三星将取消折叠屏手机免费双倍存储升级，改为补贴50%差价。原因是内存成本上涨，且S26系列已提价。利多 NAND Flash 价格，显示上游成本压力传导至终端。

PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。利多。硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。

TrendForce预测SLC NAND价格将在2026年下半年上涨120%至170%。高价值产品挤压成熟节点产能导致MLC NAND短缺，工业和汽车客户被迫转向SLC NAND。利多。供需失衡将推高利基存储价格。

国金证券研报指出，2026年Q2 DDR5合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价上涨70%至75%。受AI算力驱动及海外设备交付周期拉长至12至24个月影响，存储供需失衡加剧。利多存储价格及国产设备订单，重点关注量检测与FT测试设备。

SK海力士CEO预测2027年为最差年份，短缺将持续至2030年。AI数据中心需求激增及HBM产能紧缺是主因。利多，供需缺口扩大，价格维持高位。

苹果2026年新品全线涨价，DRAM与NAND闪存价格同比翻倍。AI产业疯狂抢占存储产能，2nm先进制程与自研基带推高整机成本。利多存储与先进制程板块，供需紧张将持续推高价格。

苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。

SK 集团会长崔泰源称 AI 驱动内存需求呈指数级增长，客户要求目前可用水平的 5-6 倍供应。尽管 SK 海力士计划未来五年产能翻倍，但供不应求局面难缓解。利多，结构性短缺支撑价格。

三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元，受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。利多存储现货价格。

Phison 1H26营收破千亿新台币，6月移动控制器出货同比增47%，PCIe SSD启动盘出货暴涨5600%。尽管全球智能手机出货量预期下滑，但AI项目订单延长至2027年，预示NAND控制器需求强劲。利多。强劲的出货增长和AI订单延长预示着NAND控制器市场供需紧张，价格有望维持坚挺。

联想在全球笔记本中采用YMTC SSD。受AI需求激增导致短缺和价格上涨推动，OEM重新评估成本与性能。利多，表明YMTC克服出口限制并扩大全球市场份额。

预计2026年预算智能手机出货量将暴跌22%，内存成本占低端机型BOM比例高达64%。SK海力士、三星和美光将晶圆产能转向高利润的HBM，导致标准内存供应被“饿死”。利空：标准DRAM和NAND闪存价格面临下行压力，预算手机需求萎缩将加剧库存积压。

Omdia 预计 2026 年 Q1 低端智能手机的存储芯片成本占比将升至 60%，导致出货量下降 22%。DRAM 和 NAND 价格上涨挤压了面板和传感器等部件的利润空间。利多：存储芯片价格面临上行压力，而高端手机需求保持韧性。

512Gb TLC现货价格本周下跌2.87%。受消费需求疲软影响，供应商持续下调报价以调整库存，买家接单意愿降至冰点。利空：现货市场缺乏买单，价格趋势持续走弱。