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2026年2月28日周六

6 条

17:05影响评分 95
DRAM与NAND闪存1月合约价环比涨24%及65%
国家发改委价格监测中心数据显示，1月主流DRAM（DDR4 8Gb）合约价环比涨24%，NAND闪存（128Gb）环比涨65%，均创2016年以来新高。本轮上涨由需求爆发式增长与产能断崖式紧缺驱动，AI服务器算力需求将延续供不应求局面。
利多
存储芯片价格涨幅扩大并向下游传导，PC及手机厂商已普遍调价，预计价格将延续上涨态势。
DRAM NAND Flash价格波动
14:40影响评分 95
LPDDR4/5价格Q2将达去年Q3三倍
Counterpoint报告预计，2026年Q2移动版LPDDR4/5价格将达到2025年Q3的近三倍，核心诱因是内存厂商将晶圆产能转向AI DRAM和企业级SSD导致供应缺口。行业低迷已迫使手机厂商推迟发布、精简产品线并上调售价10%-20%。
利多
移动内存价格暴涨信号明确，供应短缺持续加剧。
LPDDR4 LPDDR5价格波动
14:27影响评分 95
DRAM及NAND闪存价格2月环比齐涨超12%
2月DRAM与NAND闪存平均价格环比涨幅均超12%，其中PC用DDR4 8GB与DDR5 16GB合约价季度涨幅约达120%。高可靠性SLC/MLC NAND产品供应持续短缺，加剧了工业与汽车等领域的市场紧张局势。
利多
主要存储芯片价格全面、大幅上涨，显示需求强劲与供应受限。
DRAM NAND Flash价格波动
12:38影响评分 95
LPDDR4/5供应危机加剧，Q2价格或涨至三倍
Counterpoint报告预计2026年全球智能手机出货量将同比下滑12.4%，主因是内存供应危机。内存厂商将晶圆产能转向AI DRAM及企业级SSD，导致移动端LPDDR4/5供应缺口扩大，价格预计在2026年Q2达到2025年Q3的近三倍。
利多
LPDDR4/5价格将因结构性短缺而急剧上涨，直接影响采购成本与产品规划。
LPDDR4 LPDDR5价格波动
12:02影响评分 95
Gartner：2026年DRAM与SSD价格将暴涨130%
Gartner预计2026年DRAM与SSD整体价格涨幅将达130%，导致PC整机成本上涨17%。存储成本占PC总成本比例将从16%升至23%，将毁灭500美元以下PC市场并延长换机周期。
利多
对存储现货价格构成明确、量化的上涨压力，交易面供应趋紧。
DRAM SSD价格波动
08:37影响评分 98
新洁能MOSFET涨价10%起，士兰微跟涨
新洁能宣布MOSFET产品涨价10%起，士兰微、英飞凌等企业涨幅普遍在10%至20%之间。此次涨价由原材料成本压力加剧与AI驱动的结构性需求爆发共同推动。
利多
功率半导体行业迎来新一轮涨价潮，现货价格预计将持续上行。
MOSFETNew Clean Energy、Infineon 等 4 家价格波动

2026年2月27日周五

14 条

23:39影响评分 98
DRAM NAND合约价环比涨55%
2026年第一季度通用型DRAM合约价格环比涨幅将达55%至60%，NAND闪存价格上升超过30%。AI服务器需求挤压消费电子供应，手机厂商采购成本同比大涨超80%。
利多
存储芯片价格，手机BOM成本增加8%至12%。
DRAM NAND Flash QLC价格波动
22:24影响评分 95
英伟达DGX Spark因内存短缺提价18%
英伟达DGX Spark AI迷你PC官方建议零售价上调18%至4699美元，主因全球内存供应紧张。新价格已在官网生效，其他销售渠道将陆续更新。
利多
此次官方提价直接印证了LPDDR5X内存供应短缺，可能对现货市场价格构成上行压力。
LPDDR5XNvidia价格波动
21:44影响评分 95
存储股盘前普跌，闪迪领跌超3%
美股芯片存储板块盘前走低，闪迪跌超3%，美光、西部数据、希捷均跌超2%。此盘前下跌反映了市场对存储板块的即时负面情绪。
利空
直接的价格下跌信号，预示存储相关股票及组件短期可能承压。
NAND Flash DRAMWestern Digital、Micron Technology 等 3 家价格波动
20:34影响评分 92
MLCC现货价涨10%-15%，厂商订单排期半年
MLCC现货自去年10月起涨价，高规格产品涨幅达10%-15%，中低规格产品涨幅约5%-8%。广东高端MLCC厂商春节期间保持满产，湖南厂商订单排期至半年后，风华高科产能利用率回升至80%-90%。
利多
现货价格明确上涨，订单饱满且产能利用率高企，显示MLCC供需趋紧。
MLCCFengHua GaoKe价格波动
20:31影响评分 95
MLCC现货价涨10%-15%，风华高科产能利用率达90%
MLCC现货自去年10月起涨价，高规格产品涨幅达10%-15%，中低规格产品涨幅约5%-8%。广东高端MLCC厂商春节期间维持生产，风华高科产能利用率已回升至80%-90%。
利多
现货价格明确上涨，产能利用率高企，显示需求回暖与供应趋紧。
MLCCFengHua GaoKe价格波动
19:49影响评分 95
NVIDIA DGX Spark工作站官方涨价17.5%
NVIDIA官方将DGX Spark迷你AI工作站公版价格从3999美元上调至4699美元，涨幅达17.5%。涨价原因为全球内存供应持续紧张，且为全球性调整。
利多
此次直接提价确认了高端内存供应紧张，将推高下游AI硬件采购成本。
LPDDR5X SSDNVIDIA价格波动
18:04影响评分 95
SK海力士DDR5涨价40%，三星对苹果提价100%
SK海力士通知客户DDR5内存颗粒涨价40%，已有模组厂暂停报价。三星在与苹果的谈判中提出内存价格涨幅高达100%并被接受，惠普预计今年内存成本占PC物料成本比例将翻倍至35%。
利多
上游原厂强势提价，将直接推高现货与合约市场价格，加剧供应紧张预期。
DDR5SK Hynix、Samsung Electronics价格波动
17:30影响评分 95
SK海力士DDR5颗粒提价40%，模组厂暂停报价
SK海力士已通知客户DDR5内存颗粒将涨价40%，部分模组厂已暂停对外报价。三星在与苹果的供应谈判中，也成功将内存价格上调了60%-100%。
利多
两大原厂直接提价且幅度巨大，将立即推高下游采购成本与现货市场价格。
DDR5SK Hynix、Samsung Electronics价格波动
17:18影响评分 95
三星LPDDR5X内存对苹果涨价100%
三星半导体部门对苹果LPDDR5X内存报价涨幅达100%并获立即接受，反映供应紧张。该内存单价据报已从2025年初的25-29美元攀升至约70美元。
利多
确认的巨额合约涨价直接推高智能手机关键存储组件成本。
LPDDR5XSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动
16:57影响评分 95
碳酸锂主力合约大涨11%突破16万元，机构看涨至20万
津巴布韦暂停锂原矿及精矿出口，叠加澳洲锂矿复产缓慢及库存周期不足一个月，广期所碳酸锂主力合约次日大涨逾11%突破16万元/吨。国信证券预计碳酸锂短期有望涨至20万元/吨以上，因储能需求超预期爆发弥补了动力电池季节性缺口。
利多
供给密集扰动与需求端储能爆发同步收紧市场，库存极低背景下价格弹性被显著放大。
碳酸锂价格波动
16:34影响评分 95
英伟达DGX Spark工作站涨价700美元
英伟达将DGX Spark AI工作站建议零售价上调700美元至4699美元，因内存供应受限。本次调价已生效，适用于全球市场，且不涉及硬件配置变更。
利多
高端AI产品直接提价，明确反映行业内存短缺，对LPDDR5X现货价格构成上行压力。
LPDDR5XNVIDIA价格波动
16:32影响评分 95
英伟达DGX Spark涨价17.5%至4699美元
NVIDIA将DGX Spark AI开发系统的MSRP上调700美元至4699美元，涨幅17.5%。此次调价归因于影响其128GB LPDDR5X内存成本的行业性DRAM与NAND闪存短缺。
利多
直接的价格上涨行动，预示内存组件成本及相关系统价格面临上行压力。
LPDDR5X DRAM NAND Flash价格波动
15:14影响评分 95
天工国际上调刀具价格，最高涨幅20%
天工国际宣布自2026年3月1日起上调硬质合金切削工具价格15%-20%，并于3月5日起上调天工品牌全系列刀具价格8%-10%。此次调价主因原材料价格大幅上涨及上游粉料端限制出货。
利多
明确的涨价公告将直接推高相关工具采购成本。
硬质合金切削工具刀具天工国际、江苏天工硬质合金科技有限公司价格波动
15:10影响评分 98
手机存储现货价涨超300%
TrendForce数据显示，手机存储芯片现货价近三月累计涨幅超300%，1TB闪存成本涨超200%。受此影响，国内主流手机品牌拟于2026年3月集体调价，千元机BOM成本已突破售价红线。
利多
存储芯片供应商，千元机市场面临生存危机，整机价格被迫上调。
LPDDR5X UFS4.0 NAND FlashTrendForce、Domestic mainstream phone brands价格波动

2026年2月28日 周六

2026年2月27日 周五

2026年2月28日周六

2026年2月27日周五