90铠侠停产8Gb-64Gb TSOP MLC NAND闪存
铠侠宣布停产8Gb-64Gb容量的TSOP封装MLC NAND闪存。此举主因产能与基材供应受限，厂商正将资源向高附加值TLC/QLC产品倾斜。利多：剩余MLC NAND库存及现货价格预计上涨。
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铠侠宣布停产8Gb-64Gb容量的TSOP封装MLC NAND闪存。此举主因产能与基材供应受限，厂商正将资源向高附加值TLC/QLC产品倾斜。利多：剩余MLC NAND库存及现货价格预计上涨。
三星在GTC 2026展示Groq-3晶圆并确认量产，展位访客超1500人。黄仁勋确认三星为代工厂，展示HBM4/HBM4E及SSD产品。关注三星HBM4及SSD供应链地位稳固，但暂无具体价格变动数据。
美光FQ2营收达238.6亿美元，同比增长196%，所有业务部门均创纪录，AI需求为主要驱动力。公司已开始为英伟达下一代平台量产36GB HBM4产品，并签署了首个五年期战略客户协议。利多：创纪录业绩与长期供应协议表明，AI驱动的存储芯片（尤其是HBM与数据中心DRAM）需求与定价将持续坚挺。
索尼与微软计划于2027年底推出PS6及Xbox新主机，未因内存短缺而推迟。SK集团董事长预测内存短缺可能持续至2030年前后，主要受数据中心需求挤压。利多：两大主机厂商确认2027年发售计划，锁定了未来数年消费电子端对DRAM/NAND的稳定大宗需求，加剧供应紧张预期。
铠侠正式通知客户，将全面停产TSOP封装产品，涉及1Gb至64Gb容量的SLC与MLC NAND闪存。停产原因为相关基板生命周期结束、市场需求及生产限制。利多：特定SLC/MLC NAND供应退出，将收紧现货市场供应并推高相关产品价格。
英伟达发布基于Groq技术的LPX机架系统，每系统集成256颗LP30 LPU以加速AI推理。此举源于其以200亿美元收购Groq知识产权与团队，旨在弥补GPU在高交互、低延迟场景的效率短板，并应对AMD及AWS-Cerebras的竞争压力。关注：此为面向未来AI负载的战略产品整合，对当前元器件供应链、需求及价格无直接可量化影响。
美光Q2 FY2026营收达236.8亿美元，同比增长194%，毛利率升至74.4%。受AI需求激增及HBM短缺推动，公司上调了DRAM和NAND价格。利多：预计Q3将继续创纪录，供需紧张支撑价格上行。
金士顿16GB内存价格从4月至6月的约200元飙升至800-900元，32GB内存涨幅约300%。TrendForce预测2026年第一季度NAND闪存价格将上涨33-38%，一般型DRAM价格将上涨55-60%。利多。DDR3因价格低廉重返市场，中低端产品面临涨价与配置下调并行。
铠侠计划逐步停产采用TSOP封装的MLC NAND产品。TSOP是用于USB闪存盘、存储卡等应用的MLC NAND的旧式封装技术。利多：停产计划将削减旧款MLC NAND的供应，可能收紧剩余库存的可用性并支撑其价格。
美光2026年Q2营收达238.6亿美元，同比大增三倍。主要受AI及自动驾驶汽车对300GB以上DRAM需求激增推动。利多，供需紧张格局延续，产能扩张将支撑价格上行。
村田制作所计划三年内剥离中国稀土供应链，以应对地缘政治风险。此举源于中国对日出口管制收紧，且村田中国营收占比已从60%降至48%。关注：长期供应链多元化利好MLCC供应稳定，但短期材料认证与成本增加构成风险。
铠侠将停产TSOP封装NAND产品，最终订单截止日为2026年9月15日，最后出货日为2027年3月15日。此举源于行业策略调整，制造商正将资源集中于TLC、QLC及DRAM，逐步淘汰低单位价值的MLC产品。利多：特定封装形式的供应终止将收紧对应存量市场的供应，对相关库存价格构成支撑。
三星电子预计AI需求将导致今年内存供应持续紧张，并已开始HBM4的量产出货。公司计划提升DDR5、SOCAMM2及GDDR7等高价值产品份额，以满足数据中心AI投资需求。利多：行业龙头确认AI内存结构性短缺将持续，支撑相关产品价格预期。
OPPO、vivo、荣耀等多家手机品牌已官宣对新旧机型调价，涨幅最高达500元，主因内存成本飙升。内存制造商将产能转向AI服务器所需的HBM和DDR5，导致消费级内存供应短缺、价格高企。利多：内存供应链短缺已传导至终端产品价格，确认消费级DRAM/NAND现货市场面临持续上涨压力。
SK集团会长预测全球内存芯片短缺将持续至2030年，晶圆供应落后需求逾20%。短缺主因AI数据中心需求激增及主要厂商产能转向HBM，导致传统DRAM产量不足、价格飙升。利多：结构性供应短缺明确，支撑DRAM/HBM价格长期上行压力。
三星电子93%的工会成员投票支持罢工，若谈判破裂将于5月21日发起为期18天的罢工。争议焦点为奖金制度，三星在韩生产其全部DRAM及约三分之二的NAND闪存。关注：若罢工发生，将直接冲击全球DRAM与NAND闪存供应，引发市场波动。
NAND Flash现货价格预计将企稳并上涨，因市场预期新季度合约价谈判将带来显著涨幅。本周512Gb TLC晶圆现货价下跌0.58%至23.000美元，市场关注合约价对现货的拉动效应。利多：合约价大幅上涨预期将传导至现货市场。
三星暂停DDR4涨价，但主流DDR4现货周涨1.44%至33.88美元。市场观望情绪浓厚，但预计2Q26价格回升。利多：DRAM现货价格获支撑，NAND现货跌0.58%但合约价看涨。
DDN与英伟达达成合作，通过软件定义存储和BlueField-4 DPU优化AI推理，宣称KV缓存加载速度提升27倍，推理成本降低两位数。该方案旨在解决数据瓶颈，提升GPU利用率，使AI基础设施更具经济性。关注：该技术突破可能重塑AI推理市场的成本结构，影响相关硬件需求。
三星因存储成本上升，据报将终止Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机销售。其手机部门今年营业利润预计同比暴跌超60%，已启动紧急措施。利空：作为关键采购方，三星的需求急剧萎缩，将对上游存储芯片（DRAM/NAND）的出货和库存构成压力。