三星关停最后2D NAND产线，转产1c DRAM
三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。
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传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。
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三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。
传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。
三星将于3月停产华城Line 12的最后一条2D NAND产线（月产能8-10万片），转为1C DRAM后道制程。此举旨在缓解DRAM生产瓶颈，并将NAND产能缩减部分转移至西安工厂升级。
削减成熟NAND晶圆供应，可能加剧特定产品短缺，同时行业资源加速向先进DRAM倾斜。
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