SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并称有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。原文未说明具体产能数字或订单量。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目，原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节，也未说明扩产原因。
FICG位于马来西亚柔佛的厂区设有八条SMT产线，将生产用于AI基础设施和数据中心的高速光模块。原文未说明原因，也未提及具体扩产量或时间表。
据快科技10月18日消息，博主硬件茶谈透露，微星和华硕工厂方面人士表示，本月和下月几乎都没有显卡货源，且微星、华硕看不到NVIDIA的芯片供给日期，RTX 5090和RTX 5080直接断货，显卡还将继续涨价。近日有消息称NVIDIA已停产RTX 5090并将GB202产能转向AI数据中心和专业GPU，随后NVIDIA确认RTX 5090未停产但承认供应受限。原文给出的核心原因是芯片产能转向AI和专业卡：GB202既是RTX 5090的核心GPU，也用于售价高达16000美元的RTX Pro系列，NVIDIA将有限产能优先供给高利润产品线，游戏卡渠道供给收紧。
据上海超导公众号，10月18日（年份未注明），正值公司成立十五周年之际，其二代高温超导带材及总部基地项目主体建筑全面封顶，标志着这一全球超导领域规划产能最大的项目正式从建设阶段转入产线组装与设备调试阶段。该项目为2025年上海市重大工程，于2025年6月29日开工，选址上海市康桥工业区东区，占地92.62亩，设计年产能1.5万公里；建成达产后，上海超导总产能将提升至2万公里/年，位居全球第二代高温超导带材细分领域第一。目前上海超导年产能已达4000公里/年（12mm），是全球唯二实际年出货量超1000公里的超导带材企业之一。三期基地将投产全球首创的三公里大长度高温超导带材产线，计划于2027年一季度产出产品；标题将该投产表述为“明年”，与正文所载计划时间（2027年一季度）在原文中并存，均为计划状态，实际产出尚未实现。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
ASML未发布任何公告，但专利、供应链报道与其自身路线图三方面证据指向其正在开发芯片对晶圆（D2W）混合键合设备；据文中所述，其量产不早于2030年，2027年市场竞争者为Besi、韩华、SEMES与中国设备商。文中称ASML入局的影响在于把混合键合从后道设备重新定义为前道设备，并以此解释Besi股价三个月回撤46.8%，称市场调整的是估值框架而非当期业绩。另提及国内受益顺序为减薄/CMP→临时键合解键合→混合键合本体→材料，且混合键合设备本身的国产化率仍不足5%。
英伟达个人计算业务高级副总裁 Jeff Fisher 在台北 RTX Spark 活动中否认 RTX 5090 停产传闻，称该显卡仍是重要核心产品并将继续供货；同时承认当前供应链产能受限，英伟达正努力推动产品进入市场。来源未说明产能受限的具体原因。时间：2024年10月17日消息（Fisher 昨日即10月16日发言），此前有消息人士于10月10日爆料称英伟达可能将 GB202 芯片转向 RTX PRO 专业卡并推出24GB RTX 5080，但未获官方证实；Micro Center 曾将 RTX 5090 标记为“不再销售”，但这不等同于正式停产。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
FICG正积极扩充在马来西亚和中国的光通信产能，以应对激增的AI驱动需求，公司估计该需求为当前供应产能的3-4倍。董事长Leo Chien将未来三年描述为"疯狂扩张期"，其位于马来西亚柔佛的工厂计划在2027年底前将产能提高4倍。原文未说明除AI需求外的其他原因；该扩张为计划状态。
台积电董事长兼CEO魏哲家在第三财季（2026年7月～2026年9月）财报电话会上宣布已量产5倍光罩尺寸先进封装，良率“非常优秀”，并称目前除台积电外尚无其他企业能做到这一规模，客户对量产结果十分满意。台积电正在开发9倍光罩尺寸封装，并朝14倍光罩尺寸推进。TechNews援引Anue今年8月报道：台积电5.5倍光罩尺寸CoWoS已进入高量产阶段，多家AI客户产品良率稳定超过98%，部分甚至达到99%；公司计划到2029年将CoWoS扩展至14倍以上光罩尺寸。面对英特尔EMIB等竞争方案，魏哲家未直接点名，但表示若客户在竞争对手处无法获得足够的先进封装产能，台积电将做好准备，其首要任务是确保客户产品顺利上市并提供最佳技术与足够产能。
雷赛智能近日在机构调研、现场参观时表示：无框力矩电机全年在手订单超过100万台，年度交付预计80万—90万台，目前月产能达15万台，公司正在扩建自动化产线向年产300万台迈进（扩建为计划进行中事项）。关节模组方面，谐波、行星、一体轮三大类订单快速增长，目前在手订单超6万台，交付加速放量，公司同步加大产能建设。从营收占比看，机器人业务目前占公司整体营收比例较小，今年预计十分之一左右，已呈现快速增长趋势；公司初步预计明后年人形机器人业务收入将逐步产生较大贡献，未来几年占比很可能会快速提升（该判断为初步预估，非已实现业绩）。今年全年机器人相关业务订单规模预计在两三亿元之间。公司说明以上基于当前人形市场发展形势的预判，仅供参考。
LG Innotek预计其半导体基板业务将在2027年改善。该公司正与大型科技公司洽谈长期供应协议(LTA),并准备进入高端AI加速器市场。根据该战略，公司计划在扩大产能之前先获得客户承诺，同时寻求将业务多元化、摆脱对智能手机相机模组的依赖。上述内容均为计划/预期状态，尚未构成已实施的产能扩张。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。