布局物理 AI：美光研发边缘推理内存 EIM，降低数据处理延迟并提高带宽
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
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美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
应用材料（Applied Materials）表示将增加在研发、制造及全球供应链方面的投资，以在2030年前争取更大的市场份额和盈利能力。该公司预计，先进逻辑、DRAM和先进封装将在2025年至2030年间贡献约75%的晶圆制造设备（WFE）市场增长。到2030年，公司目标为额外获得超过2个百分点的WFE市场份额，以及约54%的非GAAP毛利率和约40%的非GAAP营业利润率。以上均为公司目标与预期，而非已实现结果。
Fujifilm正在美国亚利桑那州扩建半导体材料产能，原文给出的原因是全球芯片需求上升，尤其是人工智能、先进逻辑和存储领域。该举措旨在加强面向美国及其他地区制造商的供应，同时支持新型封装技术并加快全球商业化进程。原文未给出扩建的具体规模、金额或时间表，此次扩建属于计划中的产能扩张。
GlobalFoundries 已被选中在纽约马耳他地点运营两座新的 300mm 晶圆厂，融资来自日本，最高达 210 亿美元，依据美日贸易协议；首座晶圆厂预计将在 2029 年投产，2026 年底前动工，每座晶圆厂投产后每年将增加约 90 万片 300mm 晶圆至美国产能。美国政府将取得约 4% 的股权，且 GlobalFoundries 将把现有 CHIPS 法案奖励中的 9.55 亿美元重新分配用于马耳他和佛蒙特州伯灵顿的硅光子、SiGe 和先进封装投资。客户包括瑞萨电子、苹果、Cirrus Logic、通用汽车和东京电子，瑞萨视该产能为其自身产能的延伸。
格芯被选定为美国纽约州马耳他市两座新半导体制造工厂的技术提供商和运营方。该项目是美日之前达成的5,500亿美元投资协议的一部分，日本将提供最高210亿美元用于扩大美国本土半导体制造能力。格芯与美国商务部达成协议，重新调整其根据《芯片与科学法案》获得的9.55亿美元资金，并向美国商务部分配约4%格芯股权，使其持股比例升至约7%。除新建晶圆厂外，格芯还与美国商务部达成协议，调整其依据《芯片与科学法案》获得的现有资助安排，将其中9.55亿美元重新分配用于纽约州马耳他市和佛蒙特州伯灵顿工厂的硅光子、硅锗（SiGe）及先进封装投资。根据格芯公告，首期约100亿美元投资用于加快一座全新300毫米晶圆厂建设，该工厂预计于2029年投产；另有约100亿美元用于建设第二座晶圆厂。两座工厂全部建成后，每年可新增约90万片300毫米晶圆制造能力，第二座规模相近。项目将创造约2.7万个建筑施工及产业生态系统相关就业岗位，并在纽约州首府地区新增1000多个高技能制造业岗位。格芯计划于2026年晚些时候在纽约州马耳他市为首座新晶圆厂举行开工仪式，厂址已获许可具备开工条件。瑞萨电子、东京电子、苹果、Cirrus Logic及通用汽车等公司对该扩产计划作出回应。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
台积电1.4nm A14制程已启动试产，良率评估顺利。若进展顺利，风险量产计划于2027年启动，2028年量产。
进度超前将巩固台积电在先进制程的领先优势。
DIGITIMES分析师指出HBM产能正转移至马来西亚台积电，旨在缓解台湾晶圆厂压力并可能让英特尔获得供应机会。
此举反映供应链多元化趋势，但尚未引发短缺或涨价，需持续关注产能落地情况。
三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线，生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。
HBM供应链，预计2028年下半年量产。
SpaceX与xAI联合启动TeraFab超级芯片制造项目，选址德州，预计建筑面积超1亿平方英尺，总投资1190亿美元。该项目涵盖逻辑、存储及先进封装，黄仁勋称其为“极其困难”的挑战。
该长期产能扩张计划将重塑未来全球芯片制造格局。
马斯克Terafab占地千万平方英尺，将生产逻辑、内存及AI芯片。该设施旨在满足SpaceX和特斯拉1PW算力需求，远超当前全球芯片供应。
马斯克主导的非常规制造路线，长期可能重塑半导体供应链格局。
特斯拉与 SpaceX 在得州联合推进 ATCF 芯片厂建设，整合逻辑计算、存储及先进封装技术。该项目为 AI 芯片研发第一阶段，规模小于 Terafab，主要服务于特斯拉汽车、Robotaxi 及 xAI 内部需求。
该设施尚处于建设初期，尚未对当前现货市场供需产生直接影响。
台积电加速台中二期扩建园区1.4nm工厂建设，首座厂房预计2027年4月完工。项目共规划4座厂房，前2座已完成发包，目前进入钢结构施工阶段。
产能扩张计划暗示未来供应增加，可能对先进逻辑芯片价格产生下行压力。
Zeiss在德国扩大产能以缓解ASML的EUV光学瓶颈，受AI数据中心投资加速推动。
产能扩张将缓解供应紧张，抑制EUV光学元件价格进一步上涨。
蔡司半导体制造技术确认在德国扩建2.5万平方米生产空间。由于蔡司是ASML光刻机光学组件的唯一供应商，此次扩建旨在缓解ASML的产能瓶颈，支持其2027年低数值孔径EUV光刻机产量提升30%的计划。
ASML及EUV光刻机产业链，ASML计划涨价且订单已接近满载。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |