英特尔获日政府资助研发ZAM存储技术

英特尔与软银旗下SAIMEMORY获得日本NEDO资助，启动为期3.5年的Z-Angle Memory（ZAM）研发项目，目标功耗降低40-50%，容量最高512GB。该项目被视为HBM的潜在替代方案，旨在解决AI/HPC领域未来内存瓶颈。中性：此为长期研发里程碑，对当前现货供应及价格无直接影响。

来源：cnBeta · 2026/4/24 · 查看原始来源