英飞凌强化800VDC AI数据中心SSCB开发
英飞凌强化800VDC AI数据中心用碳化硅肖特基二极管（SSCB）开发。此举旨在提升AI算力场景下的功率管理效率。
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英飞凌强化800VDC AI数据中心用碳化硅肖特基二极管（SSCB）开发。此举旨在提升AI算力场景下的功率管理效率。
BEOL集成磁技术通过在CMOS晶圆上沉积磁薄膜和导电绕组，将无源元件嵌入半导体制造工艺。该技术利用标准金属互连步骤和低温沉积工艺，制造平面螺旋或环形微型电感器，减少寄生电阻和电感。
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
VLSI 2025技术会议讨论了英特尔18A工艺细节、DRAM架构（4F2对比3D）未来以及背面供电技术采用前景。文章聚焦晶圆厂数字孪生和材料工程模拟等研发里程碑，未涉及具体产能、价格或供应中断数据。
/利空/关注：此为长期技术背景信息，对短期交易无直接方向性影响。
东芝电子器件及存储公司发布新型SiC MOSFET技术，采用棋盘格嵌入式肖特基势垒二极管设计，将导通电阻降低约20%。该技术旨在提升功率半导体器件的能效与可靠性，属于研发阶段成果。
/利多/关注: 中性。此为远期技术进展，未涉及产能、停产或具体产品上市计划，对当前现货交易无直接影响。
NC State与Adroit Materials等机构研发出采用Mg注入与UHP退火的选择性p型掺杂技术，用于制造kV级低导通电阻垂直GaN器件。该技术旨在提升高压GaN功率器件的能效，属于实验室阶段的工艺突破。
此为远期研发进展，对当前功率半导体供应链、库存及交易价格无直接影响。
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