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消息称三星、SK海力士升级中国工厂生产更先进闪存芯片：三星西安拟产286层V9 NAND（目标今年12月月产5000片晶圆），SK海力士大连拟转向240层以上NAND

10月21日，据路透社报道，四名知情人士称，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的闪存芯片，抵御快速成长的中国对手（长江存储）的竞争并满足巨大的AI需求；两家公司在发给路透社的声明中证实升级工作正在进行，且是在与华盛顿密切协商的情况下进行的，但未披露生产计划细节，路透社也无法确定美国当局究竟批准了多少出口许可证。自2022年美国对部分芯片制造设备实施出口管制以来，两公司在华改造工厂受限，若安装蚀刻机等美国设备须每年向美国申请许可证。Omdia数据显示，长江存储第二季度在中国NAND市场占据38.5%的份额，高于2025年全年的28%并超过三星；三星份额从36%下滑至33.5%，SK海力士从20%降至17%。两家公司正努力在中国工厂生产层数超过200层的NAND。三星西安工厂目前生产约200层芯片，产量约占其全球NAND总产量的40%；三星正推进内部代号“Monami”的项目，将西安工厂改造为生产286层的V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现月产5000片晶圆，并在2027年12月提高至4万片晶圆（上述为计划目标）。三星表示此次升级符合美国出口管制规定，旨在满足包括美国客户在内的全球客户需求，公司并未扩大产能，也没有新建制造设施。三名知情人士称，SK海力士计划将大连工厂从目前生产的192层产品转向240层或以上的NAND产品（计划），该公司已获准在大连生产最多240层的芯片，并可能寻求华盛顿批准在当地研发300层以上的芯片；该公司还正与特朗普政府就在美国新建一座NAND工厂的计划进行磋商。