华丰科技：拟约3.62亿元投建高速线模组扩产项目(二期)
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目，原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节，也未说明扩产原因。
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华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目，原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节，也未说明扩产原因。
FICG位于马来西亚柔佛的厂区设有八条SMT产线，将生产用于AI基础设施和数据中心的高速光模块。原文未说明原因，也未提及具体扩产量或时间表。
荷兰Prodrive Technologies在10月13日于旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026上表示，计划在2026年底至2027年初之间在韩国开设办事处，以加强对包括Hanwha Semitech在内的当地客户的支持并通过销售活动扩大业务。该公司称目前正在招聘当地员工为开设办事处做准备，并表示预计在"今年年底左右或明年初"开设，正在考虑将Dongtan和Pangyo作为候选地点。韩国办事处将负责销售和客户支持，正在招聘一个小规模团队；公司代表表示没有在韩国设立制造设施的计划，因为可以从马来西亚、中国和欧洲支持韩国客户。Prodrive还在马来西亚建设新的制造设施，并在荷兰、美国波士顿和中国设有生产基地，在日本和以色列设有销售办事处，全球员工约2300人。其为半导体设备制造商开发模块并提供系统集成服务；此前Hanwha Semitech与Prodrive合作开发混合键合设备，今年早些时候第二代混合键合设备SHB2 Nano在Prodrive荷兰工厂制造和组装后被运往韩国；Prodrive还为ASML极紫外(EUV)光刻设备中磁悬浮系统供应直线电机和伺服驱动器。
台积电2026年第三季度（3Q26）净利润同比激增68.7%，达到创纪录的7630亿新台币（NT$763B），实现连续第6个季度利润增长。同时，其2nm制程量产正在加速，2nm晶圆营收占比从第二季度的3%跃升至8%，单季提升5个百分点。上述数据为TrendForce于2026年10月15日发布（推文时间5:48 AM）的已实现业绩，原文未说明原因。
GlobalFoundries 已被选中在纽约马耳他地点运营两座新的 300mm 晶圆厂，融资来自日本，最高达 210 亿美元，依据美日贸易协议；首座晶圆厂预计将在 2029 年投产，2026 年底前动工，每座晶圆厂投产后每年将增加约 90 万片 300mm 晶圆至美国产能。美国政府将取得约 4% 的股权，且 GlobalFoundries 将把现有 CHIPS 法案奖励中的 9.55 亿美元重新分配用于马耳他和佛蒙特州伯灵顿的硅光子、SiGe 和先进封装投资。客户包括瑞萨电子、苹果、Cirrus Logic、通用汽车和东京电子，瑞萨视该产能为其自身产能的延伸。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
据快科技10月13日报道，内蒙古乌兰察布正成为中国AI算力建设热点：今年8月密集签下12个智算相关项目，据不完全统计可确认的计划投资额超过1300亿元，五个披露规模的智算中心规划电力容量合计6.3GW；8月下旬世纪互联、秦淮数据、中联云港、普洛斯、华一云联在集宁区集中签约，分别规划2GW、1GW、1.5GW、1.3GW和0.5GW智算中心；同月远景星河基地投入运营，园区规划容量2GW；万国数据计划未来五年在当地投资超过300亿元。据新华每日电讯报道，10月12日察哈尔高新区在建算力项目22个、建设工人近3万人。据知情人士称，DeepSeek计划在当地建设一座GW级数据中心，部署至少16万颗华为昇腾950DT芯片，按媒体披露的最新报价测算，仅这批芯片的名义采购金额就超过400亿元，尚未计入机房和电力等配套设施；该公司4月还发布过当地数据中心高级运维工程师招聘信息，最高月薪3万元。原文说明选址原因为“电、冷、近”：当地数据中心绿电到户均价约0.35-0.38元/度，每年约10个月可利用室外低温辅助散热，且距北京高铁约两小时。文中各数据中心与芯片采购均为计划或规划状态。
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
SK集团会长崔泰源10月9日（据路透社报道，其于周五视察光州半导体园区规划选址时）表示，预计芯片需求将继续以相当快的速度增长，SK海力士需加快扩产，光州园区将尽可能早地开工，但具体开工时间尚未确定，预计近期公布建设时间表。目前韩国政府及地方当局正推进园区电力、供水等基础设施配套，光州园区建设进度取决于政府水电供应计划能否与SK施工安排衔接；崔泰源表示即使水电配套稍晚到位，也可能先行推进桩基工程，但SK不打算通过压缩建设成本来加快进度。SK海力士已将龙仁园区完工目标从2045年提前至2033年，计划2033年完成龙仁四座晶圆厂建设，但仍认为产能可能不足以满足需求，不排除龙仁与光州两大园区同步推进。光州园区规划规模约为龙仁园区的三分之二，规划占地约826万平方米，选址包括计划迁移的光州军用机场腾退用地及邻近弹药库区域；SK海力士与三星电子均计划投资约400万亿韩元，各建设两座芯片制造厂。若未来有更多土地可用且需求足以支撑，光州项目规模还有望进一步扩大。
富士康与英伟达联手投资精密组装自动化研究以减少人工操作，旨在应对美国制造业在劳动力与产能上的限制。
此举表明AI服务器供应链正面临人工瓶颈，自动化升级是缓解产能压力的关键路径。
马维尔与格罗方德宣布扩大合作，在佛蒙特州工厂扩产硅锗（SiGe）以支持1.6Tbps光模块。随着AI算力需求激增，铜缆传输距离受限，硅锗技术成为高速光通信的关键，英伟达等厂商已开始采用CPO技术。
该扩产计划旨在缓解AI数据中心对高速光模块的供应紧张，预计将提振SiGe及光通信板块需求。
住友化学开始量产4英寸InP外延片，用于AI数据中心光电器件。随着AI算力需求激增，该材料旨在缓解全球AI基础设施的功耗与数据瓶颈。
新增产能投放可能缓解供应紧张，对InP外延片价格构成下行压力。
英伟达已预订台积电1.6nm（A16）产能用于Feynman GPU，计划于2028年下半年量产。A16采用GAA晶体管与背面供电技术，性能优于2nm工艺。
确认了英伟达未来高端GPU需求及台积电先进制程产能利用率。
台达电与光宝科技将资本支出提高至营收9%，加码AI数据中心电源与散热布局。英伟达与AMD平台每年刷新，电源密度与散热需求激增，迫使供应商加速产能部署。
供需缺口扩大，相关电源管理IC与散热模组面临涨价与缺货风险。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。
台积电2nm节点（N2）月产能达2万片，营收占比仅3%。尽管流片数量是3nm的4倍，但产能爬坡尚处于早期阶段。
流片需求强劲；中性：当前营收占比低，对现货价格短期影响有限。
SK海力士正探索在美国建设晶圆厂以增加供应并控制内存价格。董事长崔泰源警告称，尽管 AI 需求激增，但供应跟不上，导致“芯片通胀”和短缺。
产能扩张计划将增加供应，缓解短缺并给价格带来下行压力。
台积电宣布未来十年在美国投资2650亿美元扩建12座晶圆厂，但文章质疑其兑现能力。参考英特尔在亚利桑那州等地的项目延期或取消，以及台积电自身仅建成两座工厂的记录。
产能扩张计划面临执行风险，实际供应释放可能推迟，利好现有库存。
美光聘请Bechtel承建纽约首两座晶圆厂，预计2030年及2033年投产。该项目投资约500亿美元，旨在通过标准化EPC流程缩短量产周期。
Micron补贴驱动的成本结构将增强定价权，对DRAM现货价形成下行压力。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |