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2026年2月27日周五

14 条

14:51影响评分 95
天工国际上调高速钢价格，最高涨5000元/吨
天工国际宣布自2026年3月1日起，对高速钢合同订单实施调价，具体为每含1%钼上调1000元/吨，每含1%钨上调5000元/吨，每含1%钒上调300元/吨。此次调价主因是近期钨铁、钼铁等合金及废钢原材料价格持续上涨。
利多
直接、量化的价格上调，将传导至下游工具、模具等制造业成本。
高速钢天工国际价格波动
13:39影响评分 96
DRAM合约价Q4涨50%，Q1预估再飙95%
TrendForce报告显示，2025年第四季度一般型DRAM合约价环比上涨45-50%，含HBM的整体合约价上涨50-55%。一季度因CSP为确保供应量积极采购，预计将推动一般型DRAM合约价再涨90-95%。
利多
合约价涨幅连续两季大幅加速，明确指向供应极度紧张及CSP需求驱动下的强势定价权。
DRAM HBMSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动
13:20影响评分 92
英伟达显卡供应紧张至4月，溢价200至500美元
英伟达CFO确认游戏显卡供应将持续紧张至2026年4月，高端型号溢价200至500美元。AI业务收入是游戏的12倍，产能优先分配给数据中心。
利多
供需失衡加剧，现货价格维持高位。
Gaming GPUs Discrete GraphicsNVIDIA Corporation缺货预警
13:06影响评分 95
存储芯片成本飙升，中国手机3月全面涨价超千元
主流中国手机品牌将于2026年3月起全面涨价，新品最低涨幅超1000元，市场均价预计上涨15%-25%。本轮涨价由存储芯片成本驱动，Q1通用DRAM合约价预计环比涨55-60%，NAND Flash涨33-38%。
利多
上游存储芯片价格失速上涨已明确传导至终端，加剧中低端机型成本压力，预示供应链价格将持续坚挺。
DRAM NAND Flash价格波动
11:06影响评分 95
黄仁勋称2026年游戏显卡供应紧张价格大涨
黄仁勋预测2026年游戏显卡供应紧张，价格将大幅上涨。主要受GDDR7显存短缺影响，DRAM厂商产能转向AI存储。
利多
NVIDIA将台积电产能从游戏GPU转向利润更高的数据中心AI GPU。
GDDR7 Game GPUNVIDIA、DRAM Manufacturers 等 3 家缺货预警
10:22影响评分 95
内存价格暴涨致魅族暂停手机新品研发，主流品牌2026年普涨超千元
魅族因内存价格持续暴涨导致新产品商业化不可行，宣布暂停国内手机新产品自研硬件项目。OPPO、vivo、小米等主流品牌已敲定2026年涨价方案，3月后新品最低涨幅不低于1000元，中高端机型涨幅达2000-3000元。
利多
内存成本飙升已引发终端产品大规模、高幅度提价，并开始导致部分厂商战略收缩，是供给紧张的直接证据。
DRAM NAND Flash价格波动
10:00影响评分 95
DRAM合约价Q4涨50%，Q1再飙95%
TrendForce报告显示，2024年第四季度一般型DRAM合约价环比上涨45-50%，含HBM的整体合约价上涨50-55%。2025年第一季度，在CSP确保供应量的推动下，预计一般型DRAM合约价将再涨90-95%，整体合约价涨80-85%。
利多
明确且量化的季度合约价暴涨，对DRAM相关交易决策构成直接、强烈的看涨信号。
DRAM HBMSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动
09:48影响评分 95
龙头芯片厂集体提价，MCU及功率器件涨幅达80%
年初至今，多家芯片龙头企业对MCU、功率器件等产品提价10%-80%。调价主因是上游原材料及关键贵金属价格大幅上涨，供需失衡进一步助推。
利多
明确且广泛的提价行为，表明元器件成本上行压力将持续。
MCU 功率器件价格波动
09:27影响评分 95
AI算力股开盘重挫，特发信息跌停天孚通信跌5%
AI算力及半导体板块开盘集体回调，特发信息逼近跌停，天孚通信、长飞光纤跌超5%，胜宏科技跌超3%。此次下跌属于前期过热板块的技术性调整与获利了结。
利空
对相关概念股及上游元器件交易构成直接负面价格信号。
AI Accelerator Optical Module PCB特发信息、天孚通信等 4 家价格波动
08:05影响评分 95
NAND价格高涨供应紧缺，钨粉突破1800元/公斤
NAND闪存价格高涨且供应持续紧缺，主控大厂群联已发函通知客户更新付款条件。节后钨原料价格飙升，钨粉突破1800元/公斤，已引发华锐精密等刀具企业集中涨价。
利多
NAND与钨原料供应紧张直接推高采购成本。
NAND Flash Tungsten PowderPhison Electronics价格波动
07:58影响评分 95
存储短缺致2026年手机出货预减13%，品牌3月起集体涨价
IDC预计2026年全球智能手机出货量将萎缩12.9%，主因AI需求导致存储芯片空前短缺。OPPO、vivo、小米等主流品牌已敲定3月起上调新老机型售价，新品最低涨幅超1000元。
利多
存储芯片成本上涨已触发全行业明确的价格传导，直接影响采购成本和现货市场预期。
NAND Flash DRAMSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动
06:00影响评分 95
英伟达股价单日重挫超5%
英伟达股价跌超5%，创去年4月16日以来最大单日跌幅，拖累纳斯达克指数收跌1.18%。此次下跌发生在市场对AI估值进行重新评估的背景下。
利空
半导体板块龙头股出现大幅抛售，显示市场情绪可能转向，对芯片股交易构成直接下行压力。
GPU AI ChipNVIDIA价格波动
00:40影响评分 98
韩股两个月暴涨50%
韩股两个月暴涨50%，跃居全球第九大交易所。高盛认为涨势尚未见顶，核心驱动力是AI浪潮下科技巨头资本开支扩张引发的存储芯片严重短缺。
利多
半导体产业链景气度仍是后续主线，供需失衡赋予存储芯片厂商强劲定价权。
存储芯片 DRAM NAND FlashSK海力士、三星电子价格波动
00:00影响评分 98
传统DRAM合约价1Q26预计暴涨90-95%
4Q25 DRAM收入达535.8亿美元，环比增长近30%，传统DRAM合约价格预计1Q26再涨90-95%。TrendForce报告显示行业复苏强劲。
利多
供应紧张推高价格，交易员应关注现货市场机会。
DRAM Conventional DRAMSamsung Electronics、SK hynix 等 3 家价格波动

2026年2月26日周四

6 条

23:30影响评分 92
联想宏碁3月提价，内存占PC成本升至35%
联想与宏碁因存储芯片成本飙升50%-100%，将于2026年3月初对部分商用及消费PC产品提价。惠普预计内存/存储占PC物料成本比例将从15-18%升至约35%，短缺或持续至2027年。
利多
终端厂商明确提价动作及BOM占比翻倍，直接印证内存芯片现货价格持续上涨压力。
DRAM NAND FlashSamsung Electronics、Lenovo 等 5 家价格波动
23:17影响评分 95
英伟达营收暴涨73%，指引780亿美元
英伟达2026财年Q4营收681亿美元，同比增长73%，指引780亿美元。主要受Blackwell架构放量及Rubin样品交付推动。
利多
需求强劲指引乐观。
AI Accelerators GPUNVIDIA财报业绩
23:15影响评分 95
英伟达跌4.18% 台积电跌2.84%
纳斯达克综合指数跌1.1%，英伟达跌4.18%，台积电跌2.84%，博通跌5.1%。美股持续走低，科技股普遍回调。
利空
短期情绪面承压，需关注后续成交量及宏观流动性变化。
NVIDIA、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company 等 5 家价格波动
22:55影响评分 95
云厂商AI支出激增61%，内存短缺致价格普涨
全球八大云厂商2026年AI资本支出将达7100亿美元，同比激增61%。这一巨额投入加剧了AI服务器及内存的供需失衡，导致价格持续上涨。
利多
内存短缺与价格上涨趋势将持续。
Memory HBM NAND FlashSK Hynix、SanDisk 等 12 家缺货预警
22:36影响评分 95
手机DRAM及NAND闪存Q1成本翻倍，现货价飙涨
2026年Q1手机存储芯片现货价暴涨，12GB LPDDR5X成本从200元涨至近600元，256GB UFS4.0闪存涨幅达80%-90%。核心原因是AI服务器需求爆发分流产能，导致手机内存结构性缺货。
利多
存储芯片价格直接、大幅上涨，将立即推高手机制造商物料成本并加剧现货市场供应紧张。
DRAM NAND Flash LPDDR5X价格波动
20:56影响评分 95
DRAM合约价季涨45%，产业营收季增29%
4Q25 DRAM产业营收环比激增29.4%至535.8亿美元，传统DRAM合约价上涨45-50%，混合DRAM/HBM价格涨幅达50-55%。AI应用从训练扩展至推理，推动CSP数据中心建设，采购从HBM3e/LPDDR5X延伸至全密度RDIMM，供需缺口扩大。
利多
全品类价格加速上涨，供应商议价能力显著增强，现货及合约采购成本面临直接上行压力。
DRAM HBM3e LPDDR5XSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动

2026年2月27日 周五

2026年2月26日 周四

2026年2月27日周五

2026年2月26日周四