経産省披露向Rapidus追加出资4000亿日元的计划
経産省披露了向Rapidus追加出资4000亿日元的计划（此为标题所载事实，属计划，尚未实施）。文章正文因编码乱码大部分不可读，可辨认的片段中包含'Rapidus'、'4000'与'2nm'字样，但'2nm'的上下文无法核实，故不据此断言具体用途。原文未说明原因。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
10月19日消息，消息人士@金猪升级包 稍早前曝光了AMD尚未推出的锐龙AI 7 HX 455处理器。从规格来看，该型号应该基于"Gorgon Point 1"芯片，保留了完整的16核心GPU，但CPU从完整的12核心24线程降至8核心16线程，此外配备24MB L3高速缓存。消息人士表示，锐龙AI 7 HX 455的兄弟型号是掌机端的锐龙Z2 Extreme，后者的CPU架构是"3x Zen 5, 5x Zen 5c"。该产品尚未正式推出，信息来自爆料，原文未说明原因及发布时间。
10月19日，国务院新闻办公室举行新闻发布会介绍加快推进科技兴商有关情况。会上介绍，今年上半年我国人形机器人整机产品突破400款，产量超4万台，预计全年将突破10万台。工信部推动以人形机器人为代表的具身智能产业实现规模体量、创新能力、产业应用三个"加速"，并实施人形机器人与具身智能实景实训专项行动，推动相关产品在仓储物流、餐饮零售、家庭服务等300多个重点场景加快验证和部署。另据IDC报告，工业、物流等应用探索持续加速，头部厂商不断扩充生产能力，中国市场开始出现面向个人消费者的小型人形机器人。
北京恒州博智（QYResearch）于2026年10月发布《2026年全球镍及镍合金电镀产品行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据QYResearch调研统计，2025年全球镍及镍合金电镀产品市场销售额达到108亿元，预计2032年将达到150.5亿元，2026-2032年复合增长率（CAGR）为4.9%。报告覆盖全球及中国市场占有率、收入份额、企业排名、三年数据对比、产能、销量、价格及市场份额等指标，并列出上村化工、安美特、Dupont、麦德美乐思、奥野制药工业株式会社、日本JCU、光华科技等主要企业；产品类型包括镀镍产品和镀镍合金产品，应用领域涵盖半导体、PCB、汽车、装饰、光学器件、航天航空、电器、工业机械、石油化工等。该内容为市场研究报告数据及预测，非价格波动或供需事件。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国工业水处理阴离子交换树脂市场现状研究分析与发展前景预测报告》，统计显示工业水处理阴离子交换树脂年复合增长率为6.3%（2026-2032年预测期）。报告覆盖中国本土生产情况、进出口情况、市场规模及增长趋势，历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。产品按功能特点分为强碱阴离子交换树脂、弱碱阴离子交换树脂、混床树脂及特殊功能树脂，按产品类型分为凝胶类型和大孔类型；应用领域包括发电、化工和石油化工、制药、食品和饮料、半导体等，其中半导体、电力、制药及高端化工产业发展被报告称正推动高性能水处理树脂需求增长。报告列出的主要厂商包括DuPont、LANXESS、Purolite、Mitsubishi Chemical Corporation、Sumitomo Chemical、Thermax、Evoqua Water Technologies、Samyang Corporation、Aldex Chemical Company、蓝晓科技、浙江争光实业股份有限公司、江苏苏青水处理工程集团有限公司、天津南开和成科技股份有限公司。该内容为市场研究报告性质，未涉及具体价格变动、产能事件或供应中断。
根据QYResearch的统计及预测，2025年全球云终端市场销售额达到了14.31亿美元，预计2032年将达到46.24亿美元，年复合增长率（CAGR）为18.5%（2026-2032）。报告覆盖2021-2032年研究周期，主要产品类别为X86和ARM，主要应用领域包括教育、企业、医院、政府等。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布的《2026-2032全球与中国无源光纤网络分接头市场现状及未来发展趋势》报告称，2025年全球无源光纤网络分接头市场销售额达到0.8亿美元（80.4百万美元），2026年全球市场规模为84.95百万美元，预计2032年将达到1.23亿美元（123百万美元），2026-2032年预测期复合年增长率（CAGR）为6.3%，以上均为该机构的统计及预测数据，非已实现结果。报告覆盖产能、产量、销量、销售额、价格等指标，主要产品类别为单光纤分接头和双光纤分接头，主要应用领域为单模光纤、多模光纤及其他，报告调研企业名单包括Network Critical、Keysight、Garland Technology、Cubro、Approved Networks、M2 Optics、Gigamon、APCON、Profitap、Niagara Networks。原文未说明原因。
三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
英伟达Vera CPU团队在近期访谈中承认，过去多年云端基础设施为追求核心数量牺牲了单线程性能与IPC：行业从2010年代初期英特尔等厂商的高主频、少核心设计，转向超大规模云厂商崛起后x86厂商的多Chiplet布局，核心数大幅膨胀，但使用Chiplet后芯片上没有足够空间为每个核心做性能设计，单线程性能和IPC因此长期停滞。Agentic AI的爆发迫使这一趋势逆转：AI智能体在GPU与CPU之间高速循环执行任务，要求CPU在并发负载下保持强大单线程性能和可预测的低延迟，以避免昂贵的GPU闲置。为此，Vera CPU放弃Chiplet路线，将全部88个Olympus核心与176个线程集成在单晶粒上。据英伟达官方数据，Vera的单核性能最高可达AMD EPYC Venice的1.5倍，在智能体编排任务中比Sapphire Rapids快约2.2倍。
快科技10月19日报道，据媒体报道，当地时间上周日，斯巴鲁公布了一项计划：拟在本十年后半段推出软件定义汽车（SDV），并将整车开发周期缩短约40%，以加快新车型投放速度。斯巴鲁在位于东京北部佐野市的研发中心举办战略说明会，表示会在全系车型逐步搭载全新自研的集成电子控制单元（ECU），并称该集成ECU的核心芯片由其与美国芯片厂商AMD联合开发。斯巴鲁计划借助数字仿真完成原型开发，并行开展设计、测试与生产准备工作以压缩开发时长，目标是让旗下软件定义汽车支持OTA远程升级，覆盖驾驶辅助、自动驾驶及整车性能相关功能，并在纯电、混动及燃油车型上统一电子平台架构。斯巴鲁还表示目前暂无采用丰田Arene软件平台的计划，尽管丰田持有其21%股份。丰田上周五表示，预计到2030年Arene平台每年搭载于1000万台新车，并在2035年拓展应用至联盟合作伙伴的车型。上述内容均为公布或预计的计划，尚非已实现的结果。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露（2026年10月19日报道），英伟达为其Vera CPU选择了单片式（monolithic）计算裸片，而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构；Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面，报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同，agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟，以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信，降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向（bisection）带宽，为其对比中领先的x86处理器的三倍；Vera性能为前代Grace的1.5倍；对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载，公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能，几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器，但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道，英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻，称其不属实，并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品；他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达，但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称，RTX 5090在其1,999美元的建议零售价（MSRP）附近仍难觅货，亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
据Jaykihn透露，Intel下代基于Nova Lake架构的Xeon E芯片将不采用混合架构，只包含一种核心类型，客户只能选全P核或全E核配置，不含低LPE功耗E核：全P核设计共五款型号，分别为4、6、8、12和16核；全E核设计四款，最高32核，另有4、8和16核版本。需要混合架构的边缘计算客户可购买常规Nova Lake-S桌面CPU。Nova Lake是Intel下一代桌面和移动平台，预计2027年Q1登陆，采用全新LGA1954插槽，命名采用酷睿Ultra 4000系列；桌面版采用混合架构，P核为Panther Cove，E核为Darkmont，单计算芯片版本最高28核心，三款BFC芯片配备最高144MB L3缓存对标AMD X3D；NPU算力此前泄露为73 TOPS，是Arrow Lake（13 TOPS）的5倍以上，超过Panther Lake的50 TOPS。文中指出，Xeon E放弃混合架构并非新策略，此前基于Raptor Lake架构的Bartlett Lake边缘计算芯片同样不含E核，但P核最高只有12核，桌面版只有8核；其原因据称为去掉E核后腾出空间塞入更多P核，边缘计算场景不需要E核处理后台轻负载线程，纯架构更符合边缘工作负载特征。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
据Tom's Hardware于2026年10月18日报道，SemiAnalysis在2026年10月17日发布的逐项目审计显示，美国300多项地方数据中心建设禁令（暂停令）对计划建设的实际影响有限：在禁令覆盖区约21GW数据中心中，仅约2.3GW（约3个项目）可能被推迟，且该数字未计入德克萨斯州环境质量委员会（TCEQ）的暂停令。该机构预测2027年美国将有总计38GW数据中心IT容量上线，是2026年的两倍以上；其中22GW已在垂直施工，其余16GW大多已完成融资并开始场地作业。已生效的地方禁令覆盖约20GW，其中仅约1.5GW被推迟；纽约州的暂停令另涉及0.8GW。截至9月，该机构在17个州跟踪了400多项地方性文件，其中已生效的包括少量永久性分区禁令；今年夏季纽约、得克萨斯、宾夕法尼亚和俄勒冈四个州在不到两个月内采取了行动。审计认为禁令效果有限的原因包括：禁令不撤销既有批准、短期禁令可能在后续项目需要审批前到期、诉讼或设备交期已锁定日程，且已在建或已获全面许可的产能不受影响。得州州长Abbott要求TCEQ不对数据中心项目发放许可，律所Bracewell预计该暂停将持续至ERCOT在12月中旬完成审查；TCEQ向州长办公室提交的合规报告定于周一发布。
源杰科技发布三季报业绩预告，预计净利润数值落在10.1亿-10.6亿区间，同比增速最高可达901.08%，该数字为预测值而非实际结果。就单季度数据而言，公司三季度净利润最高为4.53亿、最低为4.03亿，相较于二季度4.28亿净利润整体增长并不高，可能出现环比增速为负的情况；三季度全部利润基本来自经营性利润。预计三季度营收在6.5亿到7亿之间。原文将业绩增长归因于：2026上半年1.6T光模块规模放量，显著拉动高价值量CW激光器芯片的需求，公司主营CW激光器芯片供给紧俏。公司财务方面，2026上半年毛利率增长至80.42%、净利率增长至65.62%。公司两次扩产：2月份拟投资12.51亿建设光电通讯芯片和器件研发和生产基地二期项目，8月份拟出资42.68亿元建设源杰半导体科技产业园项目，出资方式均为自有资金及银行贷款，授信额度先后提高至20亿元、60亿元，3月拟登陆港股募资；据10月16日公告，2月投资项目最快在年底或2027年初形成产能。公司订单能见度至少维持到2028年。同业方面，东山精密6月拟投入12亿美元扩产光芯片和光模块项目，8月追加5亿美元；仕佳光子9月拟定增不超28亿，其中14亿投入CW光芯片及COC产业化项目。产品进展：300mW产品已和客户推进验证，400mW CW芯片正在研发，100G EML已批量销售，200G正在测试，NPO、CPO产品有望2027年出货。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |