TrendForce转发RT NEWS：NVIDIA OOI原型将光引擎置于硅中介层上，该方案仍处于研究阶段
TrendForce转发的RT NEWS消息称，光学封装正不断向ASIC靠近：从可插拔光模块发展到NPO和CPO，目前NVIDIA的OOI原型将光引擎置于硅中介层上。该方案仍处于研究阶段。原文未说明任何价格、供需或量产时间信息。
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TrendForce转发的RT NEWS消息称，光学封装正不断向ASIC靠近：从可插拔光模块发展到NPO和CPO，目前NVIDIA的OOI原型将光引擎置于硅中介层上。该方案仍处于研究阶段。原文未说明任何价格、供需或量产时间信息。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
文章介绍MEMS（微机电）开关正受到关注，称其在AI驱动的光网络、数据中心及其他领域日益普及，并被视为半导体开关的可靠替代品。光MEMS开关（光路交换机OCS）通过微镜阵列直接路由光信号，省去光电转换，可节省数据中心成本与功耗，分为2D和3D两类；RF MEMS开关分为欧姆（DC接触）和电容两类，可替代PIN二极管和FET。文中称MEMS开关比半导体对应产品小90-95%。同时指出局限：开关速度较半导体开关慢微秒级、需要高驱动电压、运动部件会磨损、需密封防潮；高效MEMS开关仍处于企业和供应商的研发阶段，AC/DC高功率处理系统尚待商业化。文中未提及任何价格、产量或订单数据。
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
据行业消息人士10月20日（原文未注明年份）称，三星电子计划使用2nm工艺制造其下一代M2800系列移动调制解调器芯片，从目前用于外置调制解调器的4nm工艺过渡；该外置5G调制解调器M2800计划于2027年完成开发，拟用于2028年发布的Galaxy S28系列，并与下一代Exynos 2800以双芯片配置搭配。调制解调器生产转向2nm将释放三星4nm产线产能，公司计划将其转用于HBM生产；行业人士称“三星代工正在将其大部分4nm产能转换为HBM制造”，4nm工艺用于制造位于HBM堆栈底部、含控制电路的基底裸片。三星将通过M2700继续使用4nm，M2700是配合2027年Galaxy S27系列中Exynos 2700的外置调制解调器；2026年Galaxy S26所用的Shannon 5410外置调制解调器（对外亦以Exynos Modem 5410销售）同样采用4nm工艺，三星在Galaxy S26和S26+的韩国版本中配备Exynos 2600与Shannon 5410组合，美国型号使用高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。行业人士称三星已停用Shannon调制解调器品牌并以M系列取代。M2700虽采用相同4nm工艺，但据报道在三星MX（Mobile eXperience）事业部内部测试中获得好评，与前代不同；其通过设计和软件改进提升功耗效率与数据传输速度，利用光学收缩（optical shrink）将芯片面积缩小约4%，并从3GPP Release 17升级至Release 18、改进NTN卫星通信能力。行业人士称，现有Shannon 5410在空闲功耗和标准功耗测量条件下落后于竞品，经电压调整等改进后，M2700性能据称与竞品相当或更优。上述2nm转向与4nm产能转用均为计划，其实现情况原文未证实。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026年全球压电偏摆台行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据该报告调研统计，2025年全球压电偏摆台市场销售额达到1.40亿元，预计2032年将达到2.55亿元，年复合增长率（CAGR）为9.0%（2026-2032）。压电偏摆台是利用压电执行器实现绕两个相互正交旋转轴精密角度调整的定位平台，应用于高精度光学对准、光束偏转等场景。报告覆盖产品类型细分（双轴、三轴、四轴及以上复合偏摆台）及应用细分（含半导体制造、光通信、工业激光设备制造等），并分析Physik Instrumente (PI) GmbH & Co. KG、piezosystem jena GmbH、SmarAct GmbH、attocube systems AG、哈尔滨芯明天科技有限公司等15家主要企业的市场占有率与排名。该内容为市场研究报告摘要，其中2032年数据为预测值而非已实现结果。
据快科技10月20日报道，DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，合作已超出通常的供应商与客户范畴，报道将其与中国两大科技企业加速降低对英伟达芯片依赖相关联。合作形式为华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及计算任务分配、处理器间数据传输等细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。下一步为训练环节全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前测试仍在推进；一次大规模预训练通常需要数千至上万颗AI芯片组成集群并连续运行数周。供应层面，华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，用于训练和推理。DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司最高优先事项之一。软件方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，与面向英伟达的组件一一对应，且每个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。IDC数据显示，2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。上述训练切换与产能分配均为计划，测试仍在推进。
据行业消息人士10月20日透露，波音近期请求韩华系统将战斗机显示器从液晶显示屏（LCD）转换为有机发光二极管（OLED）面板，韩华系统正在评估开发方案。韩华系统目前为波音F-15战斗机系列供应大面积显示器（LAD），并认为若必要的开发条件成立，OLED产品可在两到三年内开发出来。洛克希德·马丁等其他防务承包商也表达了采用OLED技术的兴趣；潜在应用包括正在进行延寿的F-15战斗机、F/A-18战斗机和阿帕奇攻击直升机，潜在替换需求估计为3,000至5,000架。韩国政府和韩华系统希望曾为KF-21和F-15开发军用LCD、并于2021年停止相关LCD生产的LG Display参与，但有限的市场规模仍是障碍——韩华系统估计实际只能获得数千套订单；一套完整战斗机座舱显示系统成本约100万美元，单块LCD面板价格堪比一辆中型轿车。韩国产业通商资源部产业成长局局长李珉宇9月17日在显示器日活动中表示，该部正计划与LG Display和韩华系统开展战斗机座舱OLED显示器研发项目；若项目推进，LG Display负责开发面板，韩华系统负责将其集成至航电设备。目前韩华系统的面板采购自台湾和日本供应商。
据快科技10月20日消息，论坛爆料者Kepler_L2在NeoGAF上提供的信息称，PlayStation 6的内存加闪存成本合计将超过680美元（约4552元人民币），这意味着即将推出的次世代主机零售价很可能突破1000美元（约6679元人民币）。原文说明，主机成本里最贵的两块是运行内存（分DDR和LPDDR两类）和闪存，不管PS6内存容量的各种传闻具体多少，按当前内存市场的价格水平，这两项成本就奔着680美元去了。爆料同时留有余地：Kepler_L2认为索尼和微软更可能的选择是在内存容量上退让，而不是硬扛高零售价引发消费者反弹。文中还提到历史参照PS3当年599美元定价换算到今天约一千美元、通胀贡献近七成，以及传闻称PS6可能有代号"Canis"的便携版本（如果成真则提供更亲民的价格选择）。以上均为爆料和传闻，尚非官方确认。
Genius Electronic Optical (GSEO) 已与 3M 成立战略合作伙伴关系，以共同开发、制造并扩大 3M Expanded Beam Optical (EBO) 解决方案的产能。作为交易的一部分，3M 将通过私募放方式投资新台币 48 亿元（约合 1.471 亿美元），预计将在 2026 年第四季度完成交易。原文未说明原因。
FIC Global董事长Leo Chien表示，公司目标在2027年实现业务翻倍，依据是已获得全球前十大厂商中八家的光模块订单（该目标及订单信息见于标题，正文未重复说明）。正文指出，PC市场持续受到内存短缺影响，2026年下半年出现有意义复苏的可能性不大；不过，部分工业电脑（IPC）业务，尤其是海事相关应用，已开始从低点回升。
英特尔宣称自己是唯一具备大规模供应300mm InP硅光子能力的代工厂，此为英特尔单方面的宣称，文中未提供独立验证。原文称英特尔正在扩展其硅光子能力，背景是AI和高性能计算领域对高带宽光互连的需求增长。文中提及NVIDIA、博通和TSMC正在推动CPO商业化，并提问这可能是否会给英特尔（Team Blue）带来竞争优势，属于推测性表述而非已证实的结果。
近日披露的A股相关产业链上市公司三季报、业绩预告及快报显示，算力需求正加快转化为上市公司的经营增量和盈利弹性：服务器、计算与存储芯片销售增长，高端覆铜板、印制电路板等环节盈利改善，需求进一步向光通信及生产测试设备等多环节传导。中国人民大学重阳金融研究院研究员刘英表示，算力需求通过扩大服务器、芯片、光通信等产品采购，带动相关制造业生产增长，并进一步拉动研发、扩产及设备投入；工业投资向算力、半导体和高端装备等领域集聚。
据National Business Daily报道，在中国半导体设备厂商于WESEMIBAY展示能力之际，思咖瑞(SiCarrier)称其全部半导体设备产品已进入量产，并已在多家中国晶圆厂投入使用；报道称具体客户名称、设备安装数量及各型号产量仍未获证实。本届展会上，思咖瑞展示了工艺设备与检测量测系统两大产品类别，涵盖扩散、薄膜处理、光学检测和光学量测；据21jingji，其设备手册披露两款此前未亮相的产品：用于光罩缺陷检测的PMI（六盘山）和用于AI驱动纳米级晶圆缺陷检测的mEBI（井冈山）。据Nikkei，思咖瑞据报道与华为有关联并获深圳政府支持，此前因宣称开发出可生产28nm芯片的关键光刻机而受到关注。子公司奇云坊正将EDA组合从去年推出的原理图与PCB设计工具扩展至更完整的电子设计工具链；据National Business Daily，其现有EDA工具聚焦原理图绘制与PCB布局而非芯片级EDA，芯片级EDA仅处于前期研究且尚无清晰产品路线图；据Economic Observer，其原理图与PCB设计软件已被超过100家企业客户采用，使用工程师数量从去年的2万人增至5万人。子公司Long Sight的90GHz超高速实时示波器已进入商用，据Mydrivers报道称已被华为及其他中国公司和研究机构采用，多位中国头部客户用于研发测试，公司代表称需求正超过产能；该示波器带宽90GHz、全球排名第二，并被视为中国在西方对超过60GHz设备实施出口限制品类中的一次突破。据上海证券报，Long Sight还推出了用于1.6T光模块及单通道200G互连测试的65GHz光采样示波器，以及用于6G研究的110GHz频谱分析仪和67/110GHz矢量网络分析仪，全系列产品在本届WESEMIBAY展出。
Marktech Optoelectronics Inc（美国纽约州Latham）及其器件制造合作伙伴Optrans宣布扩展其四通道铟镓砷（InGaAs）PIN光电二极管产品组合，该产品组合面向同时需要红外探测和位置信息的光学系统。该组合结合了常规1.7µm截止波长和扩展2.6µm截止波长的InGaAs技术，为激光对准、光束跟踪、光学反馈和分析仪器等应用的光学系统设计者提供更多选择。此为产品组合扩展公告，原文未说明原因。
AI数据中心的需求推动光纤需求，导致全球光纤供应预计在2026年出现1.8亿光纤公里的缺口。随着现货价格在2026年暴涨数倍，芯片制造商和电信运营商面临应对挑战。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。