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2026年3月2日周一

4 条

09:29影响评分 95
半导体及AI板块普跌，创业板指低开1.61%
A股及港股半导体、AI应用、算力硬件等板块全线低开，创业板指跌1.61%，恒生科技指数跌1.78%。市场避险情绪升温，资金流向油气及黄金等防御性板块。
利空
半导体及科技股出现明确抛售信号，对相关电子元件现货及期货交易构成直接负面冲击。
AI应用芯片半导体算力硬件华虹半导体价格波动
08:15影响评分 95
钨价1年涨4倍，WF6涨价70-90%
钨价自2025年初以来飙升超过400%，推动上游矿企业绩预喜。韩国六氟化钨（WF6）制造商已通知三星电子和SK海力士，2026年WF6价格将上调70%至90%。
利多
上游矿企（厦门钨业、章源钨业）业绩预喜，半导体蚀刻气体供应链面临成本压力和供应紧张。
Tungsten Ore APT Tungsten PowderXiamen Tungsten、Zhangyuan Tungsten 等 7 家价格波动
06:47影响评分 95
3月液晶电视面板价格预计续涨
3月液晶电视面板价格预计继续上涨。面板厂控产稳价策略与终端需求边际改善共同推动。
利多
面板行业供需关系。
TV Panels LCD PanelsBOE Technology、CSOT 等 5 家价格波动
00:21影响评分 95
MLCC现货价回升15%，韩国半导体出口额激增161%
MLCC部分规格现货价格较前期低点回升10%-15%，市场回暖态势明确。韩国2月半导体出口额同比激增160.8%，创历史新高，主因AI投资带动存储等需求扩张。
利多
被动元件与存储芯片现货价格明确上涨，出口数据验证需求强劲，对相关交易构成直接利好。
MLCC DRAM NAND Flash价格波动

2026年3月1日周日

8 条

20:03影响评分 95
三星SK海力士Q2 DRAM合约价最高翻倍
三星电子与SK海力士已通知客户，计划在第二季度大幅上调DRAM价格，部分中小客户需接受超原价100%的涨幅以确保供应。涨价源于DRAM供需缺口持续扩大，三星产能仅能满足约60%的市场需求。
利多
合约价将显著上涨，现货市场供应紧张，对采购成本构成直接压力。
DRAM DDR5Samsung Electronics、SK Hynix价格波动
17:37影响评分 95
被动元件功率器件提价10%以上
被动元件、功率器件、覆铜板等电子材料龙头近期将产品提价10%以上，化工与有色板块因供给约束涨幅达10%~20%。海外龙头高端产能受限及伊朗地缘风险加剧了涨价叙事。
利多
涨价驱动的行情在3月预计将持续，供需失衡与利润率修复是核心逻辑。
被动元件功率器件覆铜板价格波动
12:16影响评分 95
韩国2月半导体出口额同比暴涨160.8%
韩国2月半导体出口额同比激增160.8%，达251.6亿美元，创历史月度新高，主要受AI投资扩大及存储器价格飙升推动。出口额已连续三个月超过200亿美元，反映需求持续强劲。
利多
出口数据直接印证存储器终端需求旺盛，现货价格上行压力明确。
DRAM NAND FlashSamsung Electronics、SK Hynix价格波动
10:50影响评分 95
DDR4内存现货价暴涨2.5倍
广颖电通16GB DDR4-3200内存套装现货价从54.97美元飙升至140.97美元，涨幅达2.5倍。此轮涨价由AI算力需求爆发导致全球内存市场供需失衡引发。
利多
现货市场出现明确、量化的价格暴涨信号，证实主流DDR4内存供应紧张，直接影响采购与交易决策。
DDR4价格波动
08:55影响评分 95
艾迪精密数控刀具3月1日起大幅涨价
艾迪精密宣布自3月1日起，数控刀片、整体硬质合金刀具及齿轮刀具价格大幅上调，所有新订单按新价执行。涨价主因是碳化钨、硬质合金等关键原材料价格持续攀升，钨粉价格已涨至每克2元以上。
利多
直接推高精密数控切削工具成本，对下游采购形成明确价格上行压力。
数控刀片整体硬质合金刀具齿轮刀具艾迪精密价格波动
08:11影响评分 95
DDR4合约价连涨11个月，2月环比涨13%
PC DRAM（DDR4 8Gb）2月合约价环比上涨13.04%至13美元，为连续第11个月上涨。价格在一个季度内已翻番，主因供应持续紧张及需求强劲。
利多
明确的价格上涨数据与持续趋势，显示供应短缺仍在加剧，采购成本面临上行压力。
PC DRAM DDR4价格波动
07:32影响评分 95
NAND价格暴涨500%，群联要求客户预付货款
群联电子已通知客户将修订付款条款，要求部分客户预付货款。此举因NAND闪存价格暴涨500%，导致公司资金需求急剧增加。
利多
核心供应商要求预付款是供应链极度紧张和价格持续上涨压力的明确信号。
NAND FlashPhison Electronics价格波动
07:27影响评分 95
内存芯片涨价推升三星电子市值破万亿美元
三星电子市值突破1万亿美元，成为韩国首家万亿市值公司，主因内存芯片价格上涨。该里程碑事件直接反映了存储市场持续的供需紧张与价格强势。
利多
万亿市值是价格已上涨的直接结果，预示存储芯片供应商的积极势头将持续。
DRAM NAND FlashSamsung Electronics价格波动

2026年2月28日周六

8 条

22:35影响评分 98
SSD闪存连涨14个月均价12.67美元
SSD闪存价格连涨14个月，128Gb MLC均价12.67美元，Q1涨幅33.91%。内存价格虽创历史新高后趋于稳定，但SSD供需失衡持续。
利空
SSD硬盘价格短期内难以企稳。
DDR4 DDR5 NAND FlashSamsung Electronics价格波动
21:57影响评分 95
发改委：存储芯片价格持续上涨并向下游传导
国家发改委价格监测中心报告存储芯片价格持续上涨并向下游传导。此信号来自官方价格监测机构，具备直接交易指导意义。
利多
确认的涨价趋势及向下游传导表明供应压力持续，需求强劲。
存储芯片价格波动
21:52影响评分 95
硅宝科技DDR4-3200内存暴涨至140.97美元
硅宝科技对损坏的2x8GB DDR4-3200内存条收取15%折旧费，而该型号当前市场价已飙升至140.97美元，远超原购价54.97美元。用户本期望获得更换，却因厂商政策仅获部分退款，凸显了该特定SKU在二级市场的巨大价差。
利多
DDR4-3200现货价格，表明该特定型号面临严重缺货或需求激增。
DDR4-3200 RAM 2x8GB RAMSilicon Power价格波动
21:37影响评分 95
DRAM现货价冲高13美元后趋稳，NAND闪存月涨34%
2月通用PC DRAM（DDR4 8Gb）均价达13美元创历史新高，NAND闪存（128Gb MLC）均价涨至12.67美元月增34%。AI热潮导致主要制造商产能集中于高价值产品，通用存储供应持续短缺。
利多
NAND价格预计下半年维持上涨趋势，DRAM价格短期见顶后趋于稳定。
DRAM NAND Flash价格波动
19:40影响评分 98
长鑫科技估值1500亿，DDR5价格涨超300%
长鑫科技拟募资295亿元，投前估值约1500亿元，DDR5价格下半年涨幅超300%。受AI服务器需求激增及三星美光产能转向HBM影响，DRAM供需错配导致价格暴涨。
利多
长鑫科技产能利用率达94.63%，预计Q4实现首次盈利，国产存储龙头地位确立。
DRAM DDR5 DDR4CXMT、GigaDevice 等 4 家价格波动
19:36影响评分 98
澜起科技净利预增52%至66%，DDR5价格涨379%
澜起科技2025年前三季度营收40.58亿元（同比+57.83%），净利润16.32亿元（同比+66.89%），存货减值拨回3085万元。受益于AI服务器出货激增及DDR5渗透率提升，存储芯片价格大幅上涨，带动内存互连芯片市场扩容。
利多
公司预计2025年归母净利润21.5-23.5亿元，同比增长52.29%-66.46%。
DDR5 DDR4 Memory Interconnect ChipsLanjing Technology、Samsung Electronics 等 4 家财报业绩
18:26影响评分 98
DRAM NAND合约价月涨24%至65%
截至1月，DRAM和NAND闪存价格均创2016年以来最高，DDR4合约均价11.5美元，NAND闪存均价9.5美元。受AI算力需求爆发、头部厂商减产保价及原材料涨价影响。
利多
年内供需缺口持续，价格将向下游传导，联想等厂商已提价。
DRAM NAND Flash DDR4Samsung Electronics、SK Hynix 等 8 家价格波动
17:12影响评分 95
DRAM与NAND闪存合约价1月环比大涨24%及65%
国家发改委价格监测中心数据显示，1月主流DRAM（DDR4 8Gb）合约价环比涨24%至11.5美元，NAND闪存（128Gb）合约价环比涨65%至9.5美元，均创2016年以来新高。此轮上涨主因AI服务器算力需求爆发式增长与产能紧缺，供不应求局面预计年内持续。
利多
具体型号价格涨幅明确且持续扩大，已直接传导至联想、戴尔等终端产品提价，对交易决策构成直接影响。
DRAM NAND Flash价格波动

2026年3月2日 周一

2026年3月1日 周日

2026年2月28日 周六

2026年3月2日周一

2026年3月1日周日

2026年2月28日周六