286层
三星电子西安工厂已开始量产236层（V8）NAND闪存，并逐步淘汰128层（V6）产品。公司预计年内完成向286层（V9）NAND的过渡。
利空
工艺升级与产能爬坡将提升有效供给，对NAND现货价格构成下行压力。
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三星电子西安工厂已开始量产236层（V8）NAND闪存，并逐步淘汰128层（V6）产品。公司预计年内完成向286层（V9）NAND的过渡。
工艺升级与产能爬坡将提升有效供给，对NAND现货价格构成下行压力。
三星电子最早将于3月停止在华城12号产线制造2D NAND闪存。该产线将转为1c nm DRAM内存的后端制程服务。
利基市场2D NAND供应源被移除，可能加剧特定应用的供应紧张。
三星电子将于3月正式停产2D NAND闪存，并将华城12号产线（月产能8-10万片晶圆）改造用于生产1c DRAM及下一代HBM4。此举顺应了3D NAND全面取代平面NAND的技术趋势，并瞄准AI算力对高带宽存储的爆发性需求。
削减低端NAND供给，同时增加先进DRAM/HBM产能，可能加剧存储市场结构性紧张。
三星电子最早将于3月停止在华城12号生产线制造2D NAND闪存，其2D NAND时代正式结束。该产线将转为1c nm DRAM的后端工艺产线，与平泽园区的DRAM产能扩张协同。
利基市场2D NAND供应永久性削减，同时产能转换强化了三星在先进DRAM节点的投入，可能加剧高端DRAM的供应集中度。
已经到底了