长鑫存储将40%产能转产LPDDR4X，以填补三星计划退出该市场留下的缺口。此举发生在存储成本飙升、供应趋紧的背景下，其剩余60%产能仍专注于DDR5/LPDDR5。利多：成熟制程产能被挤占，可能加剧先进节点供应紧张，并在高需求下支撑LPDDR4X价格。

ASML计划2026年出货超60台EUV光刻机，较2025年增长25%，其中51%用于内存生产。此扩张由SK海力士和三星等内存制造商对HBM及DDR技术的强劲需求驱动，以满足全球AI数据中心需求。利多：EUV产能扩张印证先进内存需求持续强劲，对HBM/DDR等组件价格构成支撑。

SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。利多：HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。

三星2025年对西安NAND工厂投资同比激增67.5%至4654亿韩元，SK海力士对无锡DRAM与大连NAND工厂投资超1万亿韩元。此举源于全球存储需求高涨，两家公司加速利用中国工厂扩充产能。利空：头部厂商在华大幅扩产，增加NAND与DRAM中期供应压力。

美光印度萨纳德封测厂全面投产后，预计将占其全球总产量的10%，2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。利空：该先进封装产能的实质性落地，特别是针对AI内存及DDR5，将增加全球存储芯片的供应压力。

华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。关注：HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。