格芯获3500万美元政府资助扩产GaN芯片
格芯获得美国政府3500万美元资助,用于加速其佛蒙特州工厂的200mm硅基氮化镓芯片生产。此举旨在推动用于5G/6G通信、汽车及工业物联网的高性能GaN芯片的大规模量产。
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长期看将增加GaN功率半导体供应,可能缓解未来需求压力,但对当前现货价格无直接影响。
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格芯获得美国政府3500万美元资助,用于加速其佛蒙特州工厂的200mm硅基氮化镓芯片生产。此举旨在推动用于5G/6G通信、汽车及工业物联网的高性能GaN芯片的大规模量产。
长期看将增加GaN功率半导体供应,可能缓解未来需求压力,但对当前现货价格无直接影响。
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