英特尔研发XBM专利，重返存储市场
英特尔CEO Lip-Bu Tan宣布重返存储市场，并聘请SK海力士前高管推进XBM与ZAM架构研发。此举旨在通过新技术应对存储市场变化。
关注
长期技术布局，短期供需无实质影响。
- Related manufacturers
- Intel, SK Hynix, Saimemory
- Impact score
- 10 / 100, low impact
英特尔CEO Lip-Bu Tan宣布重返存储市场，并聘请SK海力士前高管推进XBM与ZAM架构研发。此举旨在通过新技术应对存储市场变化。
长期技术布局，短期供需无实质影响。
Intel计划开发XBM和ZAM以挑战HBM主导地位，目标2030年商业化。尽管面临生态系统壁垒，但并行开发表明其决心。
该技术趋势对当前供需无直接影响。
英特尔申请了XBM内存专利，这是一种旨在2030年前后商业化的HBM4潜在替代方案，具有更高带宽和更低成本。该技术通过后端晶体管设计提升面积利用率和TSV密度，旨在解决LPDDR带宽不足的问题。
作为长期研发里程碑，该技术对当前HBM及DRAM供应链的供需和价格影响微乎其微。
英特尔与软银旗下SAIMEMORY获得日本NEDO资助，启动为期3.5年的Z-Angle Memory（ZAM）研发项目，目标功耗降低40-50%，容量最高512GB。该项目被视为HBM的潜在替代方案，旨在解决AI/HPC领域未来内存瓶颈。
此为长期研发里程碑，对当前现货供应及价格无直接影响。
日本初创公司SAIMEMORY正将其专有的Z-Angle Memory定位为HBM的潜在继任者，以应对当前AI架构的物理限制。该技术尚处早期研发阶段，无任何量产或供应计划。
此为长期研发动态，对当前HBM的供应与价格无直接影响。
英特尔与软银集团合作开发ZAM技术，力积电据报主导试产。此举旨在探索超越当前HBM主导地位的下一代AI内存技术路线图。
此为长期研发里程碑，对现有内存供应链及现货价格无直接影响，但预示未来竞争格局可能演变。
软银旗下SAIMEMORY与英特尔签署协议，合作开发下一代Z-Angle内存，目标2027财年出样、2029财年商用。该合作背景是全球内存市场面临显著涨价压力，传统DRAM价格预计在2026年初大幅上涨。
此为长期研发合作，对当前现货供应、价格及交易决策无直接影响。
力积电加入英特尔与软银的Z-Angle Memory计划，目标2027年完成原型开发，2029年实现量产。该技术旨在为AI/HPC应用提供HBM的替代方案，宣称可降低功耗40-50%并提升单芯片容量。
此为长期研发项目，对现有存储芯片的短期供应、价格及交易无直接影响。
三星在SEMICON Korea 2026首次公开zHBM详细规格，早期测试显示其带宽可达HBM4的四倍且功耗降低75%。英特尔与软银旗下SAIMEMORY合作展示了Z-Angle Memory原型，采用对角线互连以解决传统HBM堆叠的热瓶颈。
此为远期技术路线图，未提及量产时间、产能或对现有HBM市场供需的直接影响。
英特尔与软银旗下SAIMEMORY合作，基于其NGDB技术开发名为ZAM的新型堆叠DRAM架构，据称密度可翻倍且功耗减半。此举旨在为高性能计算和AI市场提供HBM的替代方案，但目前仍处于商业化开发阶段。
该长期技术合作可能在未来数年影响高端内存竞争格局，但对当前HBM现货供应与价格无直接影响。
You've reached the end
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |