三星量产236层NAND闪存，年内过渡至286层

三星电子西安工厂已开始量产236层（V8）NAND闪存，并逐步淘汰128层（V6）产品。公司预计年内完成向286层（V9）NAND的过渡。利空：工艺升级与产能爬坡将提升有效供给，对NAND现货价格构成下行压力。

来源：36氪快讯 · 2026/3/30 · 查看原始来源