东京大学合成1纳米MoS₂纳米管
东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
利多
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
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东京大学团队在《Science》发表论文，利用BN纳米管作为模板合成了1纳米MoS₂纳米管。该成果验证了理论预测并展示了结构控制潜力，但距离实际应用还很远。
关注：技术突破为未来超小型半导体通道提供新路径，但距离量产应用尚远。
ASML2025年出货131台DUV光刻机，营收327亿欧元。受荷兰出口管制影响，中国客户2024年占其DUV出货量的七成。
光刻机市场，ASML订单积压达388亿欧元。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
环洋咨询发布2026年全球硅基氮化镓模板市场报告，覆盖IQE、Soitec及国内厂商。报告预测2021-2032年市场规模并分析竞争格局。
提供战略参考但无即时供需冲击。
ST微电子的LSM6DSV32X惯性传感器和ST54L NFC控制器已获Qualcomm Snapdragon Wear Elite平台预验证。该平台为3nm制程，三星、谷歌等大厂将采用。
该合作确认了ST在高端穿戴设备供应链中的地位，利好相关传感器及NFC芯片需求。
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