台积电考虑得州扩产并与马斯克洽谈使用Terafab
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
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摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
应用材料（Applied Materials）在过去两个季度内跟踪了全球超过100个晶圆制造项目，因强劲的人工智能需求持续遭遇洁净室建设和供应链产能方面的限制。该公司在每个季度新增超过10个项目，表明全球晶圆厂开发及未来洁净室可用性仍在扩张。原文以洁净室建设与供应链产能限制作为核心约束原因。
GlobalFoundries 于 10 月 9 日举行 SPRINT 扩建项目的封顶仪式，标志其在德累斯顿的 11 亿欧元扩建达到里程碑。扩建预计将使厂区年产能提升至超过 100 万片 300 毫米晶圆，目标时间为 2028 年底；目前德累斯顿年产能最高可达 95 万片，扩建后将增加约 5% 的产能。施工已按计划且在预算内完成，项目获得欧盟、德国联邦政府和萨克森自由州在欧洲芯片法案下的支持。
美光CEO Mehrotra预计2027和2028财年供需将比2026年更紧张。此前美光预期2028年供应改善，但新产能（如爱达荷、日本及清州工厂）预计2028年底才上线。
供需缺口扩大将支撑存储价格。
东芝计划投资60亿日元将AI数据中心HDD产能翻倍至2027财年。受AI基础设施需求及SSD短缺驱动，硬盘市场供应紧张。
产能扩张计划预示未来供应增加，可能缓解当前短缺压力。
蔡司半导体制造技术确认在德国扩建2.5万平方米生产空间。由于蔡司是ASML光刻机光学组件的唯一供应商，此次扩建旨在缓解ASML的产能瓶颈，支持其2027年低数值孔径EUV光刻机产量提升30%的计划。
ASML及EUV光刻机产业链，ASML计划涨价且订单已接近满载。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
特斯拉聘请英特尔资深高管江伟负责Terafab的14A技术授权，旨在构建自有的半导体制造体系。
此举对供应链格局的长期影响。
SK海力士计划2027年2月完工首座三明治式Fab。此举旨在打破传统平面布局以抢占产能先机。
预示未来产能过剩风险加剧。
SK海力士于4月22日动工建设P&T7先进封装测试工厂，总投资19万亿韩元，计划分阶段于2028年完工。该工厂专注于AI内存（包括HBM）生产，旨在巩固其市场领导地位。
此为长期产能扩张计划，旨在应对未来AI需求增长，对当前现货供应及价格无直接影响。
SK海力士在清州举行P&T7先进封装工厂奠基仪式，投资额达数万亿韩元。该工厂专用于生产HBM等AI内存产品，WT产线预计2027年10月完工，WLP产线预计2028年2月完工。
此为长期产能扩张计划，利好远期HBM供应，但对当前交易无直接影响。
SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。
长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。
SK海力士在印第安纳州破土动工首座美国先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM4E和HBM5。公司同步推进国内清州P&T7厂扩建及DRAM产线升级，并安装20台ASML EUV光刻机。
新增产能将加剧HBM及DRAM市场供应压力，现货价格承压下行。
YC Chem投资138亿韩元扩建HBM材料产线，Q4量产胶水清洁剂和剥离剂。随着HBM需求上升及客户订单锁定，公司需通过专用产线解决产能瓶颈。
产能扩张将增加HBM后段封装材料供应，缓解供应紧张。
日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。
长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。
台积电在美扩产计划据称增至12座晶圆厂，规模超预期。此举促使台湾本土的洁净室、厂务工程及设备供应商积极跟进，签证与人力需求激增。
长期产能扩张利空价格，但短期供应链迁移与成本上升形成对冲。
SK海力士将在未来两年内从ASML采购价值约11.95万亿韩元的EUV光刻设备，约合24台系统。此举旨在为HBM及1c DRAM等高价值内存产品的量产提供设备保障。
巨额资本开支预示高端内存产能将大幅扩张，可能缓解远期供应压力，但对短期价格无直接影响。
SK海力士将斥资80亿美元订购30台EUV光刻机，用于HBM及先进DRAM生产。此次订单旨在锁定ASML产能以应对AI驱动的内存需求激增，并包含提前拉货策略。
短期现货价格，因未来产能大幅扩张将增加供应压力。
SK海力士提前两个月开启M15X DRAM二期洁净室并开始设备进场。针对AI需求激增，公司加速产能爬坡。
产能释放将缓解供应紧张，对现货价格构成下行压力。
台积电美国亚利桑那州Fab 21 P2厂预计2027年下半年量产3nm，P3/P4厂机电系统安装时间亦提前。美系客户因地缘考量已预订四座美厂产能，海外建厂效率正接近台湾水平。
长期产能地域多元化明确，但对当前现货价格无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |