SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
- Related manufacturers
- SECO
- Impact score
- 60 / 100, medium impact
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布,其与英伟达推进合作,将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成,旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称,该集成可使全芯片光学校近校正(OPC)工作负载速度提升至多12倍;西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务,并不等同于整个芯片制造流程的等效加速,也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上:在极小尺寸下,衍射等物理效应会扭曲投影图像,而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)视为一大挑战。西门子还表示,加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天,并可能降低能耗和计算基础设施占用;其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
据原文,2025年第二季度起,三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产(停产为表态/计划性质,尚非已完成的全面停产);到年中,消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元,到今年10月冲至46.321美元,11个月涨286%。原文给出的原因是:最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5,头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上;HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%,二季度再涨58%至63%,摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上(预测)。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%;今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%,归母净利润776.05亿元(上年同期亏损23.32亿元);前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元(上年同期亏损52.8亿元),二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面,现有月产能机构口径不一,方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上;上海新厂已启动设备招标,具备月产超10万片潜力。技术方面,长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM,预计年底前推出;4F²单元面积减约三分之一,同面积存储密度可提升30%至50%;三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后,SK海力士预计更晚。
摩根士丹利首席股票策略师Michael Wilson在最新客户报告中认为,美股持续数月的内部调整正接近尾声,投资者应准备增加风险敞口。其依据是:质量因子综合指数升至52周新高(自8月中旬以来累计上涨约6%),同期等权重标普500指数自8月14日高点以来累计下跌近4%;高质量与低质量股票盈利修正广度差距扩大至约10%,为2010年以来第二高水平;周期性板块(金融、工业、非必需消费品等)估值已大幅压缩。Wilson将周期转换起点追溯至2025年4月的"解放日",并指出其在6月识别出低质量早周期领涨股(半导体、非必需消费品、金融)盈利修正广度的变化率见顶,叠加美联储新主席上任带来的更鹰派政策取向,确认中周期过渡到来。摩根士丹利经济学家预计美联储将在10月维持利率不变。盈利方面,Bloomberg Intelligence估算标普500成分股第三季度盈利预计同比增长约24.6%,摩根士丹利数据显示第三季度EPS预期同比增长27%,2026年和2027年EPS增速预期分别为33%和16%;Wilson估算2027年超大规模云计算商及新兴云服务商的AI资本开支总额将达1.58万亿美元,其中约65%将流入标普500公司,AI相关公司2027年盈利增速预计达25%,而非AI公司仅为4%。Wilson建议优先布局高质量股票,并点名资本品板块及摩根士丹利筛选出的"高质量+盈利修正向上"股票池(含信息技术领域的苹果、博通、美光等),该筛选条件为市值前1000、质量综合评分前四分位、近期NTM EPS上调且获摩根士丹利增持评级。
TrendForce集邦咨询表示,2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server(服务器)应用的高性能产品,整体维持供不应求格局,但合约价涨势放缓,预计Conventional DRAM(一般型DRAM)合约价将季增10%-15%;NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出,第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期,AI算力端需求虽有支撑,但消费终端采购需求受到抑制,市场博弈加剧,整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日,长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告:预计收入2650亿元至2700亿元,同比增加2329.16亿元至2379.16亿元;归母净利润1310亿元至1325亿元,同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元(同比增长873.64%)、净利润776.05亿元,由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元(环比增长约15.25%至20.3%)、净利润约533.95亿至548.95亿元(环比增长约1%至3.9%),相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓;江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日,长鑫科技公告称,董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份,回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面,长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂,单座工厂月晶圆产能可达10万片,并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线;北京晶圆厂运营主体长鑫集电(北京)存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿,增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市,募资净额663.1亿元投向技改升级项目(非新建产能);2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元,占期末资产总额38.79%,计提折旧145.10亿元,同比增加27.85%。文章分析称,若DRAM价格涨幅继续放缓,公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时,被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力,他回应称“现在我认为,差距并没有那么大”;他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本,也未给出量化指标,原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板,并提到地缘政治限制带来的敏感问题,但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括:ASML此前确认其EUV系统销售已受限制,荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度;上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型,公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%,但这些为企业公布指标,未经独立验证,朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成,重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年,并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
TDK InvenSense正在为人形机器人关节开发低成本磁性传感器技术。TDK副总裁Jung Do-hyung于10月16日在首尔COEX举行的THE ELEC'Semiconductors Powering Humanoids'会议上表示,公司正与机器人制造商合作开发基于磁性传感器的关节测量方案。该方案采用一个磁铁加一个传感器的简单配置测量关节角度,可能在手指等关节中替代编码器,使用TMR传感器和霍尔传感器:TMR通过磁场引起的电阻变化测量,精度高于通过磁场产生电压测量的霍尔传感器,霍尔传感器还可检测球形关节的三维位置。其背景原因是关节增多时传感器成本上升,手指多关节集中于狭小空间。Jung表示,仅需要角度测量的应用精度可能低于编码器,但传感器更小、功耗更低且便宜得多;公司同时为需要精确位置控制的关节开发磁性编码器,并将此前用于智能手机和汽车的磁性传感技术应用于机器人关节。
据行业消息人士10月19日消息,三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版(FMM)的7英寸级OLED原型,并准备采用其自主的Micro Patterned OLED(MPO)技术制作工程样品(ES)。该项目自3月启动,并非针对特定客户,而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发;初步目标为2026年底,若样品准备情况不足,开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态:2025年9月,三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术,但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符,商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后,开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当,与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同;行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率,但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM,且据称在制造后移除隔离结构,与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同;业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示:更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数,省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示,一旦7英寸级样品可用,即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元,较上季度增长96%和124%;收入同比增长460%,营业利润转正。截至10月,公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单,是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多,增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘(SSD)控制器的开发,计划年底开始全规模销售,同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目(OCP)全球峰会上,FADU发布了文件语义SSD(FS-SSD)技术,使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合,超越功率管理集成电路(PMICs)和防掉电保护IC(PLP ICs),将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
SK hynix于10月19日宣布,将与商业银行共同出资2万亿韩元,支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式,出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用;SK hynix和参与银行出资,K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书,受益方名单未披露。据SK hynix称,供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会,难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施;Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施,项目价值8700亿韩元,旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Infineon 在 SEDEX 2026(于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行)上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案,重点是微控制器(MCU)、功率半导体和触觉传感器,并展示了配备 MCU、氮化镓(GaN)功率半导体及功率/位置传感器的驱动板,可驱动最高 1.2 千瓦的电机,尺寸约 66 毫米。
Qualcomm于10月19日宣布,将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会(10月19日至23日,江原道江陵奥林匹克公园)上展示基于车联网(V2X)通信的交通安全技术与服务,并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务,涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术,包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族,推出新的PSC3M/P6系列,将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机,同时支持后量子密码学(PQC)要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者(原文列表在此截断)。原文未说明价格或供货时间等细节。
微软已早期采用台积电2nm工艺。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
背景性文章(系列上篇)回顾台积电成功的渊源:其现代成功可追溯至美国国防高级研究计划局(DARPA)发出的一项公开征集,寻求能够突破25nm物理极限的创新设计。时任加州大学伯克利分校教授的胡正明(Chenming (Calvin) Hu)是响应者之一,他后来于2001年成为台积电首任首席技术官。文章未涉及任何价格、产能、库存或供需现状信息,原文未说明原因(无具体事件原因)。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇,历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争,经过三十年的繁荣与衰退周期后,其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向,利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业,推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸,可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
Elektrobit与Microchip合作,将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力相结合,以简化并加速汽车制造商和供应商的AUTOSAR-based软件开发,帮助客户更快建立生产就绪的软件基础。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |