95内存价格暴涨400%冲击戴尔业务
瑞银警告全球内存价格暴涨超400%，预计2026年下半年至2027年一季度将更猛烈冲击戴尔业务。戴尔虽在2026年一季度通过谈判消化了110%的成本增幅，但未来毛利率面临压力。利空：内存成本高位运行，利润率承压。
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瑞银警告全球内存价格暴涨超400%，预计2026年下半年至2027年一季度将更猛烈冲击戴尔业务。戴尔虽在2026年一季度通过谈判消化了110%的成本增幅，但未来毛利率面临压力。利空：内存成本高位运行，利润率承压。
Microchip推出dsPIC33CK Value Line系列DSC，提供100MHz处理与12位ADC。该系列针对成本敏感型实时控制应用，兼容AEC-Q100 Grade 1。中性：新产品发布，主要影响设计选型而非现货价格。
格芯获得15.75亿美元CHIPS法案资金，2025年营收达67.9亿美元，同比增长1%，其中汽车业务增长17%。公司专注特种工艺，包括22FDX和45RFSOI。利多。资金注入与汽车需求增长支撑其特种工艺产能利用率，但营收增速平缓显示成熟制程市场竞争激烈。
三星成功研发出900层3D NAND芯片，通过堆叠两个450层串组成。尽管竞争对手目前处于192至321层水平，三星计划今年量产400层技术。利空: 这一技术突破将迫使竞争对手加速追赶，并预示未来存储成本下降和产能提升。
美国芯片法案向量子计算公司提供超15亿美元资金，IBM获10亿美元，Globalfoundries获3.75亿美元。IBM与商务部拟建300mm量子晶圆代工厂Anderon，投入10亿美元现金及IP资产。关注量子芯片产能扩张及供应链政策变化。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。利多HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
日本胶带厂商Lintec计划投资70亿日元，于2026年量产1万张EUV光罩防尘膜。公司正与日本产业技术综合研究所合作开发碳纳米管基EUV光刻防尘膜，以提升高温下的耐久性。关注。传统工业巨头跨界进入EUV防尘膜领域，长期或增加供应竞争，但短期对价格影响有限。
华为在巴黎IDI Forum 2026展示并量产61.44TB与122.88TB SSD，规划245TB版本。受美国实体清单限制，华为采用自研DoB封装技术绕开3D NAND层数限制，直接焊接裸片提升密度。利多：国产存储技术突破，为数据中心提供新方案。
Intel CEO指出AI CPU需架构变革，转向专用硅芯片并优化内存以解决瓶颈。Intel股价一年涨超五倍，但CEO认为若两三年内无AI专用CPU落地，将错失AI热潮。关注：目前仅为战略意向，缺乏具体落地指标，对现货价格无直接影响。
华为发布61.44TB及122.88TB SSD，采用Die-on-Board封装技术绕过美国制裁。该技术通过在PCB上直接堆叠YMTC的Xtacking 4.0颗粒来提升密度。中性：此举虽缓解了制裁对产能的限制，但散热与信号完整性仍是技术挑战。
Anthropic预计Q2营收109亿美元并实现运营利润，DeepSeek将API折扣永久化至每百万token 0.435美元。高价值token能赚钱，低成本token能放量，推动算力需求超过供给。利多。算力、电力和存储仍处于紧绷状态，利好上游芯片和基础设施。
深度求索宣布将DeepSeek V4 Pro模型永久降价至原价的1/4，输入输出价格分别降至3元和6元。此举旨在解决此前因算力不足导致的定价过高问题，并扩大用户基础。利多：降低推理成本有望刺激AI算力需求，利好AI推理芯片市场。
TrendForce数据显示2026年Q1全球电视出货4712万台，同比增长3.3%，三星稳居第一，TCL出货768万台同比增长11.3%。受DRAM与NAND Flash供应趋紧及价格明显上涨影响，品牌提前备货以对冲成本压力。利多存储器价格，预计2026年全年出货量将同比下降1%。
台积电2026年资本开支预计达470亿美元，AI算力需求指数级增长。摩尔定律放缓推动产业转向系统级创新与国产替代。利多AI芯片及国产设备材料板块。
ETH Zurich研究人员发现AMD EPYC平台安全漏洞，可100%成功读取内存。该漏洞利用UEFI和Infinity Fabric配置缺陷，无需物理访问即可绕过SEV-SNP机密计算保护。利空AMD服务器芯片需求，云服务商需重新评估EPYC安全性。
戴尔与谷歌合作在PowerEdge XE9780服务器上推出Gemini 3闪存模型。该模型通过谷歌分布式云部署，旨在提升AI算力效率。利多服务器及AI算力需求，但暂无具体供应链数据。
三星电子在罢工前关停产线削减产能，涉及HBM、LPDDR5及NAND等关键产品。此次罢工导致约4.3万名员工缺位，预计扰动全球3%-4%的存储供应。利多，将加剧存储涨价压力，潜在损失高达670亿美元。
三星因罢工削减HBM、(LP)DDR5及定制逻辑产线，涉及43,286名工人。TrendForce预计将导致全球DRAM供应减少3-4%、NAND减少3%，加剧当前紧缺局面。利多：全球存储芯片现货价格将面临显著上行压力。
戴尔与铠侠合作推出9.8 PB全闪存服务器，采用40颗245.76 TB LC9 QLC SSD。该系统专为AI基础设施设计，强调高密度与能效，竞品包括美光6600 ION等。关注 256 TB级大容量SSD的量产进展，这将重塑企业级存储市场格局。
HBF（高带宽闪存）是一种受HBM启发的新型3D闪存技术，旨在提升AI算力效率。目前该技术仍处于概念阶段，尚未对现货价格或产能产生直接影响。关注（中性）。