台积电N2产能售罄至2026
TSMC N2产能已售罄至2026年，Apple及Nvidia等大客户锁定份额。AI加速器需求激增导致晶圆面积紧缺。
利多
TSMC计划2026年CAPEX激增至520-560亿美元以应对供应紧张。
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重要事件
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2026年3月6日 周五
9 条影响评分 92 影响评分 95 三星电子Q2 NAND涨价100%
三星电子计划将Q2 NAND价格上调100%，与一季度持平。AI需求爆发及厂商削减NAND产能转向HBM，导致供需失衡加剧。
利多行业龙头提价将带动SK海力士、铠侠等跟进，价格强势周期延续。
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影响评分 92 存储成本推高 vivo OPPO 手机涨价，顶配涨500元
vivo X300 Pro 全系新增北斗卫星通信版，顶配 16GB+1TB 售价 7299 元，全系涨幅约 500 元。受存储成本上涨影响，OPPO 在售机型也将于本月涨价。
利多NAND Flash 需求与价格。
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- vivo、OPPO
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影响评分 95 OPPO手机在台涨价2000至5000新台币
OPPO宣布自3月11日起，对中国台湾市场Reno15及A6系列指定型号智能手机进行结构性调价，涨幅为2000至5000新台币。此次调价归因于2026年全球半导体与存储器成本大幅波动及供应链结构性缺货。
利多主要终端品牌明确量化涨价，直接印证上游元器件成本压力持续及供应紧张风险。
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影响评分 95 NAND晶圆现货价单月飙涨25%，DRAM合约价预测翻倍
2026年2月，1Tb TLC NAND闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，DDR5 16Gb芯片均价亦环比上涨7.4%。AI基础设施需求导致产能优先分配至高利润服务器内存，消费级NAND及常规DRAM供应严重不足。
利多现货与合约价预测均大幅上修，供应结构性压力持续。
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影响评分 95 三星DRAM季度合约价涨约100%
三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%。该消息直接刺激A股存储芯片概念股盘中活跃。
利多明确的、全产品线季度合约价大幅上涨，为现货及后续合约价格提供强劲上行指引。
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影响评分 95 NAND闪存晶圆现货价单月飙涨25%
2月NAND闪存晶圆现货价飙升25%，1Tb TLC型号达25美元；DRAM现货价亦普涨，DDR5 16Gb均价升至39美元。北美AI基础设施需求抢占产能，导致消费级存储供应严重不足，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预测上调至90-95%。
利多现货与合约价格同步大幅跳涨，供应结构性短缺明确，采购压力加剧。
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影响评分 95 存储芯片涨价倒逼vivo手机全系调价10%-15%
vivo计划自3月15日起全系手机涨价10%-15%，已发布的X300系列预计上调400-500元。此次调价由上游存储芯片价格持续暴涨驱动，业内预计其他主流品牌将同步跟进。
利多终端产品价格大幅上调直接印证了存储芯片成本压力，强化了现货市场供应紧张和价格上涨的预期。
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影响评分 95 电视面板3月全线上涨，显示器面板价格同步上扬
3月电视面板价格全面上涨，32/43/50英寸涨1美元，55英寸涨2美元，65/75英寸涨3美元。北美渠道提价及需求稳定支撑面板厂涨价信心，带动显示器面板价格同步上扬。
利多面板价格上行趋势明确，供应链采购成本面临上涨压力。
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2026年3月5日 周四
11 条影响评分 95 NAND晶圆现货价单月飙涨25%，DRAM合约价预期上调
2026年2月NAND闪存晶圆现货价环比飙升25%，1Tb TLC达25美元；DDR5 16G芯片均价涨7.4%至39美元。价格上涨核心动力来自AI基建吸收服务器DRAM/HBM产能，以及存储厂商将更多NAND产能转向企业级SSD。
利多现货价格持续快速上行，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预期上调至90-95%，供应趋紧态势明确。
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影响评分 95 高盛上调博通目标价至480美元
高盛将博通目标价上调至480美元，并大幅上调FY26至FY28年AI半导体收入预测。公司已锁定关键零部件供应至2028年，且良率改善将支撑利润率。
利多供应链安全与强劲客户需求推动估值重估。
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影响评分 95 NAND晶圆现货价月涨25%，DRAM合约价预期翻倍
2026年2月现货市场1Tb TLC NAND晶圆价格环比暴涨25%至25美元，DDR5 16G芯片上涨7.4%至39美元。TrendForce将Q1 DRAM合约价涨幅预期从55-60%上调至90-95%，主因AI数据中心需求远超供给。
利多现货与合约价双重强劲上涨，预示存储芯片价格将持续承压上行。
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影响评分 95 存储巨头Q2 DDR5再涨40%，手机成本承压
三星与SK海力士已通知客户，2026年第二季度DDR5颗粒将统一涨价约40%，此前2025年第四季度存储芯片价格已上涨40-50%。本轮涨价由AI驱动的HBM需求激增引发，导致产能结构性转移，富国银行预计DRAM供应缺口达14%。
利多头部厂商明确发出大幅涨价通知，现货价格已处历史高位，供应紧张态势将延续至Q2并波及手机、汽车等终端行业。
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影响评分 95 DRAM现货价普涨，DDR5涨0.77%
DRAM颗粒现货价格普遍小幅上涨，其中DDR5 16Gb 4800/5600上涨0.77%至均价39.5美元，DDR4 16Gb 2666上涨0.35%至71美元。此轮上涨由现货市场持续的结构性供应紧张驱动，但DDR4部分颗粒出现下跌。
利多现货市场微涨印证供应偏紧，对短期DRAM价格构成支撑。
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影响评分 95 车规DRAM三月涨180%，星途ET5车型调价5000元
奇瑞星途将ET5高配版车型官方指导价上调5000元，公司回应调价背后有芯片涨价等因素。瑞银数据显示，近三个月车规DRAM整体价格已上涨180%，对车企供应链成本造成压力。
利多这是上游车规存储芯片成本上涨向下游传导的直接、量化信号。
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影响评分 95 内存现货价飙升加剧采购资金压力
内存现货价格因供需缺口扩大及制造商限供策略而快速上涨，加剧供应链采购资金压力。现货与合约价差扩大正加剧行业周期失稳风险。
利多现货价格面临直接上行压力，采购成本上升。
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影响评分 95 MOSFET涨价超10%，三星DRAM涨价
3月1日起MOSFET等功率半导体价格普涨超10%，三星DRAM亦宣布涨价。AI浪潮驱动算力需求爆发，带动产业链复苏。
利多功率半导体及存储板块。
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影响评分 95 NAND合约价本季环比暴涨90%
TrendForce数据显示NAND合约价本季环比最高暴涨90%，上一季度涨幅已超30%。AI硬件建设热潮推高存储成本，导致Switch 2软件需求疲软。
利多NAND供应商，价格预计持续上涨。
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- TrendForce、Nextorage、Samsung、SanDisk、Kioxia、Micron、SK Hynix
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影响评分 95 NAND闪存Q1价格预计暴涨85-90%
TrendForce预计Q1 NAND闪存价格将环比暴涨85-90%。主要增长动力来自北美云服务提供商大规模部署AI服务器带来的企业级SSD需求。
利多价格涨幅明确，需求端驱动强劲，对NAND现货交易构成直接看涨信号。
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- Samsung Electronics、SK Hynix、Kioxia、Micron、Western Digital
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影响评分 95 vivo手机全系涨价15%，存储芯片成本传导
vivo将于3月15日起全系手机涨价10%-15%，X300系列预计提价400-500元。此次调价主因存储芯片成本大幅上涨，各品牌正消化低价库存以应对后续高成本生产。
利多终端品牌集体调价确认存储芯片成本压力已传导至消费端，预示上游存储芯片需求与价格获强力支撑。
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