存储芯片短缺致PC手机涨价，年内供不应求
AI需求暴涨导致存储芯片严重短缺，价格大幅上涨，联想、戴尔等PC厂商调价500-1500元，小米、vivo等手机新品存储版本涨价300-500元。发改委确认存储芯片处于上涨周期，供不应求局面年内将持续。
利多
成本压力明确传导至终端产品，印证上游存储芯片涨价趋势明确且持续。
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重要事件
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2026年3月5日 周四
9 条影响评分 95 影响评分 95 南亚科技Q1 DRAM涨50%，Q2合约价再跳涨
南亚科技报告称第一季度DRAM合约价上涨约50%，第二季度合约价预计将再次大幅跳涨。价格上涨由三星等大厂引领，供应紧张预计将持续至2024年下半年。
利多直接确认DRAM合约价大幅连续上涨，供应紧张态势明确。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、Nanya Technology
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影响评分 96 三星DRAM合约价Q1涨幅超100%
三星电子2026年第一季度DRAM合约价涨幅超100%，较1月约70%的涨幅进一步扩大。此举源于存储芯片供应持续紧张及原厂强势定价策略。
利多确认的巨额涨价直接反映严重短缺，将立即推高采购成本与现货市场价格。
- 相关厂商
- Samsung Electronics
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影响评分 95 三星DRAM一季度涨幅上调至100%
三星电子已完成一季度供货谈判，将通用DRAM价格同比涨幅从70%上调至100%，部分产品涨幅更高。此次涨价由AI基础设施投资热潮推动，供需持续紧张导致行业合约周期从年度压缩至季度甚至月度。
利多价格涨幅翻倍上调，确认DRAM市场极度短缺，将直接推高所有下游电子产品的物料成本。
- 相关厂商
- Samsung Electronics
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影响评分 95 博通预计明年AI芯片销售额超千亿
博通CEO预计2025年AI芯片销售额将超1000亿美元，本季度营收达107亿美元。受此指引提振，博通股价尾盘上涨约4%。
利多表明定制AI芯片需求强劲，供应链已确保。
- 相关厂商
- Broadcom
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影响评分 98 村田TDK电感涨价超100%，2026年开启新一轮涨价
村田与TDK计划2026年将电感器价格上调超100%，涵盖铁氧体磁珠及高频电感。此举标志着全球被动元件进入新一轮涨价周期。
利多现货价格预计将显著上涨，供应链紧张加剧。
- 相关厂商
- Murata Manufacturing、TDK Corporation
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影响评分 92 MGC覆铜板跟涨30%，IC基板玻璃纤维布短缺加剧
MGC跟随Resonac将覆铜板价格上调30%，主因英伟达与苹果需求加剧了IC基板用高端玻璃纤维布的短缺。材料短缺迫使供应商向下游传导成本，挤压自身利润。
利多关键基板材料的直接、量化涨价，预示下游元件成本将持续承压。
- 相关厂商
- Mitsubishi Gas Chemical (MGC)、Resonac
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影响评分 95 三星上调DRAM Q1涨幅预期至100%
三星电子将Q1 DRAM价格涨幅预期从70%上调至100%，NAND闪存预计涨价90%。主因是供需严重失调。
利多现货价格将受此预期驱动继续上涨，采购成本压力激增。
- 相关厂商
- Samsung Electronics
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影响评分 95 三大厂DRAM合约价Q1涨超100%，Q2再涨40%
南亚科技证实一季度DRAM价格逐月上涨，二季度报价将大幅跳升，供应紧张态势预计持续至2028年下半年。三星、SK海力士和美光一季度DRAM合约价涨幅超100%，二季度合约价涨幅预计达40%。
利多主要供应商因持续结构性短缺推动季度乃至月度议价，导致合约价格连续大幅上涨。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology、Nanya Technology
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2026年3月4日 周三
11 条影响评分 98 DDR5价格飙涨7倍，黄牛扫货供应链
黄牛机器人高频监控DDR5供应链，单次刷新间隔6.5秒，累计请求超千万次。AI数据中心预计2026年将消耗全球70%内存产能，挤压其他细分市场库存。
利多DDR5现货价格已从零售价118美元飙升至830美元以上，涨幅超7倍。
- 相关厂商
- Micron、Samsung、SK Hynix
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影响评分 92 美光科技涨超3%，闪迪涨4%
美光科技涨超3%，闪迪涨4%，西部数据涨超2%。美股开盘三大指数集体高开，存储概念股领涨。
利多市场情绪回暖，资金流入存储板块。
- 相关厂商
- Micron Technology、Western Digital、SanDisk
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影响评分 95 影响评分 98 三星Q1 DRAM合约价涨幅上调至100%
三星电子Q1 DRAM合约价涨幅最终敲定在100%以上，SK海力士与美光已跟进同等涨幅。涨价核心驱动力为AI投资热潮导致HBM产能挤占通用DRAM供给，同时终端需求旺盛。
利多三大原厂集体大幅提价且谈判周期缩短，供需失衡推动的价格涨势预计延续至第二季度。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology
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影响评分 95 DRAM合约报价周期缩短至每小时
SK海力士、三星和美光因AI需求激增，已将DRAM合约报价周期缩短至每小时。市场分化为两大阵营：大型云厂商和头部终端客户获得优先供应，而大量中小企业因现金流和议价能力不足面临成本飙升。
利多此举证实DRAM供应极度紧张，现货及短期合约价格面临直接且持续的上行压力。
- 相关厂商
- SK hynix、Samsung Electronics、Micron
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影响评分 95 华硕RTX 50系列显卡在华涨价，GDDR7短缺
华硕上调中国区GeForce RTX 50系列显卡售价，RTX 5090 D v2涨价约500元，其他型号涨幅14.5至45美元。此次调价源于行业内存组件短缺，GDDR7供应紧张，而AMD Radeon因GDDR6供应较好价格不变。
利多特定GPU型号直接涨价，显示GDDR7内存供应面临即时压力。
- 相关厂商
- ASUS
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影响评分 95 存储芯片现货价飙涨369%，联想部分电脑提价超千元
联想已向渠道商下发调价函，部分电脑型号终端零售价涨幅最高超1000元。此次调价源于上游存储芯片价格飙升，截至2026年1月，全球DRAM与NAND闪存价格创统计新高，DDR4 8Gb颗粒现货价从3.2美元涨至15美元。
利多核心存储元器件现货价格暴涨正传导至终端产品，确认上游供应紧张对下游成本的直接冲击。
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影响评分 95 DRAM现货价周涨2.1%，持续高于合约价
主流DDR4 1Gx8 3200MT/s现货均价周涨2.10%至33.02美元，现货价持续高于合约价。当前现货市场交易清淡，市场观望Q2合约价谈判。
利多现货价格上涨且对合约价保持溢价，显示短期供应偏紧。
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影响评分 95 512Gb TLC晶圆现货价周涨14.7%
512Gb TLC晶圆现货价本周跳涨14.7%，平均报价超20.586美元。部分交易商在农历新年前为回笼资金而抛售，导致价格短暂小幅回落，但整体趋势仍在上行。
利多现货价格周度大幅上涨显示NAND市场上升动能强劲，但买家观望情绪可能抑制实际成交量。
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影响评分 95 DDR4/DDR5现货价跌，DDR3颗粒涨2.65%
集邦数据显示，DDR4 16Gb (2Gx8) 2666现货价下跌0.35%至70.75美元，DDR3 2Gb 256Mx8 1600/1866则上涨2.65%至3.875美元。价格分化源于新旧技术平台需求转换与库存调整。
利空主流DDR4/DDR5颗粒最新报价走弱，显示现货供应压力缓解。
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影响评分 95 国巨三度上调聚合物钽电容价格
国巨集团通过子公司基美宣布，对部分聚合物钽电容产品进行价格调整，新价格将于4月1日生效。这是国巨对该类产品进行的第三次调价。
利多对特定被动元件施加直接的上行价格压力，影响采购成本。
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- 国巨集团、基美
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