GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
消息称三星 Galaxy S27 系列手机可能回归 1 月至 2 月的发布节奏（消息时间为 10 月 19 日），Pro/Ultra 机型有望升级至 LPDDR6 内存和 UFS 5 闪存；但由于内存市场行情升温超出三星预期，三星正在重新评估是否暂缓 Pro/Ultra 的内存与闪存升级。UFS 5 理论性能较 UFS 4.1 提升一倍，读取最高 10.8GB/s，写入最高 9.8GB/s，能效提升约 40%；LPDDR6 数据传输速率每引脚 10.6‑14.4Gbps，高于 LPDDR5X 的 8.5Gbps。
海光信息于10月19日发布2026年第三季度（2026年7月至2026年9月）报告：营业总收入58.56亿元，同比增长45.46%；归母净利润10.48亿元，同比增长37.9%；扣非净利润9.53亿元，同比增长31.12%；基本及稀释每股收益均为0.45元，同比增长36.36%；加权平均净资产收益率4.05%。年初至报告期末累计营业收入14954710229.13，同比增长57.58；累计归母净利润2846508812.66，同比增长45.12。第三季度研发投入18.2亿元，同比增长48.68%，占营业收入比例31.08%，同比提升0.68个百分点。年初至报告期末经营活动现金流净额为-2442780168.86，同比减少208.35%，原文说明主要原因为公司匹配市场销售规划加大备货规模、原材料采购支出同比显著增多。原文将业绩增长归因于人工智能产业快速发展、国产替代进程由政策驱动全面转向市场驱动带动国内高端芯片需求持续攀升，以及公司持续加大研发投入。海光信息主营应用于服务器、工作站等设备的高端处理器，产品包括海光通用处理器（CPU）和海光协处理器（DCU）。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
佰维存储公告，公司股份回购计划已实施完毕，累计回购股份122万股，占总股本0.26%，回购均价为204.87元/股，支付资金总额约2.5亿元。本次回购的股份将全部用于注销并减少注册资本，公司将于10月20日办理注销手续。原文未说明回购的原因。
QYResearch（北京恒州博智）发布中国涂层熔融石英毛细管市场研究报告，该报告为市场分析背景信息，不涉及具体价格变动、产能调整或企业事件。报告称中国涂层熔融石英毛细管市场受精密分析检测、制药研发、实验室仪器及半导体等领域需求影响，聚酰亚胺涂层是市场的重要产品类型，主要应用领域包括气相色谱、毛细管电泳和毛细管液相色谱。研究覆盖2021至2025年历史数据以及2026至2032年预测数据，分析市场销量、销售收入、产品价格、毛利率、市场份额和行业集中度等指标。报告列出的中国市场核心厂商包括Polymicro Technologies、Heraeus、Agilent Technologies、Restek和Merck等，同时将Postnova、Trajan、PerkinElmer、Harbor Group、GL Sciences、Next Advance、IDEX Health & Science及Technical Glass Products纳入研究范围。报告还提及2025年美国关税政策给全球经济格局带来不确定性，相关贸易调整可能影响精密材料、实验室耗材及仪器配套产品的跨境流通与供应链安排，但具体影响仍需结合产品贸易路径、原材料来源、生产布局及终端客户采购结构判断。原文未说明原因，本文为背景性研究报告，无即时交易信号。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
10月19日A股半导体方向领跌：中证半导（相关ETF：561980）以4.54%的跌幅居首，科创50（相关ETF：588450）跌2.17%，科创创业50（相关ETF：588300）跌1.79%，创业板人工智能（相关ETF：159243）跌0.42%；当日半导体指数跌1.39%，板块内39家上涨、148家下跌，存储与设备链调整最为明显。海外情绪是主要源头：上周五费城半导体指数收跌3.83%、连续第8个交易日下跌，创2008年金融危机以来最长连跌，8个交易日板块市值蒸发近2万亿美元，AI算力服务商CoreWeave信用风险发酵，市场对AI资本开支回报的担忧传导至亚太，SK海力士、三星电子'存储双雄'大跌，韩国KOSPI早盘一度跌超3%。国内方面，长鑫科技三季报预告前三季度归母净利润1310亿至1325亿元、同比扭亏为盈，但三季度单季环比增速降至1%至3.9%，较一二季度的246%、113%明显放缓，市场按环比重新定价，该股早盘一度跌近9%，拖累科创50盘中跌超2%。
快科技10月19日报道，魅族科技今日宣布魅族22在京东自营旗舰店限量补货开售，支持至高3期免息，叠加国家补贴最高可立减500元。京东商品页面显示，目前仅16GB+512GB版本有货，国补到手价3499元，归航版售价3999元，其他存储版本暂时无货。魅族22于2025年9月15日正式发布，起售价2999元，搭载高通第四代骁龙8s处理器。背景方面，今年2月魅族科技曾发布战略转型公告，宣布暂停国内手机新产品自研硬件项目，同时积极接洽第三方硬件合作伙伴，并强调原有业务不受影响。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
日本三菱重工(MHI)与西班牙公司Ingeteam宣布签署谅解备忘录(MOU),结成战略合作伙伴关系,面向美国数据中心分销、集成并联合开发先进能源基础设施解决方案。该联盟将MHI在集成电力、冷却和能源管理方面的专长,与Ingeteam在旋转电机、电力电子、控制与自动化及数字技术方面的专长相结合,帮助数据中心运营商应对下一代AI工作负载带来的电能质量和电网接入挑战。双方计划通过MHI集团扩大Ingeteam电力转换解决方案及相关软件在美国数据中心市场的供应,并探索将部分技术集成到MHI集团为客户开发的先进能源基础设施架构中。该合作目前为签署MOU层面的规划,联合开发与市场拓展尚属意向性安排。
据天眼查App显示，近日长鑫集电（北京）存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约508.5亿人民币增至约601.8亿人民币，增幅约18%。该公司成立于2016年8月，法定代表人为赵纶，经营范围含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等，由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。原文未说明增资原因，亦未披露产能或投资具体用途。
根据Gartner 2026年10月报告，2026年第三季度PC出货量为5540万台，同比下降22.4%。原因是内存和存储成本上升，DRAM成本较去年同期增长五倍，PC厂商将更高的部件成本转嫁给客户，导致PC出货量大幅下降。出货量已降至早2023年水平，下降主要由更高价格、厂商对稀缺部件的重新优先配置以及向高价配置转移驱动，导致低价设备供应减少，消费者更换购买力下降，企业则将支出转向工作站和AI PC等有针对性的投资。全球前六大PC厂商均出现出货量下降：联想下降22.4%，惠普下降30.9%，戴尔下降25.4%，苹果下降7.1%，华硕下降13.0%，宏碁下降11.2%，其他厂商下降25.6%。苹果市场份额提升1.7个百分点。
英特尔在开放计算项目全球峰会上公布面向AI推理的GPU D系列，代号Crescent Island，产品页面称为D270。该加速卡最高可配置480GB LPDDR5X显存，但英特尔品牌PCIe卡配置为160GB LPDDR5X，设计允许ODM合作伙伴推出最高480GB的定制卡，480GB为系列支持的上限而非每张卡的实际容量。英特尔称单卡可承载最多3000亿参数的模型，八卡系统可运行参数量超过1万亿的模型，主打长上下文和多路并发推理。其他指标包括最高1.5TB/s显存带宽、FP8格式下1.3 petaflops算力、350W功耗上限，采用Xe3P架构，支持标准PCIe形态和风冷设计。该系列已进入客户送样阶段，但尚未公布一般上市日期或公开售价。
Lens Technology 通过提出收购 PMG International 控股股权的方案，计划投资 2500 万美元进入 AI 服务器冷却市场，以获得服务器机架制造和液冷技术。该交易尚未完成，属于所提议的收购，文中未说明原因。此举将使公司在现有消费电子和汽车零部件业务之外进一步多元化。
台湾iBase Solution宣布计划从工业电脑(IPC)和储能业务扩展至液冷预制模块化数据中心领域,目标是争取AI基础设施建设的工程设计、采购与施工(EPC)合同。该公司计划利用其储能专业知识、系统集成能力和客户关系,在全球AI投资增长的背景下抓住电力、散热和数据中心开发方面的机会。文中未提及任何价格变动、产能数据或具体时间表,该扩展属于计划性质,原文未说明原因以外的具体动因细节。
Clunix与NeoAI Cloud签署谅解备忘录，计划在浦合AI数据中心构建AI与HPC一体化运行环境，Clunix将把其AI与HPC管理技术集成到NeoAI Cloud正在建设的下一代GPU基础设施中，并使用其AI编排平台NovaTier建立裸金属GPU集群供给、AI与HPC一体化工作负载调度以及NVL72等机架级系统的运行环境。该数据中心为全液冷AI专用设施，项目总成本6000亿韩元，一期目标容量40兆瓦，可容纳约10000颗Nvidia下一代Vera Rubin GPU，机架功率密度超过150千瓦，完工时间定于2027年11月；NHN Cloud已预租一半可用容量即16兆瓦并将联合运营。双方还将利用Clunix在制造业和研究领域的HPC客户基础，吸引浦合钢铁、材料、二次电池产业及本地研究机构的计算需求。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |