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2026年3月3日周二

8 条

07:26影响评分 95
Resonac上调CCL价格30%，AI需求驱动PCB涨价
日本材料巨头Resonac自3月1日起将CCL及粘合胶片价格上调30%。涨价由AI强劲需求驱动，预计将传导至HDI板、IC载板及高频高速PCB等高端制造环节。
利多
明确的、大幅度的直接涨价，且传导路径清晰。
CCL HDI IC载板Resonac价格波动
07:19影响评分 95
小米卢伟冰预警存储涨价至2027年底
小米总裁卢伟冰在MWC 2026表示，当前存储芯片涨价史无前例，预计将持续至2027年底。此轮涨价由AI及高端手机需求驱动，且产能扩张有限。
利多
主要终端厂商高管明确看涨至2027年，证实存储芯片供应将持续紧张，价格上行压力明确。
DRAM NAND FlashSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家价格波动
07:07影响评分 95
中东冲突致原油暴涨超6%，欧洲天然气飙涨50%
WTI原油期货收涨6.28%至71.23美元/桶，布伦特原油涨6.68%至77.74美元/桶，因沙特最大炼油厂遇袭及霍尔木兹海峡关闭。欧洲天然气期货盘中暴涨超50%，汽油期货涨超20%，卡塔尔LNG工厂与沙特炼油厂停产加剧供应危机。
利多
地缘冲突引发能源与关键工业金属（铝）价格直接飙升，将显著推高全球半导体制造与物流成本。
WTI Crude Oil Brent Crude Oil European Natural GasSaudi Aramco价格波动
07:02影响评分 95
内存报价同比涨4倍，涨价周期或延至2027年
小米卢伟冰确认，一季度内存全球报价已达去年同期4倍，影响所有消费电子玩家。涨价源于供应紧张，预计将持续至2027年底。
利多
官方确认价格暴涨且周期延长，供应链成本压力明确，将传导至终端产品售价。
DRAM价格波动
06:15影响评分 98
Resonac上调CCL及胶片价格30%
Resonac于3月1日起上调CCL及粘合胶片价格30%。在AI强劲需求拉动下，涨价预期将传导至MLCC、HDI板及高频高速PCB等高端制造环节。
利多
PCB产业链，专用AI推理芯片将推动行业量价齐升。
CCL MLCC HDI板Resonac价格波动
03:51影响评分 98
NAND价格暴涨3至4倍，厂商要求预付
Phison要求客户预付货款，NAND供应商同步收紧付款条款。受NAND价格较2025年Q2暴涨3至4倍影响，供应链资金链极度紧张。
利多
NAND及SSD价格将持续承压上涨。
NAND Flash SSDsPhison、SanDisk 等 4 家缺货预警
01:13影响评分 98
NAND Flash价格暴涨500%，厂商收预付款
NAND Flash价格在过去六个月内暴涨近500%，迫使Phison要求客户预付货款。Phison作为主要SSD控制器厂商，为应对需求激增导致的供应链结算加速，要求客户以预付款形式锁定采购额度。
利多
NAND Flash价格及存储供应链，预付款机制证实了当前极度紧缺的市场状态。
NAND Flash SSDs ControllersPhison、Samsung Electronics 等 3 家价格波动
01:13影响评分 98
NAND闪存半年涨500%，Phison收预付款
Phison要求客户预付货款，因NAND闪存价格半年暴涨500%。需求激增迫使供应链寻求更快的结算方式，客户需以预付款形式锁定库存。
利多
NAND闪存及SSD价格，显示当前市场极度缺货。
NAND Flash SSDs Phison ControllersPhison、TSMC 等 3 家缺货预警

2026年3月2日周一

12 条

23:40影响评分 95
存储股普跌，希捷跌7%西部数据跌5%
美股存储板块普跌，希捷跌近7%，西部数据与闪迪跌超5%，美光跌近3%。此次下跌反映市场对硬盘、闪存及内存产品需求的悲观情绪。
利空
相关公司股价下跌预示存储芯片现货价格与短期需求面临压力。
HDD NAND Flash DRAMSeagate Technology、Western Digital 等 3 家价格波动
23:30影响评分 95
存储成本飙升，中国手机厂商一周内启动涨价
据渠道报告，受存储芯片成本飙升驱动，中国智能手机市场首轮涨价潮预计一周内启动。新机型起售价预计上调600-1000元，中高端旗舰机型涨幅达2000-3000元。
利多
存储成本压力直接传导至终端产品价格，确认短期上行压力。
DRAM NAND Flash价格波动
22:49影响评分 95
DRAM与SSD价格2026年将暴涨130%
Gartner预计，到2026年底DRAM与SSD合计价格将飙升130%，导致PC价格上涨17%，并使500美元以下入门级PC市场在2028年前消失。价格上涨根源在于AI数据中心吞噬存储供应，定价权已向供应商转移。
利多
核心存储组件价格涨幅明确且巨大，表明供应持续紧张及AI基础设施需求强劲。
DRAM SSDSamsung Electronics、SK hynix价格波动
21:10影响评分 95
DRAM与NAND闪存Q1合约价暴涨超55%
2026年Q1通用DRAM合约价环比暴涨55%-60%，NAND闪存价格环比上涨33%-38%，智能手机存储芯片采购成本较去年同期上涨超80%。小米高管判断此轮涨价将持续至2027年底，存储芯片在手机整机成本占比已从10%-15%飙升至20%以上。
利多
存储芯片价格已出现明确、大幅且预计长期的上涨，直接影响采购与终端成本。
DRAM NAND Flash价格波动
18:37影响评分 95
存储芯片报价同比暴涨近4倍，涨势或延续至2027年底
小米总裁卢伟冰称2026年一季度存储芯片报价同比暴涨近4倍，并预计此轮涨价将持续至2027年底。涨价由供需失衡驱动，已冲击整个消费电子产业链。
利多
行业核心高管确认价格极端上涨及长达三年的涨价周期，预示存储芯片采购成本将持续承压上行。
NAND Flash DRAMSamsung Electronics、SK hynix 等 3 家价格波动
17:05影响评分 95
美光西部数据希捷盘前齐跌超3%
美光科技盘前跌3.6%，西部数据跌3.8%，希捷科技跌3%，美股存储板块普跌。市场情绪转向负面，或预示现货市场承压。
利空
直接的价格下行信号，影响存储组件交易决策。
DRAM NAND Flash HDDMicron Technology、Western Digital 等 3 家价格波动
16:48影响评分 95
存储芯片现货价同比飙涨近4倍，涨势或延续至2027年底
小米总裁卢伟冰预计本轮存储涨价将持续至2027年底，为一前所未有的长周期，其中2026年一季度现货报价同比暴涨近4倍。涨价由行业结构性因素驱动，已波及整个消费电子领域。
利多
来自头部手机厂商的明确、量化长期涨价预期，为存储芯片交易提供强烈的看涨信号。
NAND Flash DRAM价格波动
12:50影响评分 95
LPDDR价格逼近三倍，安卓手机普涨2000元
Counterpoint报告指出，受内存短缺影响，2026年全球智能手机出货量将创13年新低。安卓品牌手机价格普涨1000至3000元，主因是LPDDR4与LPDDR5价格预计将攀升至2025年第三季度的近三倍。
利多
内存芯片价格将维持强势。
LPDDR4 LPDDR5 DRAMCounterpoint Research、OPPO 等 7 家价格波动
12:34影响评分 95
三星SK海力士计划2026年Q2上调DRAM价格
三星电子与SK海力士已通知客户计划在2026年第二季度上调DRAM价格并启动谈判。此举反映AI需求激增及交易模式向大买家倾斜。
利多
明确的DRAM涨价信号，预示供应趋紧与需求强劲。
DRAMSamsung Electronics、SK Hynix价格波动
12:04影响评分 95
思特威对安防/AIoT CIS产品涨价10%至20%
思特威宣布自3月1日起，对三星代工的智慧安防/AIoT CIS产品涨价20%，对晶合集成代工的同类产品涨价10%。涨价主因是全球存储芯片短缺导致上游晶圆厂成本压力传导。
利多
针对特定产品的明确涨价函将直接推高采购成本与现货市场价格。
CMOS Image SensorSmartSens Technology Co., Ltd.价格波动
09:37影响评分 95
G.652.D光纤价格飙涨至50元/芯公里
G.652.D单模光纤价格已从去年低点的18-19元/芯公里上涨至目前最高约50元/芯公里。本轮涨价由AI算力需求驱动，光纤行业正步入景气周期。
利多
核心原材料价格出现明确、大幅上涨，直接利好光纤光缆制造商及供应链。
G.652.D单模光纤烽火通信、特发信息等 6 家价格波动
09:29影响评分 95
半导体及AI板块普跌，创业板指低开1.61%
A股及港股半导体、AI应用、算力硬件等板块全线低开，创业板指跌1.61%，恒生科技指数跌1.78%。市场避险情绪升温，资金流向油气及黄金等防御性板块。
利空
半导体及科技股出现明确抛售信号，对相关电子元件现货及期货交易构成直接负面冲击。
AI应用芯片半导体算力硬件华虹半导体价格波动

2026年3月3日 周二

2026年3月2日 周一

2026年3月3日周二

2026年3月2日周一